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11.
设计了一种S波段圆波导缝隙全向天线,该天线是在圆波导柱面上开凿一定数量的纵列缝,组成缝隙阵列。经过仿真优化设计和测试,天线在360°方位面范围内幅度起伏小,具有很好的全向特性,目前天线已成功地应用到了雷达产品中。 相似文献
13.
有线电视网络建设是网络今后运营和发展的基础.网络公司的工程建设日常工作比较繁杂,有立项、设计、施工、验收、决算、审计、结算、财产移交和资料归档等程序.而这些程序都需建立监督制约机制。如何能更规范地做好有线电视网络工程的施工,控制施工质量管理,提高效率,是做好网络运营管理的目标所在。 相似文献
14.
移动回传网络IP化的背景 在电信业务和网络IP化转型的大趋势下,移动运营商的IP化进程也在逐步加速.在电信转型所涉及的众多领域里,移动承载网络的IP化是非常重要的内容之一. 相似文献
15.
Based on the density functional theory with hybrid functional approach,we calculated the structural,electronic,and the optical properties of Cu2MgSn(S1-xSex)4(CMTSSe),an potential photovoltaic material for thin film solar cells.The calculation reveals a phase transition from kesterite to stannite structure when Zn atoms are substituted by Mg atoms.In particular,the S-to-Se ratio can determine the energy splitting between the electronic states at the top of the valence band.The band gaps of CMTSSe can be tuned in the ranges of 1.01-1.58 eV.Calculated optical properties and tunable band gaps make them beneficial for achieving band-gap-graded solar cells. 相似文献
16.
分析了杭锦旗区块造斜段、水平段的泥岩掉块坍塌和钻头泥包的原因,提出了针对性的技术对策。在保证钾铵基钻井液体系中KCl含量的基础上,通过引入强抑制剂聚醚胺基烷基糖苷,较好地解决了石千峰、石盒子组地层的坍塌掉块和钻头泥包难题。产品在现场应用中表现出了配伍性好、抑制防塌效果突出、固相清洁能力强等优点,应用井段平均井径扩大率为5.14%,产品有效降低了井下复杂时间,缩短了钻井周期,提高了开采效率。 相似文献
17.
18.
采用疲劳裂纹预制机对含I型缺口的TC4合金试件预制裂纹,通过数字图像相关方法观测试件在三点弯曲加载条件下裂纹的扩展过程及裂尖区域的位移场,将位移场数据带入裂尖位移场方程,计算裂尖位置和应力强度因子。结果表明,采用该方法可以准确测定钛合金的I型裂纹应力强度因子、裂尖位置及裂纹扩展长度。该方法解决了以往研究中因不能准确测定裂纹尖端位置,而无法准确测定钛合金I型裂纹应力强度因子的难题 相似文献
19.
业务发展推动移动承载网络的全面IP化 总被引:1,自引:0,他引:1
随着即将到来的中国3G网络的大规模部署,移动数据业务的发展将步人更加精彩纷呈的时期。2G时代的移动业务主要以话音为主,到了3G时代将呈现话音和数据业务并重的态势,而到了后3G时代,将是移动宽带时代。在移动网络的演进中,IP将从边缘走向中心,为包括话音在内的所有业务提供融合的基础。与移动业务网络的IP化相应,移动承载网络也将逐步从核心到接入实现端到端的全IP化。 相似文献
20.
Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) absorbers were deposited on borosilicate glass substrate using the low-temperature process, and different Na incorporation methods were applied to investigate the effects of Na on the CZTSe growth. Na was diffused into some of the absorbers after growth, which led to strongly improved device performance compared with Na-free cells. With the post-deposition treatment, the effect of Na on CZTSe growth was excluded, and most of Na was expected to reside at grain boundaries. The conversion efficiency of the completed device was improved due to the enhancement of open circuit voltage and fill factor. The efficiency of 2.85% was achieved at substrate temperature as low as 420 oC. 相似文献