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191.
提出一种柔性直流输电系统的自适应下垂反馈控制方法,通过利用柔性直流(VSC-HVDC)的灵活可控性为弱交流电网的频率和电压提供辅助支撑能力。首先,分析了柔性直流控制系统的工作原理,建立了VSC双环解耦控制的数学模型;在此基础上,提出了一种改进的双环PI解耦控制系统,分别设计了带有频率附加控制的有功功率控制器和带有电压附加控制的无功功率控制器,能够有效改善弱交流系统频率和电压的稳定性;采用了带功率偏差补偿的下垂反馈控制,改善了系统的动态响应,扩大了柔性直流的稳定运行范围。时域仿真结果验证了所提控制策略的有效性。 相似文献
192.
CFG桩复合地基在郑州逸泉国贸酒店高层建筑中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
CFG桩复合地基处理技术是一种应用比较广泛的地基处理方式。根据郑州逸泉国贸酒店工程现场地质条件,结合工程实际情况,设计采取CFG桩进行地基处理。介绍了CFG桩的设计及施工情况。检测结果表明,在高层甚至是超高层建筑中,在保证施工质量的前提下,采用CFG桩复合地基处理技术是可行的基础方案。 相似文献
193.
柔性直流输电系统中的可关断器件具有自关断能力,能够对开通、关断时刻进行控制,可以与无源系统连接进行换流。本文针对VSC在无源逆变方式下不需要外加换相电压的快速恢复控制能力,研究了柔性直流输电系统的黑启动控制能力。设计了黑启动过程中VSC-HVDC送端换流站控制策略采用定直流电压/定无功功率控制,受端换流站控制策略采用定交流电压/定频率控制,研究了电源并网时控制策略协调优化对黑启动的作用。以Kunder四机两区域系统为例,对整个黑启动过程在PSCAD/EMDTC中进行了仿真,研究表明本文采用的控制策略具有良好的电压、频率特性,完成了黑启动的实现。 相似文献
194.
粉末高温合金FGH96中的原始粉末颗粒边界及其对合金拉伸断裂行为的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用等离子电极旋转雾化法和热等静压法(hot isostatic press,HIP)分别制备FGH96粉末与合金,对原始及高温(1 150℃)预热处理后的FGH96粉末表面析出相以及HIPed FGH96合金的原始粉末颗粒边界(prior particleboundary,简称PPB)进行分析,进而研究PPB对合金室温和750℃拉伸断裂行为的影响。研究发现:原始粉末表面无明显析出相,1 150℃预热处理后粉末表面有块状MC和细小氧化物分布;热等静压法制备的FGH96合金及其热处理后,PPB析出相主要由颗粒和块状的金属碳化物MC及富Zr的氧化物颗粒组成;该合金经过固溶和时效处理后,颗粒状MC部分溶解而块状MC长大,PPB碳化物的尺寸分布由单峰分布转变为双峰分布;常温拉伸时微孔在PPB上形成并扩展,合金沿PPB断裂;750℃拉伸时,合金强度与塑性较常温下明显降低,部分M23C6在晶界析出,块状和颗粒状碳化物部分溶解,为M23C6提供碳源,合金断口呈现沿晶和沿PPB混合断裂的形貌。 相似文献
195.
196.
对第四代粉末高温合金FGH4108晶粒长大行为进行研究。结果表明,γ′相在完全溶解温度以下固溶处理时,晶粒长大幅度较小,与初始组织差别不大(锻态,3~4μm);当达到γ′相完全溶解温度时,晶粒发生明显长大;超过γ′相完全溶解温度时,晶粒尺寸大幅增加(30~40μm),过固溶的几个温度下晶粒尺寸差别不大;保温初期晶粒尺寸显著增加,一定保温时间后晶粒尺寸不再随时间明显变化。温度和时间对晶粒尺寸的影响都与γ′相对晶界迁移的阻碍作用有关,根据温度和时间的影响,对传统晶粒长大模型中界面迁移的表观激活能(Q)、时间指数(n)和广义迁移率常数(A0)进行修正,构建了新的模型,模型预测值与实验值的决定系数(R2)为0.9997,均方误差为0.12μm,预测精度较高,晶粒长大曲线各项特征能被准确预测出来。 相似文献
197.
通过模拟FGH96高温合金粉末在热等静压固结阶段的高温加热过程,利用多种表面分析方法,研究高温氧化对粉末表面状态的影响。结果表明,近热等静压加热温度条件下的高温氧化过程显著改变了FGH96高温合金粉末的表面形貌、表面元素分布和析出相组成。随加热温度的升高和保温时间的延长,胞状晶为主、树枝晶为辅的表面凝固组织被氧化物/碳化物层所覆盖,高温氧化过程促进粉末基体内部的Ni、Ti、Zr、Nb、Al和C原子逐渐扩散到粉末表面,粉末表面预先存在的氧化物(ZrO2)为MC型碳化物((Ti, Nb)C)的形核提供了结构条件。控制粉末表面氧化物的形成可以有效限制合金中形成原始颗粒边界缺陷。 相似文献
198.
研究了最新开发的高W高Ta型粉末高温合金GNPM01优异的蠕变性能和蠕变强化机理。利用球差校正扫描透射电子显微镜(AC-STEM),详细分析了粉末高温合金GNPM01蠕变变形机制和溶质原子在超点阵层错和微孪晶上的偏聚行为,阐明了溶质原子Cr、Co、Mo的偏聚是导致无序微孪晶在晶内扩展的根本原因。GNPM01合金在815℃蠕变过程中,γ’相内孤立的超点阵外禀层错(SESF)处出现了W、Ta、Nb、Co和Ti的Suzuki偏聚,并且偏聚原子具有有序的占位,造成SESF处发生局部微区相变(LPT),形成的[(Ni, Co)3(Ti, Nb, Ta, W)]有序相η相能有效阻碍微孪晶的形成和扩展,从而降低合金的蠕变速率。 相似文献