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81.
非油炸红薯脆片生产工艺研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以红薯为主要原料,辅以面粉、淀粉、油等配料,制作出风味、品质俱佳的红薯脆片。探讨了红薯的含水量、不同的原料配比、脆片厚度、焙烤温度等工艺参数对产品品质的影响,为红薯休闲产品的开发和生产提供参考。   相似文献   
82.
利用超高效液相色谱-四极杆飞行时间质谱技术建立了生鲜牛乳中48种兽药残留的快速筛查方法.采用含0.2%甲酸的乙腈溶液作溶剂,Oasis PRIME HLB固相萃取载体作吸附剂,实现牛乳样品中48种目标物的同时提取和有效净化.目标药物经ACQUITY UPLC HSS T3 (21 mm×50 mm,1.8μm)色谱柱分...  相似文献   
83.
GC-MSD法测定纺织品中含氯苯酚残留量   总被引:3,自引:1,他引:3  
王明泰  牟峻  靳颖  吴剑  李爱军  韩大川 《印染》2007,33(5):31-34
采用气相色谱-质谱联用法(GC-MSD),测定及确证纺织品中含氯苯酚残留量。用碳酸钾溶液提取试样,提取液经乙酸酐乙酰化后以正己烷提取,用配有质量选择检测器的气相色谱仪,采用选择离子检测进行确证,外标法定量。五氯苯酚和四氯苯酚添加水平在0.05~2.00mg/kg时,该方法平均回收率为88.8%~97.3%,精密度为2.41%~6.74%,方法测定低限为0.05mg/kg,各项指标均满足有关要求。  相似文献   
84.
研究了浓度、剪切速率、剪切时间、静置时间、温度、金属离子等对大豆皮胶态微晶纤维素溶液粘度的影响。结果表明:大豆皮胶态MCC在水中可形成凝胶,低浓度的凝胶(小于2%)具有触变性;大豆皮胶态MCC溶液具有典型的剪切稀变性、良好的时变性和热稳定性;二价金属离子会使大豆皮胶态MCC溶液的粘度显著下降,当其浓度达到0.15mol/L或以上时,其假塑性会降低。   相似文献   
85.
曲柄式渐开线行星齿轮传动的优化设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文以传动体积最小为目标,对曲柄式渐开线行星齿轮传动的传动比做最优化分配;以该传动中少齿差内齿轮副的啮合效率最高为目标,对内齿轮副的几何参数进行优化设计。  相似文献   
86.
挤压参数对玉米-小麦混合粉挤压特性的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
以玉米-小麦混合粉为原料,用正交设计方法进行挤压试验,研究了两种配比的混合物料在挤压过程中的挤压特性。单指标评价表明,对产品容重影响的顺序是:水分含量、物料配比、加热温度和螺杆转速及模口形状;进一步用主成分分析方法对指标向量进行综合评价发现,影响顺序为:加热温度、水分含量、模口形状、螺杆转速及物料配比。用主成分分析的方法得到较好的试验条件为:温度160℃、水分含量20%、圆形模口、螺杆转速245r/min及物料配比1:1。  相似文献   
87.
由于遗传欺骗问题:遗传算法在进化过程中有时会产生一些超常的个体,这些个体因竞争力太突出而控制了选择运算过程,从而影响算法的全局优化性能,导致算法获得某个局部最优解。鉴于此现提出改进遗传算子的一种方法:基于最佳个体保存的轮盘赌选择算子,并通过实例验证了该方法优越的收敛性能。  相似文献   
88.
提供了2种测定及确证纺织品及其材料中12种拟除虫菊酯残留量的方法,即用配有电子俘获检测器的气相色谱仪(GC—ECD)测定,或用气相色谱-质谱(GC-MS)测定,可供具备不同条件的实验室参考使用。试样经丙酮-正己烷(1+4)超声波提取,提取液浓缩定容后,用上述2种方法进行检测。方法的回收率、精密度、测定低限等各项技术指标均能满足检测需要。  相似文献   
89.
为了解决当前图像水印技术难以抵御几何失真,使其鲁棒性较低与误检率较高的问题,提出了几何校正与非下采样Shearlet变换的图像水印算法.首先,引入Cat映射,对水印信息图像进行置乱;随后,借助非下采样Shearlet变换机制,对载体图像进行处理,获取低通子带和高通子带,并将低通子带分割为尺寸相同的小块;通过修改低通子带的Shearlet系数,建立水印嵌入机制,将水印信息植入到载体图像中,获取水印密文;构建几何失真图像训练样本,基于极谐变换,计算水印图像的极谐变换系数模,充分描述其鲁棒特征;基于模糊支持向量机,预测几何失真参数,对水印图像进行几何校正;最后,再次利用非下采样Shearlet变换处理校正水印图像,获取低通子带小块,设计水印提取方法,复原其水印信息.实验结果显示:与当前图像水印算法相比,所提算法具有更高的不可感知能力与鲁棒性,对于各种几何攻击,所提取技术的复原水印与初始水印的相关系数均要高于0.95.  相似文献   
90.
朱界  张方舟  谢有菊  贾林涛  王梦千  李爱军 《材料导报》2021,35(23):23025-23032,23039
钛硅碳(Ti3 SiC2,TSC)是一种兼具金属材料和陶瓷材料优异性能的新型三元化合物MAX相.Ti3 SiC2作为高导电功能涂层具有很大的应用潜力,近年来受到越来越多的关注.Ti3 SiC2涂层的制备技术在不断改革优化,主要有五种常见制备工艺,分别是化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)、固相反应合成法(Solid-state reaction)、气溶胶沉积法(ADM)和热喷涂法(Thermal spraying).Ti3 SiC2涂层的性能在很大程度上与其纯度相关,通常制得的Ti3 SiC2涂层均含有一定程度的杂质,这是制约其广泛应用的一个重要因素.Ti3 SiC2涂层中经常出现的杂质主要是TiC、Ti5 Si3、SiC、TiSi2等,不同的制备方法产生的杂质种类也不一样.为了提高Ti3 SiC2涂层的纯度,需要对其制备工艺进行探索和优化.目前,反应化学气相沉积(RCVD)实现了通过消耗碳化硅(SiC)子层在石墨基底上生长纯Ti3 SiC2涂层.近年来利用ADM也实现了在室温下合成纯Ti3SiC2涂层,这一技术降低了常规Ti3SiC2涂层的合成温度.此外,PVD法不仅为低温制备Ti3SiC2涂层提供了可能性,还实现了Ti-Si-C复合涂层的工业化生产.本文综述了Ti3 SiC2涂层的研究现状,分析了Ti3 SiC2涂层独特的晶体结构及优异性能,介绍了近年来几种常见的Ti3 SiC2涂层制备技术,并指出了目前合成纯Ti3 SiC2涂层所面临的巨大挑战.  相似文献   
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