放电激励产生单重态氧的实验研究

对射频放电产生单重态氧进行了实验研究,在不同掺杂物种、不同电极间距、不同稀释配比的情况下,研究了单重态氧相对产率的变化规律,分析了单位氧流量注入能量对单重态氧产率和电效率的影响。实验表明,NO和Hg蒸气的加入,使放电产生单重态氧的相对产率都有显著的提高。随着电极间距的缩小,可以实现高气压工作,放电总压可以达到22.6 kPa,氧气分压超过了4.0 kPa,产率方面也有大幅度提高。单位氧流量注入能量在150~400 J/mmol时,单重态氧产率比较高;电效率较高的区域对应的单位氧流量注入能量在150 J/mmol左右。     

关于煤尘云爆炸下限的研究(之二)——灰分的影响及下限浓度的简易计算法

<正>1.序言 在有关煤尘云爆炸的研究中,最多的是对爆炸下限浓度的研究,这一事实说明在防止煤尘爆炸措施上作为基础资料的爆炸下限浓度的重要性。然而,在有关爆炸下限的研究中,理论研究与实验研究相比是极少的。这说明在很大程度上尚未充分查明煤尘粒子的着火、燃烧过程等的基本现象。近年来,仍在对这些基本现象加以阐明。例如,已经查明在一定条件下,当煤尘粒子在其周围形成火焰开始燃烧之前,存在着没有火焰反应的即所谓的固-气相反应阶段等。作者根据这些成果,制作了固-气相反应着火、气-气相燃烧模型,并进行了模拟计算,这在前     

NCl(α)/I全气相碘激光与氧碘化学激光能量提取的分析比较

利用连续流光腔动力学模型,对氧碘化学激光(COIL)和基于NCl(α)-I传能的全气相碘激光(AGIL)的能量提取进行了分析和公式推导,得到了连续流光腔的光子通量解析表达式以及氧碘化学激光光子通量沿流动方向的分布和输出功率的简化计算公式.AGIL的体系较为复杂,不能得到光子通量沿流动方向分布和输出功率的简化计算公式.从能量提取和体积重量效率角度,对氧碘化学激光和基于NCl(α)-I传能的全气相碘激光进行了对比评价.     

0.13 μm CMOS超宽带低噪声放大器的设计

本文应用Cadence Virtuoso软件平台设计了一个电阻并联交流反馈式共源共栅超宽带低噪声放大器,并采用中芯国际0.13μm CMOS工艺实现了样片。测试结果给出,在供电电压为1.5V,功耗为22.5mW的情况下,芯片最大增益为13.6dB,最小噪声系数为3.6dB,带内噪声系数小于6dB,输入三阶互调截点(IIP3)为-3dBm。测试结果与仿真结果非常接近。     

半导体专家谈半导体技术发展的现状、特点与机遇

1引言围绕着半导体芯片的制造、设计、封装、测试以及相关支撑作用的材料设备等方面的技术是信息产业的基础——半导体技术。自从1965年GordonMoore提出著名的“摩尔定律”以来,世界半导体产业的发展一直遵循着这条规律,规律预示着半导体技术领域充满剧烈的竞争与拼杀。最近Moore本人指出至少在近十年内还不会违背此规律。在硅技术领域:不断缩小芯片特征尺寸及不断扩大晶圆尺寸的两大需求,如同哪吒的两个风火轮带动着半导体技术迅猛发展。目前主流加工技术是8英寸硅片,0.25微米线宽。12英寸硅片0.18微米已经批量生产。据国际权威机构预测,…