4H-SiC埋沟MOSFET的研制

研制了4H-SiC热氧化生长氧化层埋沟nMOSFET.用室温下N离子注入的方法形成埋沟区和源漏区,然后在1600℃进行激活退火.离子注入所得到的埋沟区深度大约为0.2μm.从转移特性提取出来的峰值场效应迁移率约为18.1cm2/(V·s).造成低场效应迁移率的主要因素可能是粗糙的器件表面(器件表面布满密密麻麻的小坑).3μm和5μm器件的阈值电压分别为1.73V和1.72V.3μm器件饱和跨导约为102μS( V G=20V, V D=10V).     

某移动通信设备结构设计

1概述该移动通信设备是在原有超短波电台的基础上进行改进和小型化的超短波电台,在结构方面主要从缩小体积、减轻重量、改善加工难度着手。分析参考国内外同类电台,对电台进行总体规划,确定其结构形式,并对电台进行外观造型、电磁兼容、散热、冲击振动、三防、环境密封、安全及可靠性、制造工艺等综合设计。     

上海新亚药业有限公司循环冷却水系统节能项目案例

本文介绍了利用“能源合同管理”的节能项目——上海新亚制药有限公司循环冷却系统节能改造项目的实施及节能效果。     

基于行车风压的谐振腔式压电俘能器研究

针对汽车行驶过程中车载传感器需要持续稳定的供能需求,设计一种以谐振腔结构为主体,扰流圆柱与亥姆霍兹谐振腔为辅助的压电俘能器。为研究俘能器的发电性能,设计其最佳结构,建立流固电耦合仿真模型。仿真时,根据实际风压分布,将风压载荷分区加载到压电发电模块。仿真分析结果表明,基板与压电陶瓷的厚度比对压电悬臂梁的输出电压和固有频率有影响,最佳厚度比为1.25;基板与主腔体间间隙、扰流圆柱直径、亥姆霍兹谐振腔皆存在最佳尺寸参数使压电俘能器发电性能达到最佳;负载电阻在400～600 kΩ内时,可获得最佳的输出功率;风速为15 m/s时,最大输出功率为37.3 mW。     

个性化设计将成为中国手机发展的主导趋势

当今,手机的个性化是其发展的主导趋势.人们大都追求手机的外观时尚,功能多样,一部手机集时尚、情感、娱乐和实用于一体.手机从单纯通话功能,演进到可以拍照、录影、录音、具有PDA和MP3功能的智能手机,现在也进一步发展到多媒体影音手机,可以下载各种DVD档案观赏、MP3音乐,内建多款Java游戏,再搭配3D立体声喇叭,震撼效果强烈,就像一台掌上影音播放器一样.用户可以根据自己的特殊需要进行个性化的手机定制.     

基于ANN的声目标识别系统及其DSP实时实现

介绍了一种基于人工神经网络(ANN)的声目标识别系统,概述了用MATLAB专用工具箱对神经网络权值进行训练及仿真的过程,叙述了ANN目标识别系统的数字信号处理器(DSP)实时实现过程,并着重分析定点实现过程中程序变量的定标、非线性运算的实现、溢出的处理等关键步骤.对不同字长的识别结果进行比较表明,基于定点实时实现的系统数据保持很高的精度,可以得到与浮点处理相同的识别率.     

面向WLAN的MPC852T嵌入式系统设计

MPC852T是Motorola新近推出的MPC866/MPC859T家族中面向低端的一款通信处理器.嵌入式Linux由于其费用低廉及开放源码而具有广阔的发展前景.文中在分析了MPC852T通信处理器和嵌入式Linux操作系统的基础上,将二者结合给出了一种嵌入式硬件系统的设计与实现,以及该硬件系统在无线局域网WLAN中的一种应用.实践证明,该硬件系统具有性能稳定、廉价、可扩展性强、适用面广等优点.     

基于HSP50214B的256QAM信号的下变频实现

本文介绍了可编程数字下变频器件HSP50214B的内部结构和功能模块,并结合一种实际信号的下变频要求,介绍了器件与应用相关的输出方式、控制端口,并详细说明功能模块的参数设计。最后,通过VHDL硬件描述语言编程,利用可编程逻辑器件CPLD完成对HSP50214B的设计的实现。通过一个完整的软件无线电系统中下变频HSPS0214B的设计过程,介绍了HSP50214B的一般应用方法。     

总线监视器的设计

随着集成电路设计规模的不断增加，传统的验证方法学由于无法提供足够的能力来检查系统所有可能功能的正确性，已经不能满足SoC验证的需求。验证重用方法学是解决这一问题的有效途径。在SoC的验证过程中．利用总线监视器对片上总线上发生的事务进行实时监视，并将监视结果以机器可读的格式显示出来，从而可以帮助验证工程师有效地判断数据传输的正确性，达到验证单个模块和系统功能的目的。本文提出了一种SoC功能。验证平台中总线监视器的设计方法，并给出了具体的实现过程。     

后处理工艺对PCT薄膜形貌与结构的影响

采用射频磁控溅射技术,利用快速退火工艺制备出了大面积(φ120 mm)表面光滑、连续、均匀的(Pb,Ca)TiO3(PCT)薄膜。原子力显微镜和X射线衍射分析结果表明,快速退火处理工艺较常规退火处理工艺具有晶化温度低、晶化时间短、薄膜结晶性能好、易与微电子工艺兼容等优点。经500～550快速退火处理后,PCT薄膜已完全形成钙钛矿结构,最佳晶化温度约为550。