非晶硅太阳电池中磁共振的光伏检测(英文)

The detection of magnetic resonance via the photovoltage (PDMR) is a sensitive method for investigating recombination and light-induced meta-stable defects in a-Si:H solar cells. The steady-state PDMR signals are dependent on the light intensity, microwave power and sample temperature. Particularly,the delay time of signal or the phase shift of lock-in amplifier is also dependent on the light intensity and temperature. For a given temperature and microwave power there is an optimum light intensity for the signal noise ratio. According to our results, a brief analysis and discussion are given.     

风光互补发电系统的优化设计(I) CAD设计方法

给出了一整套利用CAD进行风光互补发电系统优化设计的方法。为了精确确定系统每小时的运行状态,采用了更精确地表征组件特性及评估实际获得的风光资源的数学模型。为了寻找出以最小设备投资成本满足用户用电要求的系统配置,首先在风力发电机容量固定不变的前提下,计算了与该容量风力发电机匹配的不同容量的PV方阵和蓄电池所组成的风/光/蓄组合的全年功率供给亏欠率LPSP,根据总的设备投资成本最小化的原则筛选出一组与该容量风力发电机对应的满足用户给定系统供电可靠性即LPSP值的风/光/蓄组合;然后通过改变风力发电机的容量,优选出多个与不同容量风力发电机对应的既能满足用户用电要求同时总的设备购置成本又是最低的风/光/蓄组合,比较它们的成本最终唯一确定出以最小投资成本满足用户用电要求的优化的系统配置。     

风光互补发电系统的优化设计（I）CAD设计方法

给出了一整套利用CAD进行风光互补发电系统优化设计的方法。为了精确确定系统每小时的运行状态,采用了更精确地表征组件特性及评估实际获得的风光资源的数学模型。为了寻找出以最小设备投资成本满足用户用电要求的系统配置,首先在风力发电机容量固定不变的前提下,计算了与该容量风力发电机匹配的不同容量的PV方阵和蓄电池所组成的风／光／蓄组合的全年功率供给亏欠率LPSP,根据总的设备投资成本最小化的原则筛选出一组与该容量风力发电机对应的满足用户给定系统供电可靠性即LPSP值的风／光／蓄组合;然后通过改变风力发电机的容量,优选出多个与不同容量风力发电机对应的既能满足用户用电要求同时总的设备购置成本又是最低的风／光／蓄组合,比较它们的成本最终唯一确定出以最小投资成本满足用户用电要求的优化的系统配置。     

能量转换效率达10.2%的非晶硅单结太阳能电池

本文报道我们在非晶硅单结太阳能电池方面的研究结果。电池采用的结构为Glass/SnO_2/Pin/Ag,其能量转换效率在1cm~2面积上达到10.2％(AM1.5,100mW/cm~2),在0.126cm~2面积上达到11.1％。     

GD a-Si:(Cl,H)薄膜的ESR研究

报道了对a-Si:(Cl,H)与a-Si:H薄膜的ESR比较研究的结果.在a-Si:(Cl,H)中除g=2.005信号外未发现新的自旋信号,说明Cl原子上没有未配对电子;也没有发现在g=2.005附近有超精细结构,峰宽也无显著变化,说明Cl原子不在悬键附近.     

GD a-Si:(Cl,H)薄膜的光学性质

本文报道用分光光度仪对GDa-Si:(Cl,H)薄膜的光学性质进行测量的结果,并采用较严格的两层膜透射公式进行处理.发现掺CI以后,材料的光学能隙(E_o)增大,热学稳定性增加,同Si-CI键有较强的键合能的结果一致.     

非晶硅碳(a-SiC:H)薄膜光学常数的透射谱表征

报道了一种用透射谱数据分析法计算非晶硅碳薄膜的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙等光学常数的方法和程序.这一方法引用有效谐振子模型理论的折射率色散关系,所有公式均为解析表达式,便于进行数据处理,无须专用软件,使用Excel即可完成,适用于多种半导体薄膜材料.将这种方法应用于PECVD方法制备的非晶硅碳(a-SiC∶H)薄膜,对其光学特性进行了分析.     

非晶硅X－射线探测阵列的研究

研制出ａ－Ｓｉ：Ｈｐｉｎ型Ｘ－射线间接探测线阵，它探测的是Ｘ－射线在闪光体（Ｃｓｌ）所激发的荧光，制备出单元面积分别为２．５×２．５ｍｍ２、１．６×１．６ｍｍ２和１００×１００μｍ２的１６、２５、３２０单元的线阵．器件的暗电流达到１e－１２Ａ／ｍｍ２（－１０ｍＶ），光灵敏度～０．３５μＡ／μＷ（６００ｎｍ）．本文报道了Ｘ－射线探测阵列的制备及测试结果．     

非晶硅薄膜瞬态光电导的光致变化

研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况.用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对试验数据进行很好的拟合,而采用两个指数函数相加的形式可以对实验数据进行很好的拟合.这表明非晶硅薄膜长时间的衰退不是由带尾态决定,而是由深的陷阱决定的.两个指数函数的衰退分别对应于距导带0.52eV和0.59eV的两个陷阱,这两个陷阱可以被指认为带隙中的荷负电中心.光照后,带隙中的复合中心增加,导致电子寿命的减少,从而引起光电导的衰退.