硅基铁电薄膜的电性能研究

以 Sol- Gel方法制备了有 Pb Ti O3 (PT)过渡层的硅基 Pb(Zr0 .53 Ti0 .47) O3 (PZT)铁电薄膜 ,底电极分别为低阻硅和硅衬底上溅射的金属钛铂。测试了铁电薄膜的电性能 ,比较了两种衬底电极对铁电薄膜性能的影响及各自的优势     

浅议解决超概算顽症的对策

超概算是上前基建战线普遍存在的问题,它严重地影响基本建设的正常进行。要解决超概算问题,必须转变观念;在概算编制要打足投资,不留缺口,并留有适当的余地;在工程设计中实行限额设计;在建设过程中加强管理,严格控制造价。     

转子过负荷保护中转化系数选取问题研究

针对目前转子过负荷保护中励磁变的交流侧电流与直流侧电流转化系统电流多取0.816系数的问题,应用整流器变流过程中交直流侧的基波电流转化关系,推导出转化系数与触发角、换相角的函数关系式,计算出不同工况下交直流侧电流转化系数。根据仿真和理论计算结果,得出交直流侧电流转化关系应为0.78左右,该研究成果为转子过负荷保护参数整定提供较好的参数依据,有利于维护保护动作的准确性和设备安全。     

循环流化床锅炉高温旋风分离器性能的模化

本文提出了循环流化床锅炉高温旋风分离器性能的实用模化方法。并针对具体对象的要求进行了模化试验,其结果为该循环流化床锅炉高温旋风分离器设计,提供了依据。     

掺杂InGaAs／InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究

利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs／InAlAs单量子阱中二维电子气，发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置，得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV。此外，通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系。     

战斧巡航导弹用作遥控飞行器

叙述了战斧巡航导弹用作遥控飞行器情况：战斧ＲＰＶ的发射，回收和再次飞行准备。介绍了战斧ＲＰＶ可完成的电子战，侦察和投放子弹药任务。     

生产测井流体参数换算

生产测井解释、油藏动态分析以及开发地质研究经常使用以实验数据作出的实验相关曲线去估算储层流体参数。这类换算图版都有各自的使用范围,受到一定的限制。本文旨在考察这些相关曲线的意义、来源和适用性,分析建立以相关特性为基础的解析关系式,并编制出流体参数换算程序,以便准确地使用这些相关曲线。用小型计算机或微处理机能快速简便地求出井内任意条件下的流体参数值。文中还对有关参数换算关系的可靠性进行了检验,结果表明具有较高的计算精度。     

低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究

在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器芯片。利用弱磁场下的退火工艺,改变薄膜易磁化轴的方向,当退火温度为150℃、外加磁场为120Oe时,GMR芯片的矫顽力可以降至0.2Oe以下。同时建立了一种自旋阀自由层的单畴模型,用以解释这一退火效应。利用Mat-lab计算GMR芯片的Meff-H曲线,所得到的计算结果与实验结果一致。所以,自旋阀自由层易磁化轴的方向与GMR磁传感器的性能有着密切的关系。