用于聚焦型场发射阵列的Ni-SiO2透明电阻薄膜

为用自对准技术制作聚焦型发射阵列（ＦＦＥＡ）的聚焦极，要求ＦＦＦＡ的电阻层能通过光刻用近紫外光。为此提出用共溅射法制作Ｎｉ－ＳｉＯ２金属陶瓷电阻层。研究结果表明，当适当调整Ｎｉ和ＳｉＯ２成份比例，可得到既能满足方阻要求又不妨碍光刻的电阻层。同时对此电阻层的电镜微观形貌，能谱成分分析，方阻及透光率进行了讨论，最后，给出一个利用此电阻层制作场发射聚焦电极的实例。     

由离子注入引起的CuxS薄膜的状态变化

讨论了ＣｕｘＳ薄膜注入氮离子对薄膜特性的影响。铜硫化合物薄膜经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现,氮离子束注入引起了ＣｕｘＳ薄膜中铜与硫成分的改变,明显观察到样品的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大。透射光谱分析对比证实确有新的ＣｕｘＳ状态出现。     

政府上网工程中的数据挖掘

我国政府上网工程已经初见成效,但其中海量的信息资源却未能被充分利用。使用网络数据挖掘技术这一有力工具,可解决这一问题,进而产生更大的社会和经济效益。另外,还结合我国现状,总结了对数据挖掘影响较大的几种因素及其相关对策。     

平板显示技术的发展种种

人类社会的信息化对显示技术提出了越来越高的要求，既要显示的多样化，又要实现图像画面的高保真度，从微型显示直至超大屏幕技术都成了社会的需求。随着我国数字电视即将开播，我们感到一股ＨＤＴＶ及其显示器热正迎面而来。图１ＰＡＬＣ原理结构图作为独立的显示器件，...     

创新发展中的清华大学物理电子与光电子学科

本文回顾了建系五十年来，清华大学电子工程系的物理电子与光电子科学的发展，以及在这个学科中的一些研究成果。本文指出，在过去的五十年中，物理电子与光电子学科的发展是与它对信息、材料、环境等科学技术领域的重要贡献密切相关的。最后本文综合了清华大学物理电子与光电子学的未来发展的方向和规划。     

场发射显示器件阴极研究进展

介绍了场发射显示器件的基本结构和工作原理,分析了传统微尖型阴极发射阵列存在的问题,在此基础上介绍了平面型阴极的组成和工作方式以及目前MISM结构平面阴极的研究进展.     

西班牙阳光之旅(上)

2008年6月10～14日,我们一行参加了在德国慕尼黑举行的"太阳能利用工业论坛暨intersolar2008展览会".展会面积很大,内容十分丰富.6月16日我们从慕尼黑飞往西班牙马德里,开始了我们的"阳光之旅"--考察西班牙太阳能发电技术,同时领略西班牙风情文化.     

FED的光刻技术

通过数值计算分析了 FED接触光刻的中衍射效应 ,并在现有的条件下实现了一种简单而实用的大面积一微米直径微孔的接触光刻方法。     

用于平面显示的MISM结构阴极

讨论了平面型场致热化电子发射阴极,对玻璃衬底/Mo/Ta2O5/ZnS/Au结构的平面型场致热化电子发射阴极的制备及其发射性能进行了论述,讨论了在不同工艺参数下器件的发射情况。实验表明,通过优化溅射时间参数和工艺手段制成的阴极对发射电流的大小有很大影响。通过对这些工艺参数的调整,得到了最高发射比(Ia/Ig)为4.5×10-4,向该阴极实用化迈进了一步。     

啤酒花的分析方法

本文介绍了日本啤酒行业中普遍使用的酒花分析检测方法,供国内同仁参考。1.α-酸、β-酸(分光光度计法)1.1 要点:用分光光度法测定酒花中α-酸、β-酸的含量。1.2 适用范围:酒花、粉末酒花和颗粒酒花。1.3 原理:将酒花的苯或甲苯抽提液用碱性甲