东芝强推功率半导体 登顶世界第一宝座

作为进行功率半导体业务的东芝公司在近期发布会上表示夺取市场份额首位宝座的决心。由于面向社会基础设施和汽车等的功率半导体市场将大幅增长,因此东芝首席常务执行董事、半导体和存储器社长小林清志表示,我们将     

Vishay Siliconix的双芯片P沟道器件刷新业内最低导通电阻纪录

日前,Vishay Intertechnology,Inc.推出新款双芯片20 V P沟道第三代TrenchFET~(?)功率MOSFET——SiA923EDJ。新器件采用2 mm×2 mm占位面积的热增强型PowerPAK~(?)SC-70封装,具有8 V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新的SiA923EDJ可用于DC-DC转换器,以及智能手机、MP3播放器、平板电     

MEMS市场将以每年13%的速度增长

正根据Yole Développement公司的分析,MEMS市场将以每年13%的速度增长,到2017年将达到210亿美元。Yole Developpement预期,动作感知和微流体领域将会呈现强劲增长并主导MEMS市场,到2017年会占整体市场份额的一半,而加速计、陀螺仪、磁强计和过滤器则占总体市场的25%,另外微流体占23%。Yole预计,分立惯性传感器的市场份额将会下降,但惯性组合解决方案的     

AVGO推出一种高增益、高线性功率放大器

正通信、工业和消费类应用提供模拟接口零组件的领先供应商AvagoTechnologies(Nasdaq:AVGO)今天推出一种高增益、高线性功率放大器,可为700-800 MHz移动基础结构设备提供高数据率应用。这一新款高线性MGA-43128放大器可为LTE AP、CPE和Picocell设备提供出色的信号传输质量而且功耗较低,还可以被用作基站驱动放大器。     

2010年电子信息业投资预增20%

工信部公布的数据显示,2009年,电子信息产业全行业500万元以上项目累计完成投资4146.6亿元,同比增长17.5%。新增固定资产2621亿元,同比增长34.9%,增幅高于上年3.4个百分点。此外工信部还预计,2010年电子信息产业的固定资产投资增长将快于2009年,预计增速为20%左右。     

中国首创太阳炉精炼多晶硅技术

中国低碳网讯,利用新型太阳炉生产太阳能级高纯硅,这项由中国科学院理论物理研究所特聘研究员陈应天教授开发的技术引起了业内人士的广泛关注。中国科学院院士何祚庥表示,这项世界首创的技术将使高效廉价冶炼高纯硅成为现实,可望大幅降低光伏发电成本。     

东芝中等功率SiGe BiCMOS功放芯片

东芝美国电子元器件公司(ToshibaAmericaElectronicComponents,TAEC)日前发布一款中等功率SiGeBiCMOS功率放大器TA4401CT,该产品适合于1.9GHz至2.5GHz频带的无线应用,包括无线LAN(WLAN)、PHS以及蓝牙等。TA4401CT采用了3个串联RF级以实现线性、高效和低功耗的性能优化,该器件符合IEEE802.11g标准,在18dBm平均输出功率下具有27.5dB的增益和3%的误差向量(EVM)。同时,在3.3Vdc电源下电流消耗为125mA。TA4401CT也符合PHS规范,在23dBm输出功率和35dB增益下电流消耗为210mA。TA4401CT采用无铅扁平外形的2.9mm、16引脚C…     

工信部颁布首个消费电子应用内容保护标准

日前,由长虹牵头,包括长虹、中国电子标准化研究所在内的15家企业和科研院所历时五年制定的《数字接口内容保护系统技术规范》(简称UCPS标准)由工业和信息化部颁布,并于2010年3月1日正式实施。UCPS标准成功突破国外内容保护专利技术壁垒,是我国消费电子行业第一部拥有自主知识产权的内容保护标准,可广泛应用于数字电视、机顶盒、手机、移动数码等消费电子产品领域。     

1WKu波段AlGaAs／GaAs功率HBT最大功率附加效率达72％

１ＷＫｕ波段ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ功率ＨＢＴ最大功率附加效率达７２％《ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎＥｌｅｃｔｉｏｎＤｅｖｉｃｅｓ》１９９５年第４２卷１１期报道，通过采用最佳发射极镇流电阻器和电镀热沉（ＰＨＳ）结构已经成功地获得了Ｋｕ波段大功率...