叶尖定时信号趋势项自适应拟合

叶尖定时测量是航空发动机叶片振动监测关键技术,趋势项拟合作为定时信号预处理中的重要研究内容,是高精度叶片振动参数辨识的基础与前提。在航空发动机连续变工况运行条件下,当前趋势项拟合方法无法自适应调整拟合窗宽度,导致消除趋势项效果差,严重影响后续叶片振动分析。针对变工况条件下定时信号趋势项拟合难题,以相关系数作为趋势项拟合效果评价指标,提出趋势项自适应调节窗宽度拟合方法。采用航空发动机高压压气机叶尖定时试验数据进行验证,结果表明,所提方法由于能够自适应调节拟合窗宽度,可保证趋势项拟合效果最优,在满足有效去除趋势项的前提下能够完全保留原始振动信息,对实现高精度叶片振动参数辨识具有重要意义。     

无钴触媒合成块的电解提纯

用NiMnFe触媒生产人造金刚石,对电解提纯人造金刚石工艺提出了新的课题,本通过采用新的电解工艺,基本解决了这些难题,并取得了较好的生产效益。     

基坑石方爆破工程施工安全技术

一、岩石情况工程需要爆破的石方主要在施工区的东侧，呈东高西低分布，岩石硬度情况：f＝１０～１５。爆破石方量为７５６６８m３，爆深为７．５m。二、爆破周边环境爆区周围有两条繁忙的城市道路：红荔路、金田路及市政设施和建筑物。关山月美术馆在爆区东北１００m以外，中银花园在爆区东侧２３０m外，周边四条城市道路距离爆区约１０～１５m左右，在爆区北面８m（红线附近）有一条高压电线和一座高压变压器，东侧１５m有高压电线。开挖线北、东两侧边缘还有燃气管、通讯管、给水管、污水管、雨水管等管沟，其中东侧燃气管距离爆破边坡２…     

Ba放射性同位素生成截面的测定

用６０ＭｅＶ／ｕ＾１８Ｏ离子轰击＾２３２Ｔｈ靶产生Ｂａ放射性同位素;通过ＢａＣｌ２沉淀使Ｂａ从大量钍靶材料和复杂反应产物混合物合分离并被纯化;用＾１３３Ｂａ做示踪剂确定Ｂａ的化学产额;通过离线γ谱测量Ｂａ样品;根据每个Ｂａ同位素的γ射线峰的强度以及相关的核数据计算它们的生成截面。结果显示出中能和厚靶的情况下,缺中子Ｂａ同位素仍有较高的生成截面。     

基于Al2O3中间层的InP/SOI晶片键合技术研究

研究了基于Al2O3中间层的InP/SOI晶片键合技术.该方案利用原子层沉积技术在SOI晶片表面形成Al2O3作为InP/SOI键合中间层,同时采用氧等离子体工艺对晶片表面进行活化处理.原子力显微镜和接触角测试结果表明,氧等离子体处理使得晶片的表面特性更适于实现键合.透射电子显微镜和X射线能谱仪测试结果证实,采用Al2O3中间层可以实现InP晶片与SOI晶片的可靠键合.     

发光量子阱对波长上转换红外探测器效率的影响

波长上转换红外探测器在实现大面阵、低暗电流红外探测方面具有很大的发展潜力.短波长光子的发光效率是影响上转换器件效率的重要因素.设计、制作了具有不同发光阱个数的波长上转换红外探测器件,结合器件的红外响应和仿真计算,分析了发光阱个数对波长上转换效率的影响规律.研究结果表明,选择单个发光阱,有利于提高器件的发光效率,从而提高波长上转换效率.     

二甲醚水蒸气重整制氢双功能催化剂研究进展

从提高催化剂酸中心、金属中心的利用率和调整酸中心与金属中心接近性三方面,综述了国内外二甲醚水蒸气重整制氢双功能催化剂的研究现状,重点阐述了助剂改性、载体改性、制备方法及反应器对双功能催化剂性能的影响,并展望了未来开发双功能催化剂的研究方向。     

BCB/InP基宽带低损耗共面波导微波传输线

面向高速行波电吸收(EA)调制器的需要,设计并制作了基于苯并环丁烯(BCB)聚合物/InP衬底的宽带(0～40 GHz)、低损耗微波共面波导传输线.对共面波导结构开展仿真设计,分别对BCB材料厚度、InP衬底导电率和信号电极宽度等关键参数进行了优化.结果表明,当设计的BCB膜厚为4 μm、InP衬底导电率小于0.002(Ω·cm)-1和信号线宽度为84μm时,微波传输性能可达最优.在此基础上,采用电阻率为108Ω·cm的半绝缘(SI)InP衬底、涂覆4μm BCB薄膜,制作出0～40 GHz范围内微波损耗小于0.5 dB/mm的共面波导传输线.     

10 Gb/s电吸收调制器的微波封装设计

在高速光电子器件的微波封装过程中，需要综合考虑封装寄生参数和芯片寄生参数对器件高频性能的影响。利用封装寄生参数对芯片寄生参数的补偿作用，成功实现了10Gb／s电吸收调制激光器（EML）的高频封装。通过封装前后芯片和器件的小信号频率响应测试结果对比，器件的反射参数和传输参数有所改善，3dB带宽达到10GHz；并进行了10Gb／s速率的光纤传输实验，经过40km光纤传输后通道代价不到1dBm（误码率为10^-12），满足10Gb／s长距离光纤传输系统的要求。     

高速InP基半导体电光调制器行波电极结构研究

对PIN型和NIN型两种InP基Mach-Zehnder电光调制器的电极结构进行了数值仿真研究,从而确定出适于这两种电光调制器的行波电极结构。仿真结果表明,NIN型电光调制器可采用简单的单臂类微带电极,而PIN型电光调制器需采用周期容性负载电极,以达到良好的阻抗匹配特性和传输特性。进一步地,提出了将串联推挽式行波电极结构应用于PIN型电光调制器,可以简化制作工艺并获得良好的微波特性。