GSMBE生长掺杂Si及GeSi/Si合金及其电学性质研究

用气态源分子束外延法对Ｓｉ及ＧｅＳｉ／Ｓｉ合金进行了Ｎ、Ｐ型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程，所获得的Ｎ型及Ｐ型载流子浓度范围分别为１．５×１０１６～４．０×１０１９ｃｍ－３及１．０×１０１７～２．０×１０１９ｃｍ－３，基于对Ｎ型Ｓｉ外延材料中迁移率与杂质浓度、温度的关系，我们用Ｋｌａａｓｓｅｎ模型对实验结果进行拟合，分析了不同散射机制，特别是少数载流子电离散射对迁移率的影响．此外，样品的二次离子谱及扩展电阻分析表明，Ｎ、Ｐ型杂质浓度纵向     

同步电机定子绕组内部故障规律探讨

本文应用多回路分析法对同步电机定子绕组内部故障规律进行了比较全面的探讨,包括匝间短路匝比规律、故障位置规律、以及系统电压不对称和负载变化的影响。文中首次揭示了故障空间位置对故障后物理量和保护灵敏度的重大影响,得出多分支分布中性点纵差、横差及单元件横差保护等的灵敏度分析时,必须考虑短路位置的影响的结论。     

稀土贝氏体钢贝氏体铁素体-奥氏体原子像

钢中加入微量Ｒｅ ,首先可细化奥氏体晶粒 ,细化显微组织 ;其次 ,有净化、变质作用 ,减少有害气体杂质 ,改善钢的组织性能[1] 。文献[2 ,3 ] 对贝氏体铁素体精细结构进行了仔细的观察 ,但多数涉及它的形貌和表面浮凸。关于贝氏体铁素体与奥氏体的取向关系 ,早期Ｓｍｉｔｈ和Ｍｅｈｌ[4] 提出 :钢中上贝氏体铁素体与奥氏体的取向关系符合Ｎ Ｗ关系 ,即 (111) γ ∥ (0 11) α,[110 ]γ∥[10 0 α]。在下贝氏体中则有Ｋ Ｓ关系 ,即 (111) γ ∥(110 ) α,[110 ]γ∥ [111]α。本文研究了有无稀土元素贝氏体钢的强度和韧性以及通过ＴＥＭ和ＨＲ…     

Si基氨化ZnO／Ga2O3薄膜制备GaN纳米线

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜，然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3薄膜进行氨化，高温下ZnO层在氨气气氛中挥发，而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线．X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构．利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结构．研究发现ZnO层的挥发有利于Ga2O3和NH3反应合成GaN纳米线．     

移动基站动力维护的几点改进措施

中国联通惠州分公司ＧＳＭ无线移动通信基站均实行无人值守 ,所有告警信号如传输误码、ＢＴＳ中断、环境监控信息等均通过２Ｍｂｉｔ／ｓ线传回交换局。其中基站环境监控有市电停电、过欠压、电池电压低、机房高温、烟感和门禁等 ,基站电源采用深圳华为高频开关电源 ,整流模块是单相供电 ,过欠压保护值为１７０～２７０Ｖ(新的整流模块为１５０～３００Ｖ) ,但这是指电压有效值 ,当电压接近临界值时 ,尖峰瞬间波动 ,过欠压保护就会频繁动作。另外 ,由于无线基站实行无人值守 ,一些郊区偏远的基站通信设备如空调室外机、室外电力线等易成为不…     

不同阳极结构二维PSD的电流—位置输出特性

本文介绍了四边形电极结构,四边形电极改进结构和带电阻边框的方框形电极结构3种二维位敏器件（PSD）的结构和工作原理,导出了3种结构PSD的输出电流理论表达式和位置线性度网络图。结果表明：四边形电极结构PSD的位置偏差最大,中央60％光敏区域内最大位置误差约10．0％,与实验结果相符;四边形电极改进结构PSD在中央60％光敏区域内最大位置误差约5．0％;带电阻边框的方框形电极结构,当边框电阻很小时,位置信号与输出电流之间满足线性关系,实验测得中央79％光敏区域内的均方根位置误差小于0．3％。     

汽车电压调节器的性能可靠性计算机仿真

利用系统性能可靠性仿真,对汽车电压调节器的设计及性能进行分析,找出了对其性能可靠性影响最大的元器件,以及对环境温度敏感的元器件;通过提高元器件精度和改善半导体器件的温度特性,对初始设计进行了改进,提高了汽车电压调节器在使用中的性能可靠性.     

RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料

用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×1017cm-a,相应的电子迁移率为177cm2/(V·s);GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为6′;AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为730cm2/(V·s),相应的电子气面密度为7.6×1012cm-2;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管(HFET)室温跨导达50mS/mm(栅长1μm),截止频率达13GHz(栅长0.5μm).     

世界矿业新闻

世界磷酸盐岩15年来的产量(单位:万吨) 澳大利亚的一次大爆破位于新南威尔士州的拉文司沃斯2号露天煤矿不久前进行一次深孔大爆破,爆破的岩石量达160万米~3(约400万吨),爆破孔数为425个(孔径为260及310毫米),总装药最为420吨乳化、浆状及铵油炸药。典型的炮孔装药结构是孔下部为860公斤乳化或浆状炸药,其上