十分钟选股标准

在面对上千只股票无从下手的时候,选股有系列标准,这些标准至少为你提供了一个筛选企业的基本策略,而且以这些标准选出来的股票,绝大部分都是质地优异的好公司的股票,甚至可以成为带来数十倍回报的股票.     

反应离子刻蚀工艺用于抑制SOI器件边缘寄生效应的研究

本文较为详细地分析了SOI器件的边缘寄生效应，在这一基础上研究了能够较好地抑制此效应的反应离子刻蚀工艺。应用这种新工艺，已成功地研制出了漏电流仅为3pA的NMOS晶体管。     

CMOS射频集成电路的研究进展

近年来，射频集成电路(RFIC)的应用和研究得到了飞速的发展，CMOS射频IC的研究更是成为该领域的研究重点和热点。文章对CMOS技术在射频和微波领域的应用进行了详细的探讨，着重介绍了当前射频通讯中常用的收发机结构及其存在的问题和解决方案；分析了射频收发机前端关键电路模块低噪声放大器(LNA)、混频器(Mixer)、压控振荡器(VCO)、功率放大器(PA)和射频关键无源元件的最新研究进展；展望了CMOS技术在射频领域的发展前景。     

中、低能离子注入中的剂量效应及模拟方法

在CMOS工艺超浅结形成过程中,中、低能离子注入的剂量效应直接影响杂质浓度的分布和超浅结的形成.文中基于实验数据对剂量效应对注入离子浓度分布曲线的影响进行了分析,这种影响随着注入粒子种类的改变而表现在不同的方面.同时运用分子动力学方法对剂量效应进行了模拟,模拟结果很好地符合了实验数据.     

新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生SOI NMOSFET界面陷阱和界面电荷的研究

报道了用新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱和界面电荷的理论和实验研究.理论分析表明:由于正向栅控二极管界面态R-G电流峰的特征,该峰的幅度正比于热载流子应力诱生的界面陷阱的大小,而该峰的位置的移动正比于热载流子应力诱生的界面电荷密度. 实验结果表明:前沟道的热载流子应力在前栅界面不仅诱生相当数量的界面陷阱,同样产生出很大的界面电荷.对于逐渐上升的累积应力时间,抽取出来的诱生界面陷阱和界面电荷密度呈相近似的幂指数方式增加,指数分别为为0.7 和0.85.     

3.4nm超薄SiO2栅介质的特性

用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为3.4nm的MOS电容样品,通过对样品进行I-V特性和恒流应力下V-t特性的测试,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响.实验结果表明,制备出的3.4nm SiO₂栅介质的平均击穿场强为16.7MV/cm,在恒流应力下发生软击穿,平均击穿电荷为2.7C/cm².栅介质厚度相同的情况下,P⁺栅样品的击穿场强和软击穿电荷都低于N⁺栅样品.     

移动床离子交换器自动控制仪

一、引言通过热载体成分化学监督和控制自动化的途径,可以提高火电厂动力机组在水化学工况方面的运行可靠性。要维持热载体成分在规定的水平,必须保证使受热面上和汽轮机中腐蚀和沉积物的生成减少到最低限度。这就要求给水处理设备的运行水平高,并要求严格保证机组系统中给定的热载体质量。保证应用所需水化学工况的基本因素是汽轮机凝结水的净化质量高——25℃时的电导率为0.1～0.2微姆/厘米,这就对给水设备中的离子交换装置提出了较高的要求。     

由等价掺杂转换理论得到非对称线性缓变P-N结的击穿特性

基于等价掺杂转换理论的应用,得到了解析计算非对称线性缓变P-N结击穿特性.由于非对称线性缓变P-N结是单扩散P-N结的一个恰当近似,因而,研究其击穿特性可以更好地理解和设计功率器件P-N结的终端结构.运用等价掺杂转换方法的基本理论得到了不同扩散掺杂梯度和衬底浓度组合系列的击穿电压.研究了最大耗尽层宽度在扩散侧和衬底侧的扩展,给出了它们随扩散掺杂梯度和衬底浓度组合的变化而出现的不同特点.本方法预言的最大击穿电压较之单纯的突变结和对称线性缓变P-N结更接近文献报道的结果,显示了等价掺杂转换理论的理论计算非对称线性缓变P-N结击穿电压的有效性.     

西部本地化人才培养的内涵及其意义

一、人才培养本地化的内涵。人才培养本地化的概念具有非常丰富的内涵，具有相对性、动态性和开放性。人才培养的本地化实际上是教育的本地化，要建立适合本地发展需要的高素质人才队伍的教育培养体系。人才培养的本地化主要是指教育面向本地经济社会发展，本着为本地经济社会发展服务的目标进行的人才培养活动。