聚合物溶液的弹性对残余油滴变形的影响

针对亲油岩石水驱后残余油膜的存在形式及聚合物溶液的粘弹特性,选取上随体Maxwell本构方程。使用计算流体软件Polyflow对模型进行数值分析,分析聚合物溶液弹性对残余油滴的变形影响。     

2500吨多层热压机机架形状优化设计

本文运用连续体形状优化的数值解化,对2500吨多层热压机机架在满足强度、几何形状等约束条件下,以追求机架材料最省为目标函数进行了几何形状优化设计,优化效果显著,与原设计相比可节省材料58.54%,并经光弹试验验证。     

带有非应变盖层的应变外延层的稳定性

本文利用连续介质模型讨论了有盖层的应变外延层的稳定性．针对目前的单扭结和双扭结模型中净作用力和净应力相互独立、不能统一的缺点,本文提出了一种混合扭结模型,即在盖层小于某值时,应变外延层中的应变由在上下界面的位错对和处于下界面上的单位错共同释放．从我们的公式出发,也可以导出单扭结和双扭结模型的净作用力和净应力的公式,从而使单双扭结模型统一起来．而且我们的公式可以用于描述盖层为任意厚度时的状况,这对于描述外延层的生长过程中的应力应变变化都有重要的意义．本文还从此模型出发计算了盖层为任意厚度时应变层的临界厚度     

K-H-V型空间球面圆锥外摆针轮传动的力学分析

K－H－V型球面圆锥外摆针轮传动是一种新型的空间行星传动机构,它具有许多独特的优点.介绍了这种机构的传动原理,在此基础上,提出该机构的基于多点啮合的载荷分配方法及该机构的力学分析过程．从而使复杂繁琐的计算得到简化,并且完全满足工程计算的精度要求．     

1.25Gb/s InP基多量子阱激光器与HBT驱动电路的单片集成

描述了一种基于InP材料沿[011]晶向湿法化学腐蚀形成平滑侧壁实现的InP基多量子阱激光器和异质结双极晶体管驱动电路单片集成.通过一个横向缓冲台面结构,降低了激光器阳极和晶体管集电极互连工艺的难度,改善了光发射单片光电集成电路的可制造性.采用该方法制作的光发射单片直流功耗为120mW,在码长223-1传输速率1.5Gb/s伪随机码信号调制下有清晰的眼图,光输出功率为2dBm.     

粘弹性流体在微孔道中流动的受力分析

针对亲油岩石水驱后残余油膜的存在形式及聚合物溶液的粘弹特性,选取粘弹性流体中的上随体Maxwell本构方程并使用计算流体软件Polyflow对模型进行数值分析。对比研究了在不同的松弛时间,不同的孔道宽度下,聚合物溶液作用于残余油膜上的应力T11的变化趋势,并且将水与聚合物溶液的驱替结果进行了比较。结果表明:随着聚合物溶液弹性的增强,对油膜的作用力T11就越强;孔道宽度与油膜高度越接近,对油膜的作用力就越强;聚合物溶液对油膜的作用力较水溶液强。     

水平井蒸汽驱井底压降数值计算

在蒸汽驱油过程中提高注汽速度,井口和井底管柱压力将大幅度上升,影响驱油效果。利用数值模拟方法研究了水平井蒸汽驱中注汽速度和蒸汽持液率、水平井小孔数量和孔径对井口和井底管柱压力的影响。计算结果表明,蒸汽注入量越大,井口和井底管柱压力越大;管壁上孔径越大,小孔数量越多,井口和井底管柱压力越小;注入蒸汽持液率越高,井口和井底管柱压力越大。适当减小注蒸汽速度和持液率,增加小孔数量和内径,能有效地减小井口和井底管柱压力。     

GaN薄膜低温外延的ECR-PAMOCVD技术

给出了用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学汽相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）技术和在低温（≤６００℃）、极低气压（≤１Ｐａ）下生长ＧａＮ外延膜的装置、工艺及实验结果。并与以往的ＧａＮ外延技术进行了比较，说明了这种新的低温外延技术的独特优点。     

O2气流量对MOCVD法生长ZnO薄膜性质的影响

采用低压MOCVD方法,在(0001)Al2O3衬底上沉积了ZnO薄膜.研究了Ⅵ族源O2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.增加O2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高宽从0.20°展宽至0.30°,由单一c轴取向变成无取向薄膜.同时,生成的柱状晶粒平均尺寸减少,晶粒更加均匀,均方根粗糙度减小.PL谱分析表明随O2气流量加大,带边峰明显增强,深能级峰明显减弱,ZnO薄膜光学质量提高.这些事实说明在本实验条件下,采用低压MOCVD方法生长的ZnO薄膜在光致发光特性主要依赖于Zn、O组份配比,而不是薄膜的微观结构质量.     

LP—MOCVD制作InCaAs／InP PIN发电二极管

采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为Φ７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８－１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ。在没有增透膜时，对１．３μｍ注放光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０－１．７０μｍ。