长、短期电力负荷大数据下的智能预测实例分析

电力信息化平台的感知能力与检测精度日益提高,基于电力多维海量数据开展智能算法数据分析与知识挖掘,可高效处理数据,并获取具有指导意义的结论。考虑到不同时期的数据中彼此存在联系,可通过筛选历史时期数据的有效相关信息进行智能算法训练并做出合理预测。通过长、短期记忆网络对实际负荷数据进行预测,验证结果显示,基于长期数据可以较为准确地预测负荷变化情况,平均误差小于5%,对于合理规划电力生产具有一定的指导作用。     

ZnO增强MgO薄膜的次级电子发射性能实验和理论研究北大核心CSCD

本研究采用热蒸镀结合低氧压热活化技术,在FTO玻璃表面沉积制备了厚度为200~300 nm的MgO薄膜和MgO-ZnO复合薄膜,比较测试了薄膜的次级电子发射性能。采用扫描电镜、能谱仪、X射线衍射、X射线光电子能谱仪、俄歇电子谱仪表征了薄膜材料的显微形貌、厚度、结构及元素深度分布。测试了薄膜的次级发射系数(δ)随一次电子能量(Ep)和持续电子束轰击时间的变化情况。采用基于密度泛函理论的第一性原理计算分析了掺杂Zn2+的MgO薄膜的电子态密度分布。研究结果表明,相对于MgO薄膜,MgO-ZnO复合薄膜具有更优异的δ和耐电子束轰击稳定性。其在氧压5 Pa、500℃活化30 min后,在Ep为800 eV轰击时最大次级发射系数(δm)高达12.1,且经过Ep为600 eV、一次电子束流20μA持续轰击120 h后δm仍大于11。次级发射性能提升的主要原因是薄膜中ZnO的掺杂降低了MgO的禁带宽度,以及部分Zn单质的存在有效抵制了表面荷电效应。     

船舶通信中控设备的电磁兼容性设计初探

本文在对船舶通信中控设备的电磁兼容性设计分析内,首先对通信中控电磁兼容性设计基础理论阐述,了解通信中控电磁兼容设计流程,为设计干扰因素进行了解,希望可以有效提升船舶通信中控设备电磁兼容性设计质量.     

3mm双圆极化收发变频组件设计研究

介绍一种应用于毫米波制导体制半实物仿真系统中3 mm收发变频组件的设计方案.主要对组件中核心器件:中频放大器、谐波混频器、3 mm前端低噪放、自动增益控制(AGC)等模块进行了选型分析和研究.此外,文中对3 mm射频前端加载圆极化器以适应抗干扰、高分辨雷达体制仿真的要求提出了可行方案.最终,该组件放置在有雷达导引头参与的闭环仿真实验中进行检验和测试,结论表明该组件应用在毫米波制导仿真系统回路中具有幅相稳定性高、动态范围大、信噪比高、频谱性能好等特点.     

二元互不溶体系合金机械合金化的热力学研究进展

二元互不溶体系合金在机械合金化的非平衡态过程中能够形成过饱和固溶体、非晶和纳米相复合结构等亚稳相,并表现出与其微米尺度结构合金所不同的性能。综述了Alonso热力学模型和机械合金化在二元互不溶体系合金中制备亚稳相的热力学计算。     

用Vogit函数法测定Al-Pb纳米相复合结构中Pb相的晶粒尺寸和点阵畸变

用Vogit函数法测定高能球磨制备的Al-Pb纳米相复合结构中Pb相的晶粒尺寸和点阵畸变,并与透射电镜(TEM)观察结果进行比较。结果表明,Vogit函数法测定Pb相的晶粒尺寸与TEM观察结果相一致。这说明Vogit函数法的分析结果可靠,可用于常规分析。     

SQLite在半实物仿真系统中的应用与优化

为了提高半实物仿真系统数据管理水平,简化数据库操作的复杂度,文中提出了在仿真系统中使用轻量级数据库系统SQLite的方案。并针对半实物仿真系统中硬实时性要求的特点,提出了5点SQLite性能优化策略,有效的提高了操作SQLite数据库的访问速度。通过测试及实验验证表明,SQLite能够满足半实物仿真实验对数据实时存储及数据持久保存与管理的需求。     

窄条宽MOCVD选区生长InP系材料

报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积(NSAG-MOCVD)成功生长的InP系材料,并提出在NSAG-MOCVD生长研究中,引入填充因子的必要性,给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式,计算得出速率增强因子随填充因子的变化关系.与实验结果作了比较,发现InP的速率增强因子主要取决于掩膜宽度,InGaAsP的速率增强因子不仅与掩膜宽度有关,同时也依赖于生长厚度,且这种依赖性随掩膜宽度的增加而增加.     

雷达侦察系统参数测量的建模与仿真

在雷达侦察系统工作过程中,对表征敌方雷达信号特征的参数进行测量是后续进行信号分选和辐射源识别的前提条件;首先介绍了相位差测频和相位干涉仪测向的基本原理,然后对常用于表征雷达信号特征的参数的测量过程建立了数学模型,最后对建立的数学模型进行了仿真验证;仿真的结果表明,建立的数学模型能够有效地模拟雷达侦察系统对雷达信号参数的测量。     

利用MOVPE选区外延生长InGaAsP

研究了利用低压 MOVPE宽条 (15μm )选区外延生长 In Ga As P的性质 .研究了生长速率、厚度增强因子、带隙调制、组分调制随着生长条件如掩模宽度、生长压力、 族源流量的变化规律 ,给出了合理的解释 .同时研究了不同 / 比下选择性生长 In Ga As P表面尖角的性质.