鄂坪水电站长期优化调度研究

针对鄂坪水电站的长期优化调度问题,建立了考虑保证出力发电量最大和不考虑保证出力发电量最大两种求解模型,用动态规划法进行了计算,并对两种模型下的发电量、水位过程和出力过程进行了比较分析.     

15CrMoG钢包晶凝固特征与机制

采用超高温激光共聚焦扫描显微镜对15CrMoG钢包晶凝固过程进行了原位动态观察。发现冷却速率为5和15℃/min时,δ相以胞状方式析出;而当冷却速率增加至100℃/min时,δ相以枝晶方式析出。通过包晶相形核热力学分析表明,初始δ相凝固过程中L/δ界面处浓度梯度的存在增加包晶γ相Gibbs自由能成核势垒。随着冷却速率的增加,穿过L/δ界面浓度梯度变陡,导致包晶相γ形核所需过冷度增加,进而降低了包晶反应温度和提高了包晶反应速率。另外,冷却速率的增加导致包晶转变(δ→γ)模式发生改变,冷却速率为5℃/min时,δ→γ转化界面呈现溶质扩散控制的平面形态;冷却速率为15℃/min时,δ→γ转化界面呈现溶质扩散控制的胞状形态;而冷却速率为100℃/min时,出现界面过程控制的δ→γ块状转变。基于不同包晶转变δ→γ模式体积收缩的差异,讨论了亚包晶钢连铸调控机理。     

电厂机械传动部件故障诊断研究

机械设备的动力传递要靠传动部件实现，传动部件的状态直接影响了整机的功能!典型的传动部件：滚动轴承和齿轮装置旋转机械是设备状态监测与故障诊断工作的重点，而旋转机械的故障有相当大比例与滚动轴承有关。滚动轴承是机器的易损件之一，据不完全统计，旋转机械的故障约有30％是因滚动轴承引起的。滚动轴承的原因分析与故障诊断显得尤为重要。     

磨盘山水库原水典型水质参数变化趋势

对磨盘山水库5个采样点进行了典型水质参数相关性分析，结果表明：该水库水质常年达到GB3838—2002中Ⅰ类水体指标的项目为103项，介于Ⅰ类和Ⅱ类水体指标的项目为4项，超过Ⅱ类水体指标的项目为总氮和高锰酸盐指数2项；同时发现库区水中高锰酸钾指数与总氮变化趋势并不一致，总氮6月份达到最大值，而高锰酸钾指数缓慢增加，到9月份达到最大值，含量变化具有明显的滞后性。     

试卷整体难度控制的平衡策略组卷算法

叙述了试卷难度的一种评估指标体系,讨论了几种组卷算法,提出了一种基于平衡策略的试题库组卷算法,该算法以题型、掌握要求等为约束条件对试题库进行小集合划分,根据试卷的整体难度给出各种题型难度系数的平衡点,并调整各类题型的难度系数向对应的平衡点逼近,以达到对试卷整体难度的控制,通过程序验证,该算法以较高的组卷效率实现了对试卷难度的控制.     

欠平衡钻井技术综述

对欠平衡钻井的概念、优缺点、适用的地层、需要的设备、应考虑的因素、应用现状与前景等进行了综合论述,并对在我国开展欠平衡钻井工作提出了几方面的建议。     

铁碳合金薄带气- 固反应脱碳动力学分析

为了研究铁碳合金薄带固相脱碳反应的动力学。试验以Ar- H2- H2O为脱碳气氛,在可控气氛管式炉内对Fe- C合金薄带进行脱碳。把铁碳合金薄带放入加热场中加热到1020、1080和1140℃,并分别保温脱碳0、10、30、50、60、70、80和90min。结果表明,碳向反应界面的扩散是脱碳反应的限制性环节,脱碳温度的升高和脱碳保温时间的延长均有利于提高脱碳量,而且提高反应温度有助于提高脱碳反应速率。铁碳合金薄带固态脱碳反应近似为一级反应,脱碳反应表观活化能为144.9 kJ/mol。     

购物中心的发展与管理浅谈

随着消费者收入的增长和生活方式的改变,时间似乎变得越来越少.人们将更多的时间花在了工作和高速公路上(在北京和许多国际化大城市,很多人花费了近2小时或者更多的时间在每天往返工作的途中),因此,这使得他们的"自由"时间或陪伴家人的时间变的越来越少.     

薄带厚度对Fe-C合金气-固脱碳反应的影响

为了研究薄带厚度对Fe-C合金薄带气-固脱碳反应的影响,实验采用初始碳质量分数为4.20%,厚度分别为0.6、1.0、1.5和2.0mm的Fe-C合金薄带作为原料,在Ar-H2-H2O弱氧化气氛条件下进行气-固脱碳反应。结果表明,不同厚度薄带的脱碳速率均随着脱碳时间的延长而降低,薄带越薄脱碳速率越快,碳在薄带内部向反应界面的扩散是整个脱碳反应的限制性环节;通过对实验数据的拟合得到脱碳时间、薄带厚度和脱碳量三者的经验公式,同时对脱碳规律进行了数学的描述,得出不同厚度薄带的脱碳反应均近似于一级反应。提出了可明显改善脱碳效果的分段加热脱碳法,采用该种方法,厚度为1.5mm的薄带在50min内其碳的质量分数可由初始的4.20%脱除到0.39%。     

芯片制程中金属互连工艺及其相关理论研究进展

随着芯片制程中互连线尺寸的不断减小,集成电路技术已经从以晶体管为中心的时代发展到以互连为中心的时代.传统的互连金属——铝、铜,在互连线性能和可靠性方面渐渐无法满足人们的需求.钴在微纳尺度下因具有更好的电性能,有可能取代铜而成为新的互连线金属,现已受到广泛关注.首先对芯片金属互连技术的历史和发展进行了综述,分别介绍了铝互连、铜互连的优点、存在的缺陷与改进方法,并对新一代钴互连技术进行了介绍,同时对潜在的互连材料,如钌、金、纳米碳材料等进行了总结.之后论述了超填充铜和超填充钴的相关机理,如铜的扩散-吸附整平机理、曲率增强加速剂覆盖机制(CEAC)以及钴的氢诱导失活机制、电压性依赖抑制机制、S型负微分电阻机制(S-NDR)、差动电流效率填充机制等.最后对铜超填充和钴超填充过程中的形核和生长过程的研究现状进行了分析,对不同镀液体系、基底材料、电镀工艺等对铜和钴的形核和生长的影响进行了归纳总结,以期对未来钴互连的研究提供帮助.