ZnSe光学薄膜对GaAs表面特性的影响

GaAs基半导体激光器芯片在空气中解理后,解理腔面会被空气氧化形成腔面缺陷,在腔面形成的缺陷严重影响了器件的寿命.用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面,研究了不同的光学薄膜对GaAs表面特性的影响.研究结果表明暴露在大气中的GaAs表面会形成Ga2O3、As2O3和As2O5缺陷.在表面镀含氧光学膜的GaAs表面上会形成少量Ga2O3缺陷,不形成As2O3和As2O5缺陷,在表面镀ZnSe光学薄膜的GaAs表面没有形成Ga2O3缺陷,也没有形成As2O3和As2O5缺陷.在GaAs表面上蒸镀ZnSe光学薄膜能有效地抑制GaAs表面缺陷的形成,提高半导体激光器的寿命.     

玻璃粉对混凝土性能的影响

为降低玻璃对环境的危害以及水泥生成过程中产生的能耗,文中通过测试玻璃粉对工作性能以及耐久性能的影响,并运用XRD、SEM、MIP等微观分析方法探究机理,研究发现玻璃粉部分替代水泥有助于改善混凝土的工作性,但由于玻璃粉的替代,导致水化的胶凝材料的减少,孔隙率增加.随着龄期的增加,玻璃粉的火山灰反应有利于降低有害空隙,在适...     

浙江沿海地区台风灾害风险区域划分研究

浙江是我国重要沿海省份,为减少台风灾害引起的损失,对电力系统的风险区域划分尤为重要。首先从登陆点分布、路径特征、时间特征、风速特征及降水特征等方面,利用历史数据总结分析浙江沿海地区台风气象特征。其次,对浙江电力系统进行台风灾害特征分析,得到输电系统故障点分布、变电系统与台风登陆点距离关系、配电系统停电用户占比分布等。最后,采用浙江台风气象及电力系统历史数据绘制台风灾害风险区域图,特别是对倒塔高风险区、风偏高风险区及地质灾害高风险区进行了详细划分。分析结果可为各级电网应对台风灾害的风险评估与处置提供支持。     

自适应平台直方图高动态范围红外图像显示方法

针对不同场景高动态范围红外图像的自适应显示方法问题,提出了一种基于图像分割的自适应平台直方图显示方法,首先进行图像分割,再根据分割结果讨论平台阈值的选取,并分析了平台阈值的选取依据。试验结果表明本文方法对不同场景均获得了良好显示效果,具备实用性。     

数学模型在机、电上的应用

本文采用机理分析和量纲分析的方法,建立了机械零件及整个系统的传递函数的数学模型和有功功率负荷在已运行机组间的最优分配模型等。从而探讨在机械和电学方面建立初等模型和优化模型的基本方法。     

基于离子检测的矿泉水识别电路设计

为定性区分不同品牌矿泉水,设计检测电路.不同品牌矿泉水中的各种离子含量和pH值不同,通过检测离子含量和pH值的方法来定性识别矿泉水.利用离子传感器阵列定性检测矿泉水离子的含量并以电压信号输出.整个信号检测电路分为恒电位电路、电流/电压(I/V)转换电路和差动放大电路等部分,最后的输出电压反映了离子含量和pH值的大小.借助TINA仿真软件,很好地解决了设计电路中运算放大器的选型问题,并保证了系统的总体性能.在仿真的基础上进行了实验验证,实验结果表明:该设计电路能有效区分不同矿泉水,具有实际意义.     

基于模拟试验的高压电缆状态仿真平台功能分析

针对高压电缆缺陷状态开展模拟试验研究,设计搭建了高压电缆状态仿真平台。该仿真平台由升压单元、电缆模型单元、升流单元和控制测量单元组成,集成了局部放电、温度、接地电流等在线监测装置,可模拟制作各类主绝缘、半导电、接地系统及绝缘件缺陷。针对仿真平台各组成部分功能,通过精度校验和试验校核,分析验证其试验、检测能力,确保试验结果的准确性和精确性。分析结果表明,该仿真平台具备模拟高压电缆各类绝缘缺陷并进行检测分析、状态评估的能力。     

一起500 kV线路复合绝缘子发热缺陷分析

复合绝缘子发热缺陷会对输电线路的安全稳定运行构成严重威胁。针对一起500 k V线路复合绝缘子发热事件，对该线路两种型号的发热绝缘子进行了外观检查、红外检测、解剖检查、憎水性试验、渗透性试验、水扩散试验、密封性试验，分析了复合绝缘子发热的缺陷及发热原因。结果表明：两种型号发热绝缘子均存在芯棒-护套粘接不良缺陷，同时水扩散泄漏电流幅值超过标准值，该缺陷是导致绝缘子芯棒酥朽并发热的原因。针对该缺陷提出了运行维护建议。     

热交联三苯胺类空穴传输材料的合成、性能及在OLED中的应用

本文首先对热交联三苯胺类空穴传输材料的合成进行分析,并对热交联三苯胺类空穴传输材料的性能进行探析,并对其在OLED中的应用进行探讨。     

基于不同晶粒尺寸的PVDZnSe红外光学材料制备工艺研究

ZnSe以其优异的光学性能与机械性能，一直是光学零件的首选材料之一。光学窗口、光学透镜等光学零件的制作成本很大程度上取决于光学材料的可加工性，加工成本占制作总成本的50%以上。从微观结构上来看，光学晶体材料的可加工性又与晶粒尺寸相关。文中采用物理气相沉积（PVD）法制备了PVDZnSe红外光学材料，并从沉积温度与原料性能两个方面研究了PVDZnSe制备工艺对其晶粒尺寸和可加工性的影响。研究表明:在920、960、1 000 ℃三个温度条件下，随着沉积温度升高，PVDZnSe材料晶粒呈现增加的趋势，其尺寸范围分别为20~180 μm、300~2000 μm和1 200~2 800 μm。在相同工艺参数条件下，选用粒径分别为2~10 μm、10~20 μm和300~2 000 μm的三种ZnSe原料制备PVDZnSe。随着原料ZnSe晶粒尺寸的增加，所得PVDZnSe的晶粒尺寸显著增大。结果表明，随着晶粒尺寸增加，脆性指数也相应增加，即PVDZnSe可加工性能在逐渐变差。研究还发现，在一定的晶粒尺寸范围内，材料的透过率差别不大，在2~14 μm波长范围内，PVDZnSe材料的平均透过率均能达到70%以上。该研究为PVDZnSe材料在光学零件领域的应用提供了实践经验和有力的技术支撑。