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面向操作工人的机床数控化改造 总被引:2,自引:0,他引:2
通过对我国目前机床数控化发展中存在的问题的分析,提出了面向操作工人的机床数控化改造的建议,并强调了在改造中要注重数控装置的选择和人机界面的设计。 相似文献
12.
根据脱水器压力变化的特点,给出了一种改进的脱水器压力控制方案的设计方法-前馈与反馈相结合的区域控制。试验表明具有较好的控制效果。 相似文献
13.
14.
章针对断块油气田特点,介绍了断块油气田的主要录井方法,重点阐述了录井技术在油气田勘探开发中的重要作用以及存在的问题,对今后录井技术的发展进行了展望。 相似文献
15.
本文就阜新地区水资源量即地下水资源量、地表水资源量、水资源总量、水资源可利用量的评价方法进行了分析和研究,就评价精度进行了分析和评定,对存在问题分析了成因。 相似文献
16.
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选用德国西门子S5-115U可编控制器,对水源工程中滤池反冲洗过程进行控制。本文从控制设备的结构及应用软件设计等方面进行了论述。 相似文献
18.
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响.在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N2O,H2和N2的后退火处理,之后进行高温快速退火,最后制备Al电极4H-SiC MOS电容.I-V和C-V测试结果表明,各样品的氧化层击穿场强均大于9 MV/cm,PH3处理可以降低界面有效负电荷和近界面氧化层陷阱电荷,但PH3处理样品的界面态密度比N2O处理的结果要高.经N2O氛围PECVD后退火样品在距离导带0.2和0.4 eV处的界面态密度分别约为1.7× 1012和4×1011eV-1·cm-2,有望用于SiC MOSFET器件的栅氧处理. 相似文献
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