Sm0.5-x Gdx Sr0.5CoO3-δ阴极材料的制备及其性能表征

采用固相法制备了钙钛矿型氧化物Sm0.5-xCdxSr0.5CoO3-δ(x =0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)粉体.利用XRD分析材料的物相组成,用热膨胀仪测定了材料的热膨胀系数.利用交流阻抗法测试了Sm0.5-xGdxSr0.5CoO3-δ/SDC复合阴极的极化电阻.结果表明,粉体在1200℃热处理6h后形成正交钙钛矿型结构;从室温到800℃范围内,材料的平均热膨胀系数TEC为11.43×10-6℃-1～14.35×10-6℃-1,掺杂Gd3+以后Sm0.5-xGdxSr0.5CoO3-δ样品的热膨胀系数比Sm0.5Sr0.5 CoO3-δ样品的热膨胀系数略有增加.800℃时,复合阴极的极化电阻随x的增大先减小后增大,在x=0.1时,最小为0.05Ω;所有样品的极化电阻随测试温度的升高而降低.     

Ca掺杂LNF阴极材料的制备与电化学性能改善

近年来,LaNi0.6Fe0.4O3-δ阴极材料在金属连接体下具有优异的抗铬毒化性能备受关注,但其电化学性能相对较低。本文通过Ca2+掺杂LaNi0.6Fe0.4O3-δ（LNF）阴极材料改善电化学性能,实验采用甘氨酸燃烧法制备La1-xCaxNi0.6Fe0.4O3-δ（LCNF）阴极材料,Ca2+掺杂量分别为0.05、0.10、0.15、0.20。应用X-Ray衍射表征材料的物相组成,SEM观察阴极材料的微观结构,XPS分析阴极材料表面元素的化学形态,电化学交流阻抗谱技术分析阴极材料的电化学活性。结果表明,LCNF阴极材料随着Ca2+掺杂量的增加,氧还原反应活化能减小,这一现象与DRT（弛豫时间分布）分析结果相吻合。LCNF(x=0.20)阴极材料在750℃具有最小的极化阻抗（0.88Ωcm2）,与LNF阴极材料相比表现出更加优异的氧催化活性,使LCNF阴极材料在IT-SOFC具有更加广阔的应用前景。     

双辊薄带连铸水模实验研究

为优化双辊薄带连铸布流系统的结构,通过水力学模拟研究了双辊溶池内流体的流动,并使用浪高仪对双辊溶池内的液面波动进行了测量。重点分析了不同分配器结构尺寸、不同溶池高度以及流量(拉速)等参数对溶池内液面波动的影响,从而为双辊薄带连铸布流系统的设计提供了依据。     

二维BiOBr/g-C3N4光催化材料的构建及性能研究

高效、稳定光催化材料的开发是光催化技术应用的关键,以尿素、硝酸铋和溴化钾等为原料,通过一步水热法制备了BiOBr/g-C₃N₄(Bix/CN)光催化剂,结合紫外-可见吸收光谱结果计算出BiOBr和g-C₃N₄的导带位置在0.52和-1.1 eV,价带位置在3.38和1.55 eV处,光电催化及荧光测试中Bix/CN表现出较高的光电流和较低的电荷转移电阻,说明复合可有效降低光催化材料中电子-空穴的复合率,其中Bi3/CN在可见光辐射10 min下,对水溶液中罗丹明B的总去除率可达到81.35%,循环使用5次后对RhB的总去除率仅下降了6%。复合材料光催化效率的提高主要依赖于2种二维单体的有效耦合,光电催化和自由基捕获试验结果表明,g-C₃N₄导带上活性物种·O₂^-的有效生成是复合材料光催化性能提高的本质原因。     

水基流延法制备固体氧化物燃料电池工艺的研究

采用粘度测试仪对不同浆料配比影响浆料的流动性进行了研究。结果表明,当溶剂含量在30%~35%时,浆料比较均匀,沉积现象不明显,流延后的浆料厚度比较好控制,并且表面均匀完整;分散剂的含量为1%时,浆料具有较好的流变学性能;当分散剂在p H为8的环境中,达到较好的分散性能,同时浆料的沉降现象不明显;浆料的粘性在混磨24小时左右趋于缓和;当R值(增塑剂与粘结剂质量比)为1时具有较好的流变学性能。从而确定水机流延配方及球磨环境和球磨时间。     

提高冶金工程专业卓越工程师实践能力的探索

冶金工程专业自2012年被批准列入教育部"卓越工程师教育培养计划"以来,针对卓越工程师培养过程中实践能力不足问题,修订了卓越工程师培养方案,对课程进行了优化设置。在教师队伍建设方面,采取"派出去,请进来"的方法,强化新入职教师培训,增强教师队伍的工程教育素质和水平。积极联系相关冶金企业,签订校企合作协议,为提高学生实践能力创造良好的外部条件。这些措施的实施取得了初步成效。     

反相微乳液碳吸附耦合法制备氧化钇稳定四方氧化锆纳米粉体及表征

采用反相微乳液和碳吸附法制备了氧化钇稳定四方氧化锆纳米粉体,探讨了碳黑的加入量对粉体比表面积的影响,得到最佳的碳黑量。分别采用XRD、TEM、BET和TG分析了不同温度下煅烧所得粉体的物相、颗粒度和比表面积以及前驱体热分解特性。实验结果表明,经700℃焙烧后制得了分散性好的四方相ZrO2纳米粉体,比表面积为97.4m2/g,平均粒径为9nm。