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为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的MOS—HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaN MOS—HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA/mm,最大跨导为44.25ms/mm,最高栅偏压+6V。 相似文献
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何永亮李万青严建强刘静岩刘新峰严增男张鹏程 《铸造》2021,(5):598-602
简要介绍了冷坩埚真空感应悬浮熔炼装备的发展现状、应用及其组成.在实际熔炼合金的过程中,通过PLC对熔炼中的各项工艺数据采集、运算、存储、分析、优化,制定了最优的熔炼工艺曲线,PLC和工业计算机之间相互通讯使真空悬浮熔炼过程的逻辑控制与过程控制得以实现,并能够进行远程监控、控制、诊断与管理,保证了后续熔炼合金成分均匀及质... 相似文献
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目的:研究了桂圆皮中儿茶素类成分超声波提取工艺,并对桂圆皮、肉及核中儿茶素类成分没食子酸(GA)、儿茶素(-C)、表没食子儿茶素没食子酸酯(EGCG)、表儿茶素(EC)和表儿茶素没食子酸酯(ECG)进行定性、定量分析。方法:采用Box-Behnken Design实验考察甲醇体积分数、料液比和桂圆皮粉碎度三因素对桂圆皮中儿茶素类成分提取的影响,优化最佳提取工艺参数。用HPLC与红外光谱法对桂圆中儿茶素类成分进行分析和定量,确定其儿茶素类成分类型及含量。结果:最佳提取工艺参数为甲醇体积分数51%、料液比1∶30g/m L和桂圆皮粉碎度90目。桂圆皮儿茶素单体类型及含量:EC为0.786mg/g,ECG为0.33mg/g,-C为0.246mg/g,EGCG为0.163mg/g,GA为0.0387mg/g;桂圆核:EC为3.19mg/g,ECG为1.019mg/g,GA为0.385mg/g,EGCG为0.178mg/g。结论:红外光谱法证实:桂圆皮、核含有儿茶素类单体成分或其单体的聚合体。为桂圆儿茶素类成分有效开发提供一定的理论基础。 相似文献
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桥梁混凝土结构的防护涂装技术 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了桥梁混凝土结构的腐蚀劣化机理 ,通过实例介绍了混凝土结构的表面防护涂装技术以及质量控制要点。 相似文献
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