Cu/,Ni/4H-SiC Schottky势垒的退火研究

采用磁控溅射方法分别在n型4H-SiC上沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触,并进行不同温度下的退火,通过I-V和C-V测试,研究不同退火温度对Schottky势垒高度以及理想因子的影响.研究结果表明,对Cu,Ni金属,适当的退火温度能提高其与4H-SiC所形成的Schottky势垒高度,改善理想因子,但若退火温度过高,则会导致接触的整流特性退化.器件在退火前后,反向漏电流都较小.热电子发射是其主要的输运机理.所制备的金属半导体接触界面比较理想,无强烈费米能级钉扎.     

基于直方图均衡及融合的红外图像增强技术

针对红外图像的特点,提出了一种基于直方图变换及图像融合的红外图像增强的新方法.该方法利用平稳小波分解进行噪声抑制,通过自适应直方图均衡提高图像对比度,并利用非线性滤波算法增加新的高频分量,最后进行图像融合以实现图像的增强.该算法克服了传统直方图均衡增强背景而削弱目标以及平台直方图均衡中难以选择平台值的缺点,并大幅度提高了图像的细节.实验结果表明,该算法对红外图像具有很好的增强效果,可以很好地抑制背景,提高目标的对比度,同时使目标的细节更加明显.     

含独立源T-Π形电路等效变换的几个结论

本文讨论了含独立电源T形电路和Π形电路的等效变换,总结了几个相关的结论并给出了证明。这些结论扩展了T形电路和Π形电路等效变换的内容。通过实例说明了这些结论的正确性。本文的分析对电路课程教学具有一定的价值,可供教学参考。     

人工智能技术在军事领域的应用思考

在人工智能技术展现出汹涌澎湃发展趋势的当下,建设以智能技术武装的新型军队,打赢以信息化智能化为特征的新型战争,成为当前世界主要军事强国的优先发展目标。以“意志的屈服”、“不战而屈人之兵”为标志的“制智能权、制意识权”将成为未来军事斗争的最高级、最有效、最具震慑力的军事优势。文中从军事作战特点和人工智能的优势入手,分析军事领域对人工智能的需求。针对感知、指挥、打击、互联的作战链条,提出人工智能技术在军事领域的应用方向,探索如何通过人工智能在军事领域的应用“有效塑造态势、管控危机、遏制战争、打赢战争”。     

微波毫米波信号分析仪幅度测试误差校准技术研究

该文分析了微波毫米波信号分析仪进行幅度校准的必要性,从信号分析仪的基本原理入手,分析了幅度测量误差的来源,介绍了使用内部和外部校准源进行衰减器、频率响应、分辨率带宽等误差进行校准的方法,最后给出了基于该校准方法实现的信号分析仪的技术指标,证明了误差来源分析及校准的有效性。     

关于互易二端口网络互连的讨论

互易电路及二端口电路互连是电路课程教学中的重要内容。本文讨论了互易二端口电路互连后总二端口电路的互易性,给出了一般性结论及证明,即互易二端电路互连后如仍满足端口定义,则互连后的总二端电路仍然是互易的。对于对称二端电路,也有类似的结论。本文的讨论对电路课程的教学具有一定的参考价值。     

一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器的研制

采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的Ⅰ-Ⅴ、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电流密度为5nA/cm2),光电流比暗电流高3个数量级以上.其光谱响应表明,单器件在电压为20V时的响应度约为0.09A/W,比400nm时的比值均大5000倍,说明探测器具有良好的紫外可见比.     

基于动态参数差分进化算法的多约束稀布矩形面阵优化

针对多约束条件下稀布矩形平面阵列天线的优化问题,该文提出一种基于动态参数差分进化(DPDE)算法的方向图综合方法。首先,对差分进化(DE)算法中的缩放因子和交叉概率引入动态变化控制策略,提高搜索效率和搜索精度。其次,改进矩阵映射方法,重新定义映射法则,改善现有方法随机性强和搜索精度低的不足。最后,为检验所提方法的有效性进行仿真实验,实验数据表明,该方法可以提高天线优化性能,有效降低天线的峰值旁瓣电平。

     

保护环版图结构对ESD防护器件耐压能力的影响

基于华润上华0.5 μm双极-CMOS-DMOS (BCD)工艺设计制备了不同保护环分布情况下的叉指型内嵌可控硅整流器的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)结构器件,并利用传输线脉冲(TLP)测试比较静电放电(ESD)防护器件的耐压能力.以LDMOS-SCR结构为基础,按照16指、8指、4指和2指设置保护环,形成4种不同类型的版图结构.通过器件的直流仿真分析多指器件的开启情况,利用传输线脉冲测试对比不同保护环版图结构的耐压能力.仿真和测试结果表明,改进后的3类版图结构相对于普遍通用的第一类版图结构,二次击穿电流都有所提升,其中每8指设置一个保护环的版图结构二次击穿电流提升了76.36％,其单位面积的鲁棒性能也最好,为相应工艺设计最高耐压值的ESD防护器件提供了参考结构和方法.     

含运算放大器的一阶电路时间常数的计算

时间常数是一阶动态电路分析中的一个重要参数。而含运算放大器的一阶电路时间常数的计算又是学习中的难点。本文采用了经典法、外加电源计算和电路等效三种求解手段讨论含运算放大器的一阶电路时间常数的计算。并针对含运算放大器的一阶电路的三种基本情况,详细介绍了零电流支路开路和等电位点之间短路这两种电路等效手段的应用,展示了电路等效变换在求解此类问题时的便捷之处。