Si(111)和Si(100)衬底上磁控反应溅射制备AlN薄膜

采用射频磁控反应溅射法在Si(111)和Si(100)两种衬底上制备了AlN薄膜,用X射线衍射(XRD)对AlN薄膜进行了表征,研究了衬底Si(111)、Si(100)取向以及N2百分比对AlN(002)薄膜c-轴择优取向的影响。实验结果表明,Si(100)较适合生长c-轴择优取向AlN薄膜,而且N2百分比为40%时,AlN薄膜的c-轴取向最好,具有尖锐的XRD峰,此时对应于AlN(002)晶向。计算了(002)取向AlN和两种Si衬底的失配度,Si(111)面与AlN(002)面可归结为正三角形晶系之间的匹配,失配度为23.5%;而Si(100)面与AlN(002)面可归结为正方形晶系与正三角形晶系之间的匹配,失配度为0.8%,可以认为完全共格。理论分析和实验结果相符。     

纳米压痕测试技术在复合材料中的应用研究

纳米压痕技术广泛应用于微纳米尺度材料原位力学性能的测试,介绍了近些年来纳米压痕技术在复合材料各组分、界面性能、残余应力等表征方面的应用,在此基础上提出了纳米压痕技术在复合材料应用中存在的问题,并结合今后研究方向展望了其发展趋势和应用前景。     

红柳泉地区E31储层沉积体系演化特征及沉积模式

通过对红柳泉地区E13储层岩心、地震资料解释、有利区E13储层段实施多井约束地震反演处理,揭示出E13储层段为红柳泉地区自下而上经历了三角洲平原、三角洲前缘、滨湖—浅湖—半深湖沉积亚相,并进一步细分为河道砂、点砂坝、河口坝和沿岸滩坝等沉积微相。指出E13储层段河道砂、点砂坝、河口坝砂体为最有利的砂体,且具有一定的工业油流,是下一步滚动开发的主要目标。     

人防通信警报建设中主要应用技术问题及对策研究

随着我国的快速发展,不仅在军事方面面临着内忧外患的局面,而且在自然灾害防灾救灾中发挥重要作用、人防部门是我国开展防灾救灾工作的重要指挥部门,因而对通信及通信警报有着更高的要求.我国人防通信警报建设进程不断加快,但在建设中,仍然面临着技术问题,在一定程度上阻碍其建设进程,不能充分发挥人防部门的积极作用.本文主要从人防通信警报建设中的技术问题着手,通过有效分析,提出解决技术问题的对策.     

受物理层参数影响的RLP协议性能研究

给出了无线衰落信道的一阶 Markov模型中模型参数计算方法的推导 ,并采用该模型 ,研究 了物理层参数对 Go-Back-N协议性能的影响 . 结果表明 ,对于 Go-Back-N 协议 ,当信道衰落余量 较小时 ,重传次数 Nr 对吞吐量效率的影响非常小 ;当信道衰落余量变大时 ,吞吐量效率对重传次 数的变化不明显 . 同时 ,衰落余量增大 ,向上层提交的剩余帧差错率减小 ,协议流量增大;而当最大允许重传次数增大时 ,在减小提供给 TCP层的差错率的同时 ,协议本身性能要降低.     

稀土化合物浆料对CVD金刚石厚膜的刻蚀

ＣＶＤ金刚石厚膜具有极高的硬度,使得对其进行表面抛光极为困难．传统的机械抛光方法既不经济又耗费时间,而一些新的抛光技术又由于实验条件限制而难以推广．针对以上情况,我们寻求到一种新的化学刻蚀方法,即利用稀土化合物浆料对金刚石厚膜生长表面进行刻蚀,破坏表面的晶粒使之成为晶骸,降低表面的耐磨性,以提高表面粗糙的金刚石厚膜的抛光效率．     

花逢知音

正读张潮《幽梦影》,见到一段用典良多的知己论:"天下有一人知己,可以不恨。不独人也,物亦有之。如菊以渊明为知己;梅以和靖为知己;竹以子猷为知己;莲以濂溪为知己;桃以避秦人为知己;杏以董奉为知己;……一与之订,千秋不移。"     

正渗透海水淡化联合多效蒸发制盐系统的研究

正渗透海水淡化作为一种新的膜分离技术以其能源消耗低、产水率高等优点被广泛关注,相较于传统的制盐方式周期长,产量低,效率差等问题制约着企业的发展,正渗透海水淡化技术获得淡水的同时,可以从浓盐水中提取出工业用化工用品,从而给企业带来巨大的经济收益。本文介绍海水淡化结合制盐系统的工艺流程。     

基于模糊相似优先比的纱线条干不匀评价方法

为了准确评价纱线质量,针对目前纱线条干不匀评价指标单一的问题,提出基于模糊相似优先比的纱线条干不匀评价方法;选取变异系数、平均差系数、极差系数3种指标,确定纱线条干不匀标准样本;运用模糊优先比矩阵确定实验样本与标准样本指标的相似程度,通过求和计算得到实验样本与标准样本的总相似度。结果表明：基于模糊相似优先比的纱线条干不匀评价方法,能够有效区分纱线条干不匀等级;对参数指标设置权重系数,可找到与标准样本最优相似的样本。     

Si(111)和Si(100)衬底上磁控反应溅射制备AlN薄膜

采用射频磁控反应溅射法在Si(111)和Si(100)两种衬底上制备了AlN薄膜,用X射线衍射(XRD)对AlN薄膜进行了表征,研究了衬底Si(111)、Si(100)取向以及N2百分比对AlN(002)薄膜c-轴择优取向的影响。实验结果表明,Si(100)较适合生长c-轴择优取向AlN薄膜,而且N2百分比为40%时,AlN薄膜的c-轴取向最好,具有尖锐的XRD峰,此时对应于AlN(002)晶向。计算了(002)取向AlN和两种Si衬底的失配度,Si(111)面与AlN(002)面可归结为正三角形晶系之间的匹配,失配度为23.5%;而Si(100)面与AlN(002)面可归结为正方形晶系与正三角形晶系之间的匹配,失配度为0.8%,可以认为完全共格。理论分析和实验结果相符。