Ba膜氧化过程中电子发射特性的研究

本文研究了Ba在Ni表面沉膜,测量Ba膜氧化过程中电子发射的I-V特性和不同膜厚对逸出功的影响。用Gauss分布求逸出功,在氧量适当时,出现逸出功最低值,此时电子发射为最大。可用氧的一分为二作用来解释,初步支持了动态表面发射中心的观点。     

ZnO薄膜对CIGS太阳电池性能的影响

采用交流磁控溅射制备高阻ZnO和直流溅射ZnO：A1薄膜,研究几种溅射工艺条件与ZnO薄膜性能关系以及对铜铟镓硒(CIGS)光伏电池的影响。通过不同的工艺参数改变控制,得到了性能优良的ZnO薄膜,同时表明电池窗口层ZnO薄膜工艺参数对铜铟硒电池性能影响至关重要。尤其是ZnO薄膜的电阻率和迁移率,这两项指标的优化可以使电池的填充因子有10％以上的提高。不论是高阻ZnO还是低阻ZnO薄膜对电池的填充因子都有着重要的影响,采用优化工艺所制备的C1GS光伏电池窗口层ZnO薄膜以后,目前研制的电池转换效率已达到12．1％。     

多元合金溅射问题的蒙特卡洛模拟

本文用蒙特卡洛方法对多元合金靶表面的原子逐一进行考查．表面的原子组成由计 算机按比例随机组成。原子的溅射几率由０～１之间的小数组成。是否溅射取决于计算 机产生的随机数．通过计算可以看到，由于各原子的溅射几率不同，表面出现溅射几率 低的原子富集。同时计算结果还告诉我们，不论各原子的溅射几率如何，在不考虑扩散 情况下，经过一段时间的溅射后，溅射出的原子比例与靶材的原子比例相同．由此得到 表面原子富集与溅射几率的关系为（以二元情况为例）Ａ：Ｂ＝ＰＢ：ＰＡ我们在用溅射法制 备超导薄膜中，证实了这一结论。     

柱形靶电弧离子镀系统的研究

柱形靶电弧离子镀系统是在吸收了平面靶电弧离子镀系统高电离率、高沉积速率等优点的基础上,又综合了柱型磁控溅射系统装炉量大、设备结构简单等优点而研制出的一种新型镀膜技术。柱形阴极靶置于真空室的中央,弧斑在绕柱靶表面高速旋转的同时,可人为地控制弧斑沿柱靶表面往复运动。因而靶面刻蚀均匀,镀膜均匀区宽。通过控制弧斑的移动速率,可细化膜层组织,减少熔滴。被镀工件置于阴阳极之间,只作自转,无需公转。不仅简化了工件架的结构,而且对不同尺寸的工件可以混装。在制备氮化钛超硬薄膜时,沉积速率可达4～8μm/h。     

两位二进制彩色编码光栅三维轮廓术

:研究了一种用彩色条纹对光栅进行编码的光栅投影三维轮廓术。其中投影光栅用白、红、绿和蓝 4种颜色按照二进制原理对光栅进行编码。用白色条纹和绿色条纹分别代表两位二进制中高位的 1和 0 ;用红色条纹和蓝色条纹分别代表两位二进制中低位的 1和 0。与此同时在两个彩色条纹之间插入一条黑色条纹 ,不仅可以避免彩色条纹边界处颜色的相互干扰 ,还可以使空间周期增加 1倍。这样在一个周期中共有 16个条纹。适于对人脸进行三维轮廓的测量。由于每个条纹没有灰度变化 ,因此这种方法具有较强的抗干扰能力。     

太阳能光伏发电应用浅析

当前,全世界能源消费中,绝大部分来自化石能源。20世纪以来,随着人类社会的高速发展,在短短的几十年中,迅速消耗了地球数亿年积存下来的宝贵能源,同时也带来了气候变化、环境污染等严重问题!人类若想可持续发展,就必须由依赖化石能源向可再生能源转变。由于太阳能光伏发电可以将太阳能直接转变成电能,因而得到了人们的极大关注——然而光伏发电的高成本又使得它远离了我们的生活。由此,所需的太阳能光伏电池的价格成为人们关注的焦点,而提高光伏电池的效率和降低制造成本自然成为当前太阳能光伏电池领域研究的核心课题。但是,在高价格的背后,究竟还有哪些因素制约着光伏发电的应用呢？     

金属预置层后硒化法制备的CuInSe2薄膜结构特性研究

CulnSe2(简称CIS)薄膜是太阳电池吸收层的重要材料。利用连续溅射金属层后硒化法制备CulnSe2薄膜。薄膜的XRD图样显示：CulnSe2薄膜的形成与制备条件密切相关；在较大Cu、In原子比的范围内，在一定的硒化条件下，都可以形成以CulnSe2为基体的薄膜。SEM图样显示，不同Cu／In比值的表面形貌有较大的不同。Cu／In接近1时，薄膜的表面形貌均质且颗粒致密。Raman谱图显示，Cu、In配比不当会使薄膜中出现少量的杂相组织，在632．8nm激发波波长下。还有210cmll和229cmll两处的特征峰。通过光吸收测量得到CulnSe2的带隙是1．05eV，通过电导率测量得到其激活能为0．486eV。     

效率为12.1%的Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池

利用共蒸发的三步法制备了较高质量的四元化合物Cu(In，Ga)Se2(CIGS)薄膜，并采用Mo／CIGS／CdS／ZnO结构为基础做出转换效率超过10％的薄膜太阳电池，其最高转换效率达到12．1％(测试条件为：AM1．5，Global 1000W／m^2)。通过与国际最高水平的CIGS太阳电池各参数的比较，分析了我们所制备的CIGS太阳电池在工艺和物理方面存在的问题。     

铝衬底硅颗粒太阳电池制备工艺研究

用QJ201铝钎焊剂作为还原剂,将N型硅颗粒与铝片在585℃以下进行烧结,在硅和铝之间形成合金型P-N结。铝片起支撑体的作用,同时也是太阳电池的背电极。经过选择性腐蚀,去除硅颗粒周围的杂质层,用PET聚酯膜在真空条件下加热至PET的熔点以上,在压力作用下,使PET渗入到硅颗粒的缝隙中,形成绝缘层。将硅颗粒上表面的绝缘层打磨掉,溅射沉积透明导电层,作为电池的上电极。制备成的太阳电池光电转换效率为4.3%。