Vishay Intertechnology推出两款低导通电阻MOSFET

正日前,Vishay Intertechnology,Inc,宣布,推出新款采用热增强型2 mm×2mm PoWerPAK(?)SC-70封装的单路12 V器件—SiA447DJ,以及采用3 mm×1.8 mm PoWerPAK ChipFET封装、高度0.8 mm的单片30 V器件-Si5429DU,扩充其TrenchFET(?)GenⅢ系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点,在4.5V下具有相应外形尺寸产品中最低的导通电阻。     

意法半导体(ST)最新推出冷却旁路二极管

正意法半导体推出了用于太阳能模块的新一代高能效的冷却旁路开关(CoolBypass SWitch)系列。新产品可进一步提高太阳能发电效率并降低再生能源发电的每瓦成本。业内最小的尺寸使其可直接集成到太阳能模块内,从而降低太阳能发电系统的复杂性和安装成本。意法半导体的冷却旁路二极管在一个封装内集成高效的功率开关和智能     

深迪半导体推出国内首个MEMS传感器芯片

正国内首颗MEMS传感器芯片由深迪半导体日前在上海推出。该公司创始人兼CEO邹波表示,希望明年融资进行量产,2012年公司登陆国内创业板。与普通芯片相比,该芯片除了计算功能外,还具有感知功能。通过内置的陀螺仪传感器,可以感知外界运动,并做出相应反应。     

Vishay推出新款8 V N沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA436DJ

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款8 V N沟道Trench-FET~功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2 mm×2 mm的热增强型PowerPAK~(?)SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5 V、2.5 V、1.8 V、1.5 V和1.2 V下具有9.4 mΩ2、10·5mΩ、12.5 mΩ、18 mΩ和36 mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2 mm×2 mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。     

高耐折玻璃纤维过滤材料的研究

本文对玻纤过滤材料表面化学处理配方的部分组份对处理过布性能的影响进行了研究,对处理效果进行了微观分析,提出了“在实际应用中,玻璃纤维过滤材料的拉 断裂强度并不是最重要的指标,而耐屈挠性能即MIT耐折数据的高低对滤料使用寿命起着关键的作用”的新见解。     

1WKu波段AlGaAs／GaAs功率HBT最大功率附加效率达72％

１ＷＫｕ波段ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ功率ＨＢＴ最大功率附加效率达７２％《ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎＥｌｅｃｔｉｏｎＤｅｖｉｃｅｓ》１９９５年第４２卷１１期报道，通过采用最佳发射极镇流电阻器和电镀热沉（ＰＨＳ）结构已经成功地获得了Ｋｕ波段大功率...     

MEMS市场将以每年13%的速度增长

正根据Yole Développement公司的分析,MEMS市场将以每年13%的速度增长,到2017年将达到210亿美元。Yole Developpement预期,动作感知和微流体领域将会呈现强劲增长并主导MEMS市场,到2017年会占整体市场份额的一半,而加速计、陀螺仪、磁强计和过滤器则占总体市场的25%,另外微流体占23%。Yole预计,分立惯性传感器的市场份额将会下降,但惯性组合解决方案的     

中科院石墨烯研究取得新进展

正在中科院"百人计划"和国家自然科学基金项目支持下,中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室低维材料摩擦学课题组在石墨烯基阴极材料场发射特性研究中取得重要进展。石墨烯具有极高的电导率、极快的电子传输速度、高硬度、高比表面积以及