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31.
以E-51/TDE-85为复合EP(环氧树脂),三氟化硼乙胺、DMP-30[2,4,6-三(二甲氨基甲基)苯酚]和2,4-咪唑为固化促进剂,三氧化二铝(Al2O3)为填料,采用自制固化剂制备快固型EP胶粘剂。研究结果表明:促进剂的加入可不同程度加速EP胶粘剂的固化速率、缩短固化时间;与其他两种促进剂相比,三氟化硼乙胺具有良好的潜伏性,以此作为促进剂时,相应EP胶粘剂的颜色、固化速率和剥离强度等俱佳;当固化温度为150℃、固化时间为10 min和w(三氟化硼乙胺)=1%(相对于EP总质量而言)时,EP胶粘剂的综合性能相对最好。 相似文献
32.
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报道了氦离子注入技术在提高 980nm半导体激光器灾变性光学损伤 (catastrophicopticaldamage,COD)阈值上的应用 .p GaAs材料经氦离子注入后可以获得高的电阻率 .在距离腔面 2 5 μm的区域内进行氦离子注入 ,由此形成腔面附近的电流非注入区 .腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入 ,因此减少了非辐射复合的发生 ,提高了激光器的灾变性光学损伤阈值 .应用氦离子注入形成腔面非注入区的管芯的平均最大功率达到 44 0 5mW ,没有发生COD现象 .而应用常规工艺制作的管芯的平均COD阈值功率为 40 7 5mW .同常规工艺相比 ,应用氦离子注入形成腔面非注入区技术 相似文献
34.
35.
报导了带有腔面非注入区的808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的制作过程和测试结果。在器件前后腔面处引入25μm非注入区,填充密度为17%的1cm激光二级管列阵最高连续输出功率达87W,热沉温度是25℃,抗COD能力比没有非注区的激光二极管列阵高40%。器件在连续15W下恒功老化,工作寿命超过5000h。 相似文献
36.
Strained InGaAs/AIGaAs quantum well lasers have demonstrated improved performance compared with lattice--matched,unstrained GaAs/AIGaAsorAIGaAs/AIGaAs quantum well lasers,which has been attributed to modifications of the band tructure due to the strained natur... 相似文献
37.
980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
报导了质子注入技术在提高980nm半导体激光器可靠性上的应用。P-GaAs材料经过质子注入后获得高的电阻率。在距离腔面25μm的区域内进行质子注入,由此形成腔面附近的电流非注入区。腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入,因此减少了非辐射复合的发生,提高了激光器的灾变性光学损伤(COD)阈值。应用质子注入形成腔面非注入区的管芯的平均COD阈值功率达到268mW,而应用常规工艺的管芯的平均COD阈值功率为178mW。同常规工艺相比,应用质子注入形成腔面非注入区技术使管芯的COD阈值功率提高了50%。 相似文献
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