D2D通信中一种基于非数据辅助误差适量幅度的同信道干扰控制方法及其性能分析

针对D2D通信系统中广泛存在的同信道干扰问题,该文提出一种基于非数据辅助误差矢量幅度(NDA-EVM)进行同信道干扰分析的方法.以NDA-EVM作为信道质量评估参量,推导信号在M-QAM调制下的NDA-EVM统一计算模型,利用信道增益建立NDA-EVM同信道干扰分布模型,并进一步求解该模型的性能上限,从而量化同信道干扰.理论分析和仿真实验表明,相对于传统算法,该文所提上限的计算时间复杂度由O(M 2)降为O(M),提高了信道评估时效性;推导性能上限与理论值吻合度高,特别是在低SNR时为紧上界,两者最小均方根误差RMSE低至0.2615.     

深度卷积神经网络语义分割综述

得益于深度卷积神经网络在特征提取和语义理解的强大能力,基于深度神经网络的语义分割技术逐渐成为计算机视觉研究的热点课题.在无人驾驶、医学图像,甚至是虚拟交互、增强现实等领域都需要精确高效的语义分割技术.语义分割从图像像素级理解出发,为每个像素分配单独的类别标签.针对基于深度神经网络的语义分割技术,根据技术特性的差异,从编码-解码架构、多尺度目标融合、卷积优化、注意力机制、传统-深度结合、策略融合方面展开,对现有模型的优缺点进行梳理和分析,并当前主流语义分割方法在公共数据集实验结果进行对比,总结了该领域当前面临的挑战以及对未来研究方向的展望.     

一种超宽带印刷单极天线的研究

提出并研究了一种平面印刷单极天线,采用共面波导馈电,天线辐射体采用椭圆和带有对称枝节环的组合结构。着重研究如何通过调整内、外圆环枝节的长度,改变天线的谐振特性,从而实现天线在3.1～10.6GHz频率范围内回波损耗S11<-10dB,满足超宽带通信的要求。制作了实验模型,用矢量网络分析仪进行测试,与仿真结果比较取得较好一致性。     

八木天线用电缆匹配的推荐方法

八木天线广泛运用在米波段无线电收发系统中,它的理论输入阻抗近似为300Ω平衡式。若将它运用在75Ω或50Ω不平衡式输入网络,则要进行阻抗匹配及不平衡转换。其方式方法视其八木天线所用折合振子数、驻波比、质价比等要求而定。而电缆匹配法简单易行,可满足一般要求,具有较多的优点,因此,被广泛采用。 1.常用方案:由于电缆阻抗固定,常用的有75Ω、50Ω两种。因此,当采用电缆匹配方式时,则有些方案的理论匹配程度较差,如常用的双层折合振子天线的匹配方案(见图1,2)。从图1可     

基于分数阶Hilbert 倒谱特征提取的非侵入式负荷监测研究方法

针对非侵入式负荷监测中特征近似的用电设备识别率不高的问题,以家庭用电负荷为研究对象,提出一种基于分数阶Hilbert变换的倒谱特征,利用分数阶Hilbert变换中阶数P选择的灵活性和提取信号细部特征的能力提取信号倒谱特征? 有效增大特征数据的区分度。首先对采集的信号作分数阶Hilbert变换,将原信号映射到分数空间,然后通过计算类内和类间距离,结合PSO算法对阶数进行寻优,最后计算得到最优阶数下的倒谱特征并将其作为多分类SVM的输入向量,不同用电设备种类作为SVM的输出。实验结果表明,在负荷特征相近的场景下,所提出的方法可实现较好的分类效果,有效提高了负荷识别的准确率。     

（英）退火温度对电子束蒸发沉积硅薄膜结构和光学性能的影响

系统研究了退火温度对硅薄膜结构和光学性能的影响。通过电子束蒸发工艺制备硅薄膜,然后在氮气保护下对薄膜样品在200~500°C范围内进行退火处理。使用XRD、拉曼光谱、电子自旋共振和透射光谱测量等方法对薄膜样品进行了表征。结果显示,随着退火温度的升高,非晶硅薄膜结构有序度在短程和中程范围内得到改善,同时缺陷密度显著降低-。当样品在400°C退火后,消光系数k由6.14×10^-3下降到最小值1.02×10~3(1000 nm),这是由于此时硅薄膜缺陷密度也降到最低,约为沉积态薄膜的五分之一。试验结果表明,硅薄膜在适当的温度下退火可以有效地降低近红外区膜层的光学吸收,这对硅薄膜在光学薄膜器件研制中具有重要应用。     

基于C62的DTV实时多节目复用器设计

介绍了一种采用高速ＤＳＰ的ＤＴＶ实时多节目复用器的实现方案。系统以ＴＩ通用定点ＤＳＰＴＭＳ３２０Ｃ６２０１为主处理器,配合少量ＰＬＤ,硬件和软件设计充分利用ＤＳＰ的特点,实现将多路音频、视频和辅助数据实时复用成符合ＭＰＥＧ－２系统层传输规范的码流。系统还具有ＲＳ编码功能和加扰扩展功能。由于系统规范主要由ＤＳＰ软件实现,因而能通过修改软件以适合不同的应用场合。系统具有完备的调试电路,良好的可维护性。     

ATM网络最小最大信元丢失率路由规划

本文基于ＡＴＭ网络交换节点,建立其数学模型,以链路最大信元丢失率最小为目标,对ＡＴＭ网络由选择作数学规划,并进行计算机模拟。结果表明,对于简单的拓扑结构,最小最大信元丢失率的路由策略和最短路径策略效果类似;对于复杂的拓扑结构,由于链路信元丢失率判别较大,应先计算出各条链路的最大信元丢失率,然后例整个路由上的信元丢失率最小进行选路。     

衬底去边宽度对高阻厚层硅外延片参数的影响

硅外延片的参数受衬底以及外延层两方面影响,研究了衬底背面SiO2层边缘去除宽度(简称去边宽度)对高阻厚层硅外延片参数的影响.对比0、0.3和0.5 mm三种去边宽度硅外延片的参数发现,去边宽度对外延层厚度不均匀性没有影响,对外延层电阻率不均匀性影响巨大,外延层电阻率不均匀性与衬底去边宽度呈正比.衬底去边宽度也会影响外延片的外观、表面颗粒以及滑移线.进一步研究了去边宽度对后续制备MOS管在晶圆片内击穿电压分布的影响,发现去边宽度越宽,晶圆片内MOS管击穿电压差越大.综合考虑外延片及其制备器件参数,选择0.3 mm为制备高阻厚层硅外延片的最佳去边宽度,可以获得优良的外延片参数及器件特性.     

相位控制残差对激光阵列合成的影响

在激光阵列相干合成中,由于相位噪声的影响和相位控制系统带宽的限制,相位控制残差无法避免。文中从理论上推导了存在相位残差时激光阵列相干合成中远场光强分布,并结合光束传输因子BPF（beam propagation factor）作为合成效果的评价标准,分析了相位残差对相干合成的影响。