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为了加深对反向开关晶体管(RSD)器件原理的认识,本文基于半导体物理基本方程,在二维元胞单元上利用有限差分的方法建立了RSD器件的数值模型。模型考虑了载流子间散射、SRH和俄歇复合、碰撞电离等物理效应。采用实验电路提取的参数建立了RSD谐振预充触发电路的外电路模型。联合器件模型方程组和谐振触发外电路模型方程,利用Matlab语言采用Runge-Kutta和牛顿迭代的方法求解并获得了器件瞬态载流子分布和电压电流波形。本文在对比实验结果的基础上,解释并说明了模型的有效性和误差的产生原因。基于载流子和电流分布变化数据,详细分析了RSD预充过程。发现了预充过程中存在的强烈俄歇复合现象和电流抽取现象将导致预充电流注入的等离子体大量减少,因此不宜直接采用电流时间积分值计算预充电荷总量。 相似文献
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133.
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荔枝果汁饮料碳酸化处理的工艺参数优化 总被引:1,自引:0,他引:1
采用Box-Behnken试验设计,对果汁糖浆用量比例(20%-40%,V/V)、碳酸化时间(5-15min)及碳酸化压力(0.5-0.23MPa)三个因素对含汽荔枝果汁饮料的感官属性指标进行响应面分析,并建立相应的二次多项式响应曲面模型。结果表明,样品的甜度巧、酸度Y2、刹口感Y3、风味Y4以及总体接受度b的响应曲面模型的决定系数彤分别为0.970、0.855、0.977、0.949和0.899,较好地拟合了碳酸化处理参数对感官属性指标的响应值。利用期望函数途径对响应曲面模型Y1~Y5进行模拟计算,获得碳酸化处理参数优化的工艺条件:果汁糖浆用量28%-30%、碳酸化时间12~15min;碳酸化压力0.21-0.23MPa,样品各感官属性指标预测值同时接近或达到目标值,验证试验实测样品的甜度值为3.1、酸度值为3.0、刹口感为3.5、风味为4.0,总体可接受度为4.0,与预测值相符。 相似文献
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136.
137.
高压碳化硅(silicon carbide,SiC)器件因具有耐高压、耐高温、低损耗等优异特性,已成为支撑未来新型电力系统建设的新型电力电子器件。文中基于自主研制的18kV/12.5A高压SiC绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片,提出18kV SiC IGBT单芯片子模组及10芯片并联封装设计方案,研制18kV/125A SiC IGBT器件,功率等级达到国际最高水平。搭建高压碳化硅功率器件绝缘、静态特性和动态特性测试平台,测试单芯片子模组及10芯片并联器件的绝缘及动态特性,18kV/125A SiC IGBT器件具备18kV静态耐压且可以在13kV直流母线电压条件下关断130A电流,验证了所研制器件的高压绝缘及高压开关能力。此外,采用18kV/125A SiC IGBT器件串联搭建24kV换流阀半桥功率模块,提出器件串联均压方法,完成半桥功率模块的1min静态耐压试验和开关试验验证,结果表明,所研制的18kV/125A SiC IGBT器件运行良好,满足串联应用要求,同时,所提的均压方案可以保证半桥功率模块静态电压不均衡和动态电压不均衡程度分别低于0.4%和15%。该研究可以为基于SiC IGBT器件在柔性直流输电工程中的应用奠定基础。 相似文献
138.
在刚性压接型IGBT模块中,并联芯片的压力分布直接决定了接触热阻和接触电阻的大小。通常无法测量器件正常工作时的压力分布及其引起的热阻分布。为了分析压接IGBT模块内部各子模组的压力分布情况和热阻分布情况,提出一种利用器件特性和热阻实验测量压接IGBT模块并联子模组热阻分布的方法。在此方法基础上,详细研究不同压力和电流条件下的热阻分布。实验结果表明,由于外部压力、器件特性和连接导体的差异,压接IGBT模块内部并联子模组间的结温、电流和热阻分布具有很大的分散性。提出的测量方法可以有效验证压接IGBT模块在一定封装条件下的结温、热阻和压力分布特性。 相似文献
139.
任何时候,出售吸尘器、咖啡机、搅拌器或烤面包机都决非易事,在经济不景气的今天,更是难上加难.当然,制造商可以通过降价来刺激消费,但长期处于高成本,低回报的处境势必挫伤制造商积极性,从而影响企业长远发展,单纯低价只是权益之计. 相似文献
140.
介绍了北京轻汽西厂区项目公建区的空调系统设计特点及环保节能设计情况,包括项目概况,设计参数,冷热负荷,空调水系统和空调风系统的划分,以及二次泵水系统、大温差冷水系统、空调自控系统的设计。讨论了二次泵水系统和大温差冷水系统的节能情况。 相似文献