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41.
电力行业作为与人们日常的生产、生活有着密切联系的行业,随着科技的进步和发展有了质的飞跃,其发展的形式十分迅猛,其中的配电设备运行中的安全维护措施技术手段和配电设备的性能都日益攀升。因此,本文对配电维护计划的实施中存在的主要问题和配电设备运行中的安全维护措施进行了初步探讨分析。 相似文献
42.
43.
300mm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
随着集成电路特征尺寸的减小、低k介质的引入及晶圆尺寸的增加,如何保证在低压无磨料条件下完成大尺寸铜互连线平坦化已经成为集成电路制造工艺发展的关键。采用法国Alpsitec公司的E460E抛光机在低压低磨料的条件下,研究了12英寸(1英寸=25.4 mm)无图形(blanket)铜膜CMP工艺和抛光液配比对抛光表面质量的影响。实验结果表明,在压力为0.65 psi(1 psi=6.89×103 Pa),抛光液主要成分为体积分数分别为5%的螯合剂、2%的氧化剂和3%的表面活性剂。抛光后表面无划伤,表面非均匀性为0.085,抛光速率为400 nm.min-1,表面粗糙度为0.223 nm,各参数均满足工业化生产的需要。 相似文献
44.
针对司家营铁矿北区Ⅲ采场地下矿实际情况,选用乳化炸药现场混装技术,优化了爆破施工,改善了工人的作业环境,有效地提高了爆破效率。 相似文献
45.
研究了阻挡层在化学机械抛光过程中表面活性剂的作用。利用5种活性剂体积分数不同的抛光液对3英寸(1英寸=2.54 cm)Cu/Ta/SiO2光片进行抛光。通过抛光前后质量变化可得各晶圆片的抛光速率,再对12英寸布线晶圆片进行抛光,利用台阶仪测量抛光前后碟形坑大小的变化,最后利用原子力显微镜对抛光后布线晶圆片的表面形貌进行测试。研究表明抛光液中活性剂体积分数不同会引起抛光速率的变化,也会影响碟形坑的修正效果。当抛光液中活性剂体积分数达到2.0%时,修正值达到85.6 nm/min,优于其他活性剂体积分数时的修正值。另外,活性剂体积分数的增加有助于降低抛光后晶圆表面的粗糙度。活性剂体积分数小于3.0%时,粗糙度随着活性剂体积分数的增加而降低。这一发现可以对配制抛光液时活性剂体积分数的确定起到一定的参考作用。 相似文献
46.
We have proposed a TSV (through-silicon-via) alkaline barrier slurry without any inhibitors for barrier CMP (chemical mechanical planarization) and investigated its CMP performance. The characteristics of removal rate and selectivity of Ti/SiO2/Cu were investigated under the same process conditions. The results obtained from 6.2 mm copper, titanium and silica show that copper has a low removal rate during barrier CMP by using this slurry, and Ti and SiO2 have high removal rate selectivity to Cu. Thus it may be helpful to modify the dishing. The TSV wafer results reveal that the alkaline barrier slurry has an obvious effect on surface topography correction, and can be applied in TSV barrier CME 相似文献
47.
49.
王胜利 《数字社区&智能家居》2005,(4):57-59
由于管理的需要,对校园网的信息服务必须进行内外网区分,然而目前校园网建设中,由于多校合并出现的跨区域问题给应用带来了不便。针对这种情况,本文提出了专业的解决办法,该办法无需投入硬件设备,经济高效,尤其对位于外网的应用需求不是非常频繁时,不失为一种很好的方案。 相似文献
50.