包裹法引入添加剂对Al2O3陶瓷烧结性能和微观结构的影响

介绍了用非均相沉淀法制备添加剂包裹两种粒度的A2O3复合粉体，研究了用包裹法引入TiO2、MnO2、Y2O3复合添加剂对A2O3陶瓷的密度、微观形貌和力学性能的影响。实验结果显示：经1550℃煅烧后，引入复合添加剂的纳米Al2O3陶瓷的相对密度达到99％，硬度值与未引入添加荆的纳米单相Al2O3陶瓷相比提高了18％；微米Al2O3陶瓷引入添加剂之后相对密度和硬度值也分别有很大提高。SEM的显微结构表明，添加剂的使用有利于晶粒的发育和排除气孔，提高材料的致密性。     

冶金炉渣制备微晶玻璃的研究与进展

综述了利用冶金炉渣制备微晶玻璃的方法；介绍了更为简便的粉末成型直接烧结法的最新进展；综述了基础玻璃的组成、热处理制度对炉渣微晶玻璃性能的影响；展望了炉渣微晶玻璃的发展前景。     

地下金属管线管径的探测

用现有的一台电磁感应式地下金属管线探测仪在现场进行人工数据采样,然后拟合出一个地下金属单管线二次场分布的经验公式,再用该分布函数曲线半宽度参数,伴以地下全属管线埋深的探测,便可探测出管径值,探测误差约为实际管径的10％。     

钇钡铜氧在气体纯化和空分方面应用初探

采用自制的钇钡铜氧 (YBa2 Cu3 O7- x)样品和动态吸附实验装置研究了该材料在气体纯化和空分方面应用的可能性及条件。实验表明 ,该材料对氧有强烈的选择吸附性 ,并且可以再生 ,可以把 YBCO做为除氧分子筛。     

水热法制备稳定氧化锆纳米粉体

目的制备分散性好、粒径分布窄的稳定氧化锆纳米粉体。方法采用水热法制备氧化锆纳米粉体,考察水热时间、p H值、温度和有机添加剂丙三醇,对氧化锆粉体颗粒粒径、结晶度及稳定性的影响。通过XRD和SEM分析技术对不同条件下制备的样品进行表征。结果结晶度随着水热反应温度的升高而提高,形核速率在250℃时快速增加,粒径在150~250℃出现先长大后减小的规律。反应溶液的p H值影响样品的结晶度,通过调节溶液p H值可以减小粉体颗粒之间的团聚,改善粉体的分散性。水热反应进程越充分,样品的平均粒径越大。加丙三醇后,在反应条件为200℃、p H=10、t=12 h时制备钇掺杂量3%的氧化锆粉体,于1000℃煅烧12 h,得到分散性好、粒径分布窄的单立方相纳米氧化锆粉体颗粒。结论通过设定水热法反应温度、p H值、时间,可以制备粒径可控的稳定氧化锆纳米粉体,且钇掺杂可有效提高氧化锆的稳定性。加入丙三醇可以有效地改善粉体的分散性和稳定性,煅烧稳定氧化锆纳米粉体可以有效减小粉体粒径分布和提高粉体的结晶度。     

大型合成氨装置负荷控制系统的改进

分析了合成氨装置原负荷控制系统的不足之处。针对原系统的缺点,对负荷控制系统进行了改进设计,将原负荷控制中的主要控制对象——水气比控制和氢氮比控制分别控制合并,同时将原手动氢氮比控制改进为自动控制,实现了负荷控制的高度自动化。     

大型合成氨装置原料气压缩机的控制方案

1简介我公司化肥厂合成氨一期装置原料气压缩机是德国Atlas制造的1台离心式压缩机,共2段5级。压缩机工艺流程如图1。原料气来源于乙炔尾气,即天然气经不完全氧化生产乙炔后所产生的尾气,其成分主要为H2(60%)、CO(28%)、CO2(3%)、CH4(5%)以及少量的N2、O2、C2H2和Ar等。正     

Al2O3/Fe纳米复合粉体的制备及其陶瓷的性能研究

以纳米α-Al2O3和Fe(NO3)3·9H2O为原料,采用非均相沉淀法制备了Fe包裹Al2O3的纳米复合粉体.经XRD、SEM分析发现:复合粉体前驱体经500 ℃焙烧,在H2中700 ℃还原可以得到纳米Fe包裹Al2O3的纳米复合粉体.粉体分散良好,Al2O3表面的纳米Fe粒子呈非连续状态,颗粒为球形,尺寸为30 nm左右,分布均匀.将复合粉体在热压下(30 MPa)烧结获得Al2O3/Fe复合陶瓷,当加入5mol%Fe时,陶瓷的热压烧结温度比单相Al2O3陶瓷降低将近100 ℃.含量为10mol%Fe的陶瓷样品在1500 ℃热压烧结后,断裂韧性可达到5.62 MPa,与相同条件下烧结的单相Al2O3陶瓷(KIc=3.57 MPa)相比提高了近57%.     

金刚石化学镀镍的研究

目的增强金刚石与基体的结合强度。方法采用"除油—粗化—敏化活化—解胶"的方法对金刚石进行预处理,通过化学镀镍方法对金刚石进行表面改性,结合扫描电子显微镜及X射线能谱仪研究不同参数对化学镀镍层的影响。结果在粒度为10μm左右的金刚石表面镀覆致密镍层的最佳工艺参数为:Ni SO4·6H2O(主盐)25 g/L,次亚磷酸钠30 g/L,乳酸15 g/L,乙酸钠15 g/L,稳定剂20 mg/L,光亮剂1 g/L,p H=5.5,温度85℃。结论次亚磷酸钠含量、硫脲含量、p H值、温度对镀覆时间、金刚石增重比及镀层形貌有影响,以最佳工艺参数获得的金刚石镍镀层包覆完整均匀,质量较好。     

在GaAs衬底上液相外延生长层质量的研究

本文初步研究了在(100)n—GaAs衬底上液相外延生长GaAs外延层厚度与生长Ga溶液厚度、生长时间、初始过冷度、降温速率的关系,以及影响外延层厚度均匀性的因素。实验指出了在GaAs上液相外延生长Ga_(1-x)Al_xAs层,随着Al含量X值的增加在室温下用X射线单晶衍射仪测得的GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs系统的晶格失配增加,但是异质结界面附近的失配位错非常小,几乎与X值无关;而在GaAs上生长Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)P_y外延层,可得到室温下晶格失配非常小的GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)P_y系统,但是异质结界面附近的失配位错却非常大,在室温下异质结界面是不匹配的。用熔融KOH腐蚀外延层中位错发现,一部分位错是由衬底位错引入的,而大部分位错是在外延过程中引入的。在现有条件下,可以生长出几平方毫米面积较大区域的无位错外延表面,但大部分最终表面层位错密度比衬底位错高几倍或十几倍。