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191.
PVLAN( Private VLAN)是交换机的一个重要特性.在大型生活区宽带接入网络中,网管通过配置具有PVLAN特性的交换机,可以在对用户进行二层报文隔离的同时,达到节约VLAN ID、IP地址等资源,大幅降低网络建设维护费用.本文就PVLAN技术的产生背景,在网络方案设计的应用进行了具体阐述. 相似文献
192.
运用密度泛函(DFT)理论,在B3LYP/6—31G*水平下,系统研究了2-膦酸基丁烷-1,2,4-三羧酸(PBTCA)、1,2,2-三膦酸基丁烷-4-羧酸(TPBCA)、3,3-二膦酸基戊烷-1,5-二羧酸(DPPDCA)这3种羧酸膦酸型阻垢缓蚀剂的分子结构与阻垢缓蚀性能之间的构效关系。结果表明,3种膦酸分子中的羧基和膦酸基中氧原子的负电荷较多,氧原子与垢晶体中的钙离子产生静电,这些氧原子对间距与方解石晶体生长面上的钙离子对间距匹配,产生晶格畸变,阻止垢体生长。计算得到3种分子的缓蚀能力为PBTCA>DPPDCA>TPBCA,并且得到羧基中的O原子、膦酸基中的O原子对缓蚀能力贡献较大。 相似文献
193.
提出场引晶体管双极理论.替代已55年久,1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性--两条电子和两条空穴表面沟道,同时并存.理算晶体管输出特性和转移特性,包括实用硅基及栅氧化层厚度.理算比较最近报道实验,利用硅FinFET,含(金属/硅)和(p/n)结,源和漏接触.实验支持双极理论.建议采用单管,实现CMOS倒相电路和SRAM存储电路. 相似文献
194.
本文描述双极场引晶体管(BiFET)飘移扩散理论,包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅(MOS)栅.把两维晶体管分解成两个一维晶体管,以表面势为参变量,得到解析方程.提供实用硅基和氧化层厚度范围内,随直流电压变化,输出和转移电流和电导总量和飘移扩散分量.显著部分的飘移电流来自横向电场平方的纵向梯度. 相似文献
196.
197.
半支烟 《计算机光盘软件与应用》2013,(11):50
<正>最近各地运营商宽带提速的报道很多,8兆,32兆甚至已经在提百兆接入。但是问题也出来了:一方面是成本问题:宽带提速不提价,在宽带中国战略国家扶持政策和财税支持落实之前,光纤到户改造的成本,已经让运营商背上了沉重的包袱。已经很难继续承担这种改造成本。另一方面是用户反馈:作为这种"提速不提价"的雷锋行为,本来期望应该得到宽带用户的一片好评,但事实上得到更 相似文献
198.
199.
200.
衡水橡胶股份有限公司ISO9002标准质量体系,已通过中国方圆标准认证委员会认证,获得认证证书。该公司是国内较早生产公路、铁路桥梁工程橡胶制品的专业生产厂家。十几年来,该公司开发IO余种桥梁工程橡胶制品新产品,其中2项达到国际同类产品先进水平,5项属国内首创或领先水平,获国家专利13项。通过ISOgOOZ质量体系认证,标志着该公司质量管理达到一定水平,产品取得走向国际市场的“通行证”。1999年,该公司完成工业总产值1.O7亿元,利税总额1848.2万元,实现利润1121万元,在河北省橡胶行业中名列前茅。衡水公司通过ISO 9002… 相似文献