应用背散射电子衍射测定Ni3Al金属间化合物的晶界特征分布

晶粒大小和晶粒取向(材料的织构)对多晶材料的性能有重要影响.除上述组织因素以外,晶界特征分布也是影响材料性能的重要组织参数.所谓晶界特征分布是描述材料中晶界结构类型及各种结构类型晶界出现的频率[1].人们以往对单个晶界的结构和特性有较多的研究,而对多晶材料中晶界特征分布及其材料性能的影响认识不够.原因之一是受晶界特征参数测试手段的限制.近年来,背散射电子衍射技术的商业化,为快捷方便地测定材料的晶界特征分布提供了强有力的实验手段.人们可以通过一定的材料加工工艺来控制材料的晶界特征分布,从而达到改善材料性能的目的.这对于易发生沿晶断裂和破坏的工程材料有重要的现实意义.本文报道应用背散射电子衍射技术对金属间化合物Ni3Al单晶材料经冷轧和再结晶退火处理后晶界特征分布测定的初步结果,并就实验结果和Ni3Al室温沿晶脆断现象进行一些讨论.     

Er3 离子掺杂氧氟碲酸盐玻璃的上转换发光

制备了一种新型的单掺铒氧氟碲酸盐玻璃.研究了该玻璃系统的光谱特性,分析了Er3 离子在玻璃中的上转换机理.在室温下,通过980 nmLD激发,可观察到明亮的绿色上转换荧光.光谱测试结果表明:在近紫外和蓝光波段,存在中心波长为410,452,490 nm的发射峰,分别对应于2H9/2→4I15/2,4F5/2,3/2→4I15/2和4F7/2→4I15/2的跃迁.通过比较980 nm可调谐激光器间接激发和488 nm氙灯直接激发获得各发光能级的荧光寿命,Er3 离子在氧氟碲酸盐玻璃中的红、绿光上转换发光过程主要源于能量转移过程.     

圆形内衬支护结构刚度二维计算对比分析

本文针对圆形深基坑常采用的内衬式围护结构,分别从材料力学基本原理、基于挡土墙与内衬变形协调的位移迭代、有限元数值计算与分析三个方面提出了圆形内衬支护结构刚度的计算方法,并针对具体工程实例,进行了计算分析,得出了可以应用于结构设计的结论。     

数字环境下“电力电子技术”教学方式的改进

本文针对“电力电子技术”课程中电路类型多和波形分析不易的特点，采用Flash动态演示课件，再现电路的动态特性。我们可以借助Matlab仿真软件，使得复杂的电力电子电路系统分析、参数的设计和器件本身性能的观察变得具体而有效。用仿真软件代替部分物理实验，可有效摆脱课堂学时少的制约。     

AL6XN奥氏体钢的时效析出研究

采用电子显微术对AL6XN奥氏体不锈钢在500～750℃经过最长3600 h时效后的析出进行研究。结果显示,试验钢在500～550℃没有析出物产生;在600℃时效后,奥氏体晶界析出碳化物。当温度升高到650～750℃,大量的析出物出现在奥氏体晶界以及晶粒内部,通过选区电子衍射及能谱分析表明AL6XN奥氏体钢的析出物为σ与Laves相的金属间化合物。     

大型铁路客站建设的风险要素与风险管理

新建的铁路客站一般都是大型的铁路客流集散中心,其工程集成了轨道、站房、能源、信号、通信等多种领域的技术,对其进行相关的风险研究也就具有重要意义.通过对铁路客站工程中存在的风险分析和研究,提出了相对应的风险管理手段.     

ε-支持向量回归方法在红外测温标定实验中的应用

为了处理红外测温标定实验所得到的数据和建立温度灰度标定数学模型,介绍了ε-支持向量回归机基本原理及其在红外测温标定实验中的应用.在黑体温度从30～72℃变化过程中,采集22组实验样本,其中17组为训练样本,其余为预测样本.在数据处理时引进ε-支持向量回归机方法,且通过训练样本与预测样本在MATLAB下拟合出模型曲线.与传统的最小二乘法比较,ε-支持向量回归方法具有较高的精度,可以成为一种红外测温标定实验数据处理方法.     

交流调速系统的改进人工免疫控制

为解决交流调速系统中平稳性、快速性和准确性之间的矛盾,借鉴免疫反馈机制,根据免疫系统的实际情况对辅助性细胞TH(t)模型进行修正和对抑制性细胞Tc(t)模型进行简化并引入Sigmoid函数,提出一种改进的人工免疫控制器,并用于交流调速系统的转速调节器.仿真实验结果表明:在相同负载转矩扰动下,改进的人工免疫控制系统的动态速降和恢复时间均小于PID控制系统,明显改善了调速系统的动态性能.     

蒙特卡洛模拟Mg在Ni3Al晶界的偏聚

本文采用蒙特卡洛方法模拟Ｍｇ原子向Ｎｉ３Ａｌ［００１］／∑５（２１０）／３６８７０晶界的偏聚。计算了Ｍｇ原子处在自由表面、晶粒内和晶界中的能量。模拟和计算结果表明，Ｍｇ原子向晶界偏聚降低了晶界能，Ｍｇ原子优先地替代Ａｌ原子，造成晶界中Ｎｉ／Ａｌ原子配比的明显减小。Ｍｇ原子以晶界面为中心，集中分布在晶界层的两侧。     

钴硅化合物的理论电子能量损失谱

本文采用扩展平面波加局域轨道方法和广义梯度近似对钴硅系中Co2Si，CoSi和CoSi：三种不同硅化物的电子结构以及电子能量损失近边结构（ELNEs）进行了理论计算。结果表明计算得到的硅化物中Co的ELNES很好反映了Co在费米能级以上d的未占据态密度分布，其中Co2Si和CoSi2具有金属性质；而CoSi呈现出半金属性质。计算还表明电子能量损失谱仪应具有足够高的能量分辨率（0．2ev），电子能量损失近边结构才能正确反映出钴硅化合物的电子结构特征。