国内外处理硫化氢的研究现状

硫化氢腐蚀问题在石油、天然气等工业中广泛存在。硫化氢的存在不仅使油气井的输气管线、油套等地方发生严重的腐蚀,从而造成严重的污染和巨大的经济损失;甚至还可能由于硫化氢的泄露等事故造成人员伤亡。因此研究硫化氢如何处理,无论是对提高经济效益还是防止事故发生都有着十分重要的意义。文章研究和总结国内外对硫化氢处理方法上的研究现状,当前国内外处理硫化氢的方法主要可分为物理法、生物法、化学法。     

宁东油田水质化验方法研究

介绍了二次采油对注水水质的基本要求,以宁东油田水样为研究对象,开展了水质控制指标的室内试验。对水样的粒径中值、悬浮物、平均腐蚀率、细菌含量进行了测定,形成了油田水质化验方法,并结合试验结果对宁东油田水质的改善提出建议。     

大牛地含硫气田腐蚀机理研究

针对大牛地含硫气田,通过室内评价实验分析其腐蚀机理,对下一步提出适合大牛地气田的防腐措施,确保气田长期、高效地开发和生产意义重大。     

漳州某商业综合体节能关键技术研究

近年来,商业综合体在中国发展迅猛,其在各类商业建筑中单位面积能耗最高,是建筑节能的重点之一。以位于福建漳州某商业综合体项目为例,对其节能关键技术进行了研究。结果表明:建筑围护结构和空调系统的节能设计是降低夏热冬暖地区商业综合体建筑能耗的关键;变频节能技术应用和自动控制策略优化是实现中央空调系统节能运行的关键措施。研究成果为我国夏热冬暖地区商业综合体的节能设计提供了依据。     

基于MSP430的点光源跟踪系统的设计

系统是以TI公司的超低功耗MCU MSP430为核心,利用光敏二极管排列成矩阵对摄像头采集点光源在液晶屏所成的像进行采样,经过单片机运算后适时的调整和控制步进电机来实现工作台X/Y方向移动,以达到精确定位的目的.经过实际的参数的测试和分析,验证了系统的可行性和有效性.     

CA和CTA膜分离MeOH/MTBE混合物渗透汽化性能研究

分别研究了甲醇(MeOH)和甲基叔丁基醚(MTBE)纯纽分在二醋酸纤维素(CA)和三醋酸纤维素(CTA)膜内的吸着性能、扩散系数及渗透通量.结果表明,活度在0.2～1.0范围内,MeOH在CA和CTA膜内的平衡吸着质量分数分别为0.018～0.172和0.032～0.175,远大于MTBE,而组分在2种膜中的溶解度无明显差别,2种组分在CTA膜中的扩散系数和渗透通量均大于CA膜.考察了进料温度在25℃、32℃和40℃下,料液中MeOH质量分数为5%～35%时,MeOH/MTBE混合物在CA膜中的渗透通量和分离系数,结果表明,随着进料温度和料液中MeOH浓度的升高,通量增加,分离系数减小.     

利用直接接触换热强化聚光光伏电池的热量散失

提出了一种将太阳电池直接浸没到绝缘液体中,利用直接接触换热实现电池高效冷却的方式。设计了小型实验装置,在辐照度约为50,70 kW/m2的条件下,研究了硅光电池组件的液浸散热特性。液浸方式下电池组件表面的对流传热系数为900 W/(m2.K),表面散热量为43.3 kW/m2,组件温度低于50℃,表明液浸散热方式可实现聚光条件下太阳电池的高效使用。液浸聚光条件下,组件开路电压随温度升高约呈线性下降,短路电流随光强增加而增加,实验后,组件开路电压没有明显变化,但短路电流产生了永久性衰减,主要为普通晶硅电池在高倍聚光条件下的使用问题。     

湿式催化氧化法处理含酚清洗废水的研究

针对化工集装罐清洗废水中含酚废水浓度大的特点,采用湿式催化氧化法进行了较深入的研究。对硝酸铜-AC制备CuO/AC催化剂过程中的浸渍液浓度、焙烧温度、焙烧时间等影响因素进行探讨;用该催化剂催化氧化降解模拟苯酚废水,对反应温度、氧化剂投加量、催化剂投加量、反应时间等工艺参数进行优化,确定最佳反应条件并进行了应用研究。研究结果表明,硝酸铜-AC制备CuO/AC催化剂的最佳条件为:硝酸铜质量分数为3%,浸渍温度为30℃,浸渍时间为6 h,焙烧温度为300℃,焙烧时间为3 h。湿式催化氧化法处理苯酚废水的最佳工艺条件为:反应温度为170℃,反应时间为1 h,催化剂投加质量浓度为2 g/L,氧化剂H2O2按m(H2O2)∶m(COD)=3投加,含酚清洗废水的COD去除率达到95%以上,处理效果显著。     

空心圆柱体铸钢淬火过程的模拟分析

以GCr15钢为研究对象,建立了力学性能和热性能计算模型,分析了淬火过程中马氏体转变及应力分布。结果表明:在淬火过程中,GCr15钢空心圆柱铸件心部应力和内外表面应力多次发生反向,最终变为组织应力型的应力分布。     

碲锌镉晶体化学机械抛光液的研究

本文以硅溶胶为磨料颗粒、次氯酸钠(NaClO)为氧化剂制备适用于CZT晶片的化学机械抛光液.采用XPS能谱分析CZT表面元素化学态,研究CZT化学机械抛光过程中抛光液的化学作用机理,使用激光干涉仪、原子力显微镜研究抛光液中NaClO含量对晶片抛光速率、晶片表面PV值及表面粗糙度Ra的影响.结果表明,硅溶胶-次氯酸钠抛光液通过与CZT晶体中Te单质或CdTe发生化学反应,生成TeO2.随后在一定压力下,抛光盘与CZT晶片发生相对运动,并在硅溶胶磨料颗粒的辅助作用下去除反应物.当NaClO含量在2％～10％时,随着NaClO含量的增加,晶片表面PV值和粗糙度Ra值先降低后升高,去除速率则随着NaClO含量的增加而增加.NaClO含量为6％时,PV值和Ra值最低,得到的晶片表面质量最好.