计及用电行为模式的区域商业建筑负荷预测方法

为充分利用智能电表采集的细粒负荷数据并提高区域商业建筑负荷预测的精确度,提出一种基于用电行为模式的区域商业建筑负荷预测方法。首先,基于均值方差归一化方法对采集到的负荷数据进行标准化处理,通过肘方法确定聚类数目后进行k-Shape聚类,实现区域商业建筑负荷不同用电行为模式的提取;其次,针对大规模商业建筑负荷预测问题,考虑区域内大量商业建筑负荷预测时耗费大量内存资源却难以实现较准确预测问题,提出一种改进的Informer模型,该模型通过聚类算法识别具有相似用电行为模式的商业建筑,并充分考虑智能电表采集的异常负荷数据对模型训练结果的影响,能够良好的解决大规模商业建筑负荷预测精度不高问题;最后,采用加利福尼亚州商业建筑负荷进行实验,实验结果表明所提方法能够有效提高区域商业建筑负荷预测精度。     

纳米隔热材料在水泥厂中的设计应用

纳米隔热材料具有良好的隔热性能和热稳定性,在水泥厂高温部分使用可有效降低系统表面散热。本文通过建立设计模型量化散热量,对纳米隔热材料使用规格、部位作进一步优化。     

信息管理系统中计算机通信技术的应用探析

随着计算机技术的快速发展及我国公共管理事业的迅猛提升,促进管理质量的提高已成为企事业在市场竞争中取得成功的必要保障。凭借其特有的优点,计算机通信技术在信息管理系统中,对于数据的处理、预测功能、计划功能、控制功能的实现,及决策的辅助都得到了普遍的应用。结合当前计算机通信技术在信息管理系统中的应用现状,在未来的发展中,计算机通信技术必定会引领信息管理系统的发展趋向。本文从计算机通信技术等相关概念入手,介绍了计算机通信技术的优点,以及其在信息管理系统中应用的现状,进而结合现状对其未来的发展趋势进行了概括。     

空间电磁对接技术应用论述

针对航天工程的技术需求,重点概述了多个国家在空间交会对接过程中电磁技术的应用,并对其结构组成、工作原理进行阐述。通过国内外应用的对比,揭示了国内电磁对接的技术差距,提出了后续发展的关键方向和核心技术。     

工业控制系统漏洞补丁应用策略研究

工业控制系统(ICS)网络资产和企业网络资产之间存在着关键的差异,较之IT漏洞修复,ICS漏洞修复面临漏洞确认、补丁开发、有效性验证、修复决策等系列现实挑战.首先简述了当前ICS漏洞管理的基本流程以及通用漏洞评分系统(CVSS)被用作ICS漏洞修复决策时存在的局限,其次,介绍了四种ICS漏洞补丁应用的决策树方法并进行了...     

高轻载效率少功率器件的可模块化扩展ZVS高增益变换器

提出一种高轻载效率且少功率器件的可模块化扩展零电压开关高增益Boost变换器。该变换器可以通过增加升压模块数量n,极大地提高变换器的升压能力;具有2个开关管和n+1个二极管,且各功率管承受相同的电压应力,均为[(n+1)U_in+U_o]/(n+2);输入电感工作在连续导通模式,其余电感工作在双向导通模式,且反向峰值电流之和大于输入电感电流的谷值,从而实现所有功率管的软开关。所提变换器采用柔性开关频率控制策略,即根据输入电压和负载大小适当地调整开关频率,使电感电流脉动量维持在合适的范围内,既确保实现功率管的软开关,又具有较小的通态损耗,因此在整个负载范围内均具有较高的运行效率。以一个扩展模块为例,对所提变换器的工作原理、稳态特性、软开关条件、控制方法进行深入分析,并通过一台250 W的样机实验验证了理论分析的正确性。     

基于间隔的图模一体化电网拓扑的分析方法

间隔是一组相互电气关联的完成一定功能的设备集合。本文基于图模一体化编辑工具的电网编辑工具形成的原始静态拓扑,提出了一种面向间隔的分析方法,将变电站中的设备按包含了基本连接关系的间隔进行归类,并且将结果保存在关系数据库中。生成的间隔拓扑可以提供给倒闸规则生成,间隔状态分析和变电所、调度智能倒闸开票所用。基于B/S模式的实际应用,证明了该方法的可靠性。     

元素俘获测井在库车深层致密砂岩中的应用

库车前陆盆地深层砂岩气藏表现为低孔隙度特低渗透率特征,由于钻井取心少,评价复杂岩性储层存在困难。元素俘获测井(ECS)利用矿物成分获取地层岩性和骨架参数,能够指导评价复杂岩性地层。利用元素俘获测井获取的元素干重百分比,建立反演矿物模型求取矿物的含量。用ECS测井资料获得的矿物含量计算地层变骨架密度(地层骨架密度随深度变化而变化),再计算地层孔隙度,其孔隙度结果与岩心孔隙度基本吻合,验证了ECS测井技术求取地层孔隙度方法的可靠性。对库车前陆盆地深层7口井已知数据的验证,提高了地层孔隙度的解释精度。实践表明,ECS测井技术用于求取塔里木盆地库车深层致密砂岩地层中的储层参数,取得了很好的应用效果。     

Ultra high-speed InP/InGaAs SHBTs with ft and fmax of 185 GHz

An InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistor (SHBT) with high maximum oscillation frequency (f_max) and high cutoff frequency (f_t) is reported. Efforts have been made to maximize f_max and f_t simultaneously including optimizing the epitaxial structure, base–collector mesa over-etching and base surface preparation. The measured f_t and f_max both reached 185 GHz with an emitter size of 1 × 20 μ m², which is the highest f_max for SHBTs in mainland China. The device is suitable for ultra-high speed digital circuits and low power analog applications.