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141.
研究了Si掺杂对MOCVD生长的(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响.样品分为两类:一类只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构;另一类为完整的多量子阱LED结构.对于只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构的样品,掺Si没有改变量子阱发光波长,但使得量子阱发光强度略有下降,发光峰半高宽明显增大.这应是掺Si使量子阱界面质量变差导致的.而在完整LED结构的情况下,掺Si却大大提高了量子阱的发光强度.相对于未掺杂多量子阱LED结构,垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍,并对这一现象进行了讨论. 相似文献
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刁宏伟黄帅郭兴军侯建民 《中国新通信》2021,(3):1-2
随着我国网络信息技术的快速发展,5G技术已成为我国各行各业发展中不可或缺的一部分.5G技术与传统的4G技术具有明显的差异,可以使用5G基础的网络设备对数据计算技术的要求更为严格,因此为了进一步促进5G移动通信网络技术在各行业中的创新和应用,更需要借助云计算技术对5G移动通信网络进行优化,进而提高5G移动通信网络.本文中... 相似文献
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首先对链路管理协议中链路连通性验证功能进行了系统地分析,详细描述了其实现过程,然后对比性地讨论了链路连通性验证在SDH/SONET和DWDM网络中的修正和扩展. 相似文献
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149.
150.
文中介绍了EPON的特点。阐述了我国发展EPON需考虑的问题及其发展趋势,结合实际提出了EPON系统在实际设计与应用中的一些问题,最后探讨了EPON技术的发展及应用前景。 相似文献