水煤浆气化装置过氧闪爆的预防措施

水煤浆气化工艺利用水煤浆和氧气进行部分氧化反应制取水煤气,水煤浆气化装置具有高温、高压的特点,在气化炉运行过程中,需要合理控制氧煤比及操作炉温.在装置异常情况下,如果发生炉内过氧现象,煤气与氧气(空气)形成爆炸性气体,可能会发生闪爆事故.介绍了几种可能发生闪爆的情况,并提出有效的预防措施.     

某坡地建筑地下室疏水降压减浮设计分析

以苏州某坡地建筑地下室为工程背景,结合山脚下高差较大的场地条件,采用了阶梯式地下室建筑方案.以场地土层为微透水层的条件,采用主动的疏水降压减浮的设计方案.经过对地下室基坑渗流量及雨水下渗量的计算分析,结合合理的疏水盲沟布置及可靠的后期运行管理,探讨了该方案的技术可行性.介绍了疏水降压减浮设计方案应用时对建筑、设备、基坑...     

激光测距机光轴平行性测试方法

本文基于一种多波段图像融合系统,对系统光轴平行性装调技术进行研究。系统为五光轴平行系统,包括白光模块、微光模块、短波红外模块、长波红外模块、激光测距模块,通过计算得到精度最高的为微光模块,精度为32.09″,即平行性偏差小于32.09″不影响系统使用。装调时采用光轴中心与平行光管十字靶板中心对准的方法,得到的图像为最大图像尺寸的99.89%,对图像信息获取不产生影响。最后用搭建好的平台对系统进行实验验证,实验证明平行性最大偏差为9″,小于系统最大允许误差,所以得出结论该装调方法对类似产品的装调具有一定参考价值。     

变形速率对5m瓜瓣拉形成形的影响

利用有限元分析方法对5种不同变形速率对5 m球形瓜瓣拉形成形过程的影响进行了分析,预测了零件应力及壁厚分布与变形速率之间的关系。通过试验验证,得到真实拉形条件下变形速率对5 m瓜瓣的成形精度、力学性能等方面的影响。结果表明,变形速率提高对产品的表面质量及型面精度无明显影响。变形速率小于0.3～0.4 mm·s^-1时,随着变形速率的提高,产品的力学性能出现波动,下降趋势不明显。变形速率大于0.3～0.4 mm·s^-1时,随着变形速率的提高,产品的力学性能明显下降,拉形钳口处出现断裂征兆。为了提高生产效率,可采用平台范围内的变形速率。     

第20届中国国际五金展世界五金行业最“亮”的展台

即将于2021年10月8日-10日在上海浦东新国际博览中心举办的中国国际五金展(CIHS)正在紧锣密鼓地筹备中,目前招展招商都取得了较好的成果。据记者了解,目前工具、锁具、建筑五金及紧固件等多个品类的众多大型骨干企业已报名参展,展位预定已超过70%。     

火力发电厂低压电气供配电及设备安全运行措施

火力发电厂是我国电网体系的重要组成部分,每年的火力发电量占总电量的70%以上,在我国经济增长中占据重要地位。在火力发电厂中,低压电气供配电和设备是否安全运行将会直接影响到火力发电厂的发电质量,研究低压电气供配电和设备安全运行措施,提高配电技术水平,才能更好地为社会及人民稳定供电,有效满足各种生产活动。对于低压配电接线系统来说,做好接地保护、提高电气设备安全管理及系统安全管理至关重要,可以有效减少故障发生率,提高发电厂安全运行质量。     

NiTiNb箔片激光焊接工艺及其接头的组织与性能

采用Nd:YAG激光器实现200μm厚Ni47Ti44Nb9形状记忆合金箔片的焊接,并对激光工艺参数进行了正交试验。采用光学显微镜观察接头的显微组织,用精密拉伸仪测试了接头强度,并用精密硬度计测试了接头的显微硬度。结果表明:200μm厚Ni47Ti44Nb9形状记忆合金对接的最优激光工艺参数是平均功率为16.8 W,脉宽为4.4 ms,频率为4.5 Hz,此时,接头的抗拉强度为880 MPa,达到母材强度的95%。水平面呈均匀的鱼鳞纹状。横截面出现了分层现象,焊缝中心为超细等轴晶,热影响区为柱状组织。纵截面为等轴晶与NiTi-βNb伪共晶析出带交替分布,焊缝区的平均硬度大于母材的平均硬度。     

直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜工艺参数的研究

本文对直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜的工艺作了具体分析，探讨了沉积温度、氧分压、Al含量和靶基距等对ZAO薄膜的电阻率、可见光区透射率的影响。     

T型发射区单晶硅太阳电池的输出特性研究

利用TCAD半导体器件仿真软件对具有T型发射区结构的单晶硅太阳电池进行了仿真研究。全面系统地分析了在不同衬底少子寿命情况下,不同T型发射区深度对太阳电池外量子效率、短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率的影响。仿真结果表明:采用T型发射区结构可在一定程度上提高常规均匀发射区太阳电池的电学性能;T型发射区结构对700~1200nm长波段入射光的外量子效率具有明显的改善作用;当衬底少子寿命一定时,太阳电池短路电流密度、填充因子均随T型发射区深度的增大而增大,而开路电压随T型发射区深度的增大而减小;当T型发射区深度大于80μm时,对于低衬底少子寿命的单晶硅太阳电池,T型发射区结构对其转换效率的改善效果最为显著。     

氨基K酸的制备工艺研究

本文以2-萘酚为原料,经磺化、盐析、氨解、酸化及再磺化等工艺过程制备得到氨基K酸。通过优化盐析和氨解工艺,将磺化的主要副产物R酸进行回收;利用混合催化剂将G盐和R盐的混合物一次性氨解,有效提高了产品收率,并降低了废水处理成本,同时也降低了原料2-萘酚的单耗。