薄煤层超大伸缩比强力液压支架设计

针对凉水井煤矿4~(-3)薄煤层赋存条件,综合分析伸缩比、运输、通风和板材等条件,确定了适应4~(-3)薄煤层开采的合理架型、中心距和高度,基于矿压显现特点确定合理支护强度,通过对ZY9000/09/16D梁端距等运动参数动态分析,完成了薄煤层超大伸缩比强力液压支架设计。     

坚硬薄煤层智能化开采成套关键技术及装备研究

坚硬薄煤层的绿色、安全、高效开采是世界性难题,以陕北侏罗纪煤田坚硬薄煤层为研究对象,深入分析了薄煤层开采难题,确定合理配套原则,研发了基于半悬式机身+悬截割电机的大功率、矮机身强力采煤机,优化设计了薄顶梁、高工阻、高可靠性液压支架和矮槽帮刮板输送机成套装备,通过智能联动集控与网络通信系统等成套关键技术及装备实现了最低采高1.1m薄煤层年产1Mt。     

基于计算运动学的掩护式液压支架运动特性研究

液压支架是煤矿长壁综采工作面的关键装备,其结构设计的合理性直接影响着自身的可靠性及对围岩的适应能力,是实现支架-围岩理想耦合状态的关键。传统的液压支架结构设计主要采用解析法和图解法,利用结构的几何拓扑关系进行求解,对于复杂结构求解难度大。采用计算运动学的方法,利用结构间的约束关系,通过局部坐标向全局坐标转换建立掩护式液压支架的运动学方程,调用Matlab软件已有的库函数进行非线性方程组的求解,建模速度快、求解效率高,该方法可方便地用于支架的支护质量监测、智能控制系统等方面。     

渤海能克钻杆有限公司正式投产

由中国石油物资装备总公司、华北石油管理局、日本钢管株式会社（NKK）、丸红株式会社、三菱商事株式会社合资组建的渤海能克钻杆有限公司，已于1997年3月15日试生产出第一根合格钻杆，并于近期通过美国石油学会API认证。该公司主要产品为石油钻杆，设计能力为年产石油钻杆1．8万t。6月10日，该公司在总部河北省青县华北油田一机厂举行了开业典礼。渤海能克钻杆有限公司正式投产@张金虎$番禺珠江钢管有限公司     

浅析建筑电气工程监理质量问题及其防治措施

主要以现代建筑体系中的电气工程施工监理问题作为切入视角,探讨了现代建筑电气工程的质量管理与相关质量控制措施,以期实现建筑电气工程施工的高效管理。     

我国焊管形势分析及应对策略

分析了我国目前焊管工业面临的严峻形势，并对所采取的应对策略进行了探讨。     

固相萃取-气相色谱-质谱联用法检测进出口蔬菜产品中百菌清残留

建立了固相萃取-气相色谱-质谱法检测蔬菜中百菌清残留的分析方法。样品用乙腈-水-磷酸混合液提取,经液液分配、Florisil/Na2SO4柱净化后过滤膜上机。采用选择离子扫描方式,外标法定量。通过优化前处理和上机条件,在最优条件下进行测试,实验结果百菌清的定量检出限为0.001mg/kg,在加标水平0.005～0.1mg/kg范围内,回收率为78.65%～90.67%,相对标准偏差为3.5%～5.8%。该方法简便、快速、净化效果理想,能满足残留分析的要求,可用于进出口蔬菜中百菌清残留的检测。     

固相萃取-GC-MS 测定水产品中禾草丹和呋喃硫威残留量

建立固相萃取-GC-MS 测定水产品中禾草丹、呋喃硫威残留量的分析方法。样品经乙腈均质提取,LCFlorisil(0.5g,6ml)+C18 填料(0.5g )+ 无水硫酸钠(0.5g)固相萃取柱净化,采用GC-MS 全扫描与标准谱库的谱图比较定性,选择离子(SIM)模式定量。两种农药的峰面积与其质量浓度有着良好的线性关系,相关系数为0.997～1.000,最低检测限为0.01mg/kg(S/N>10),样品回收率为82%～110%,RSD 为3.74%～8.18%。该方法操作简便快速、重现性好、净化效果好且成本低,并可以达到日本肯定列表中对两种农药的检测底限,满足进出口要求。     

一种计及MOV动作特性的串联补偿线路故障位置识别方法

串联补偿设备中的串联电容通常采用金属氧化物变阻器(metal oxide varistor,MOV)作为其主保护。MOV具有典型的非线性特征,故障后其会对串联补偿设备等值阻抗产生较大的影响。而传统基于模型参数的故障位置识别方法均未考虑故障后MOV动作特性对串联补偿设备等值阻抗的影响。根据Goldsworthy大量实验测试结论,提出了一种新的、基于模型参数的串联补偿线路故障位置识别方法。该方法从原理上计及了故障过程中MOV的动作特性对串联补偿线路阻抗的影响;而在实现过程中其又无需知道串联补偿装置的相关参数和具体工作状态,而仅通过采样值的数字运算就能得到准确的故障位置识别结果。与传统算法相比,该方法在整个故障过程中均能得到稳定的判断结果。通过EMTDC/PSCAD和MATLAB软件仿真计算验证了该方法的准确性和有效性。     

晶体Si能带的密度泛函及第一性原理计算

针对晶体Si在二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路中的应用与其能带结构密切相关的问题,采用密度泛函理论及第一性原理的赝势平面波方法,从理论上计算了晶体Si的电子能带.计算结果表明：Si的晶格常数为0.540nm,与实验参考值相吻合;其价带宽度为11.80eV,导带宽度为9.58eV,该结果与其他学者用OPW方法所计算的结果相符合;价带与导带之间的禁带宽度为0.80eV,进一步说明了Si是良好的半导体材料.