一种基于压控移相技术的低成本相扫天线

研制了一种基于铁电体压控移相技术的低成本相扫天线阵列,该天线采用空间馈电透镜型式,省去复杂的馈电网络,减少移相器/TR组件数量,能显著降低相控阵天线的制造成本。介绍了空馈铁电体透镜相控阵天线系统的组成及其特点。对透镜天线关键部件的设计作了详细阐述,给出了12列铁电体空馈透镜天线阵列的实验结果,结果表明:在X波段,研制的铁电体透镜天线阵列在10%频带内可实现天线波束±45°的电控扫描,各扫描状态的输入驻波比小于1.4。     

复合卡诺图在多输出组合逻辑电路设计中的应用

为了使设计的多输出组合逻辑电路达到最简,运用复合卡诺图化简多输出函数,找出其各项的公共项,得到的表达式不一定是最简的,但是通过找公共项,使电路中尽量使用共用的逻辑门,从而减少电路整体的逻辑门,使电路简单。结果表明,利用复合卡诺图化简后设计出的电路更为简单。     

凝胶注模成型氧化铝陶瓷反射体的制备

以微米级氧化铝为原料,采用AM-MBAM凝胶体系,制备出了流动性良好、高固相体积比的浆料,然后采用凝胶注模成型工艺制备出了中空氧化铝陶瓷反射体。研究了分散剂、引发剂、单体浓度及固相含量等关键因素对凝胶注模成型氧化铝陶瓷反射体的影响。结果表明:当分散剂、引发剂、单体的质量分数分别为0.4%,0.08%,7%时,浆料的固相体积分数为55%,黏度达到710 mPa.s,并可制备出表观形貌好,结构致密的氧化铝陶瓷反射体。     

浪涌保护器件的测试和试验方法（续二）

3.测试和试验方法 3.1 试验浪涌波形为了能良好地保护设备不受浪涌冲击,SPD应通过合理的试验浪涌波检验,需要两种试验浪涌波,一是电缆配对线与地线之间的浪涌波,另一是配对的两导线之间的浪涌波。两种试验浪涌波可通过设备浪涌能量及浪涌电压故障的概率分布和所采用的浪涌数据确定。     

液晶显示器件电光参数标准测试方法浅析

本文着重对已批准的两个国家标准——GB4619—84《扭曲向列型液晶显示器件测试方法》和 GB7290—87《扭曲向列型动态驱动液晶显示器件测试方法》中的电光参数的测试方法进行了介绍和分析。     

自动录播在课堂录像中的问题与改进措施研究

针对自动录播系统在课堂录像中存在的图像、声音以及镜头切换等方面的诸多问题,分别对摄像机技术指标、机位设置、显示大屏性能、声音采集、跟踪方法以及录播主机类型等进行分析,揭示了产生各种问题的相关要素、制约条件与技术瓶颈,在反复实践和认真研究基础上,给出有效的改进措施和完善的解决方案.     

基于3D-HEVC标准的相邻块视差矢量获取算法质量优化的研究

在高效视频编码标准的三维扩展方案(3D-HEVC)中,相邻块视差矢量获取算法是视点间纹理图编码的一项关键技术.针对现有快速算法获取的视差矢量质量有所下降的问题,本文提出一种利用分组搜索和按比例组合策略的相邻块视差矢量获取质量优化算法.首先,改变原有相邻块视差矢量获取算法中将第一个搜索到的视差矢量作为最终视差矢量的准则;其次,设计一种新的分组结合方法,将时间方向和空间方向上的待搜索的候选块分为若干小组,并将互相临近的候选块中得到的视差矢量按比例结合为新的视差矢量;最后,设计新的分组搜索策略,在新的视差矢量与原有矢量中获取最终相邻块视差矢量.实验结果表明,在维持现有基于编码单元的简化相邻块视差矢量获取算法效率的前提下可实现编码质量提升.     

关于构造任意奇数阶幻方的新方法

幻方起源于几千年前的中国,是组合设计的研究对象之一.在一个方阵中,如果每行、每列以及对角线上的数字之和都相等,那么该方阵就是幻方.幻方已经取得了一定的研究成果,在图像加密、图像置乱等领域有广泛应用.本文提出了一种改进的构造奇数阶幻方的连续摆数法,比传统的构造方法更加灵活,既丰富了奇数阶幻方的图样,又可以并行地构造幻方,减少了构造一个幻方所用的时间.     

基于深度学习的配电网无线通信入侵检测系统

在采用无线通信接入的配电网中,入侵检测系统（IDS）通过分析通信网中传输数据来判断入侵事件.为提高检测的准确性,本文将深度学习理论应用于IDS,提出了一种面向配电网无线通信网络新型入侵检测系统,由带有门控循环单元、多层感知器和Softmax的循环神经网络组成.攻击测试基准实验结果表明IDS防御的有效性,在KDD99测试数据集上,其误报率为0.06%,总检出率为96.43%;在NSL-KDD测试数据集上,其误报率低至0.86%,总检出率则为99.33%.     

半导体量子点的电容

当电子数目很少量,用简谐势来描述量子点中电子所受的约束是一种很准确的近似。文章利用量子力学中的少体理论方法研究了二电子系统和三电子系统的行为。少体理论可以把质心运动和相对运动分离,从而得到精确的数值解。利用单个电子在量子点中的基态波函数的束缚行为,选择了量子点的束缚能。通过对ＣｄＳ、ＰｂＳ等半导体纳米粒子的充电电容的计算找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径。