光电双向负阻晶体管的研制及特性分析

首次对双向负阻晶体管(BNRT)进行了光敏化,设计并研制出既有光敏特性又有“S”型负阻特性的一种新型光电开关器件——光电双向负阻晶体管(PBNRT)。介绍了器件的设计和研制过程;测量分析了其J—V特性与光强和栅极电压的关系;测量了光电开关的时间常数并进行了分析讨论。     

达林顿硅光电晶体管的光放大特性

通过提高达林顿硅光电晶体管的光电灵敏度,并用１２Ｖ,０．２５Ａ的小灯泡作为输出发光元件,在２６．５μＷ的红光照射下,器件可输出光电流１００ｍＡ以上,输出光功率为２０００μＷ。     

与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计

用器件模拟的方法,设计了一种与常规CMOS 工艺兼容的硅高速光电探测器,该探测器可与CMOS接收机电路单片集成,对该探测器进行了器件模拟研究,给出了该探测器的电路模型.通过MOSIS(MOS implementation support project) 0.35μm COMS工艺制做了该探测器,实际测试了该器件的频率响应和波长响应,探测器频率响应在1GHz以上,峰值波长响应在0.69μm.     

棉纤维色泽特征与成熟度的关系

通过试验并运用数理统计分析方法，探讨了棉纤维的色泽特征与成熟度之间的关系。     

兖矿集团南屯煤矿实施厚薄配采的探索与实践

系统介绍了南屯煤矿大力开发薄煤层资源,实施厚薄煤层配采,延长矿井服务年限的探索与实践。     

一种新型结构的光电负阻器件

提出了一种新型结构的硅光电负阻器件--光电双耦合区晶体管(photoelectric dual coupled area transistor,PDUCAT),它是由一个P+N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型.     

光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析

考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特性，设计和制造了在光强度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ，     

SCR器件在CMOS静电保护电路中的应用

静电放电(ESD)对CMOS电路的可靠性构成了很大威胁。随着CMOS电路集成度的不断提高，其对ESD保护的要求也更加严格。针对近年来SCR器件更加广泛地被采用到CMOS静电保护电路中的情况，文章总结了SCR保护电路发展过程中各种电路的工作机理。旨在为集成电路设计人员提供ESD保护方面的设计思路以及努力方向。     

钻孔灌注桩后压浆提高承载力的机理及计算

钻孔灌注桩承载力取决于桩体几何尺寸，侧阻力及端阻力，分析了影响钻孔灌注桩承载力充分发挥的因素：沉渣，泥皮厚度及孔壁形状等。说明了后压浆技术在钻孔灌注桩施工中提高单桩承载力的机理，并引入侧阻力影响系数及端阻力影响系数，提出了后压浆钻孔灌注桩单桩承载力的计算方法。     

合理平衡采掘关系 提高回采巷道利用率

如何将断层对回采的影响降到最低限度 ,提高巷道的利用率 ,成为济宁二号煤矿确定巷道掘进方案的一大课题。通过几年的实践 ,总结出了一系列过断层的方案 ,达到了充分利用巷道、降低成本、提高回采率、降低回采过断层难度的目的