低阈值脊形波导单量子阱级联双区激光器

本文报道低阈值脊形波导单量子阶级联双区激光器的制备，直流输出特性，光双稳、光谱调谐和高频调制ｐｓ特性．激射波长～０．８５μω，调谐范围为７ｎｍ．     

两河口温泉水文地质条件

两河口温泉的水质清亮,口感好,是一个十分难得的偏硅酸和锶含量双达标的饮用天然矿泉水,又是一个偏硅酸和氟含量达标的医疗温泉水,其偏硅酸含量31.5 mg/L、锶含量0.8 mg/L、氟含量1.6 mg/L,水温32℃,既可饮用,又可洗浴,具有很高的开发利用价值。     

157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵

通过优化设计量子阱结构和列阵结构,减小腔面光功率密度,避免器件腔面灾变损伤,得到１ｃｍＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ激光二极管线列阵,在热沉温度２１℃,脉冲宽度２００μｓ,重复频率１００Ｈｚ时,输出峰值功率达１５７Ｗ．     

对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究

介绍了离子清洗技术在提高980nm半导体激光器可靠性方面的应用。外延片在空气中解理后，半导体激光器的腔面会吸附上碳和氧等杂质。腔面吸附的氧和碳严重影响了器件的可靠性。本文用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面，并对其进行氩离子清洗，俄歇电子能谱（AES）分析显示氩离子清洗可以有效地清除GaAS表面的氧和碳等杂质。     

抽运腔在LD侧面抽运激光头中的应用

介绍了抽运腔在半导体侧面抽运固体激光头中的应用。运用光线追迹的方法，从理论上分析了抽运腔对抽运光在晶体中的吸收效率和相对强度分布的影响，然后对无抽运腔、有抽运腔、抽运腔内表面经过镀金处理、抽运腔内表面经过抛光和镀金处理四种情况进行了实验研究。从理论模拟和实验结果中可以看出，抽运腔及其内表面的处理质量对激光头输入输出性能有很大的影响。     

高质量GaAs－AlGaAs材料MBE生长研究及其应用

通过对分子束外延（ＭＢＥ）中影响ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究，得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ单晶材料，实现了７５ｍｍ大面积范围内的厚度、组分和掺杂等的很好均匀性．研制了高质量的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱超晶格材料，并应用于量子阱激光器材料的研制，获得了具有极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的高质量量子阶激光器外延材料．     

用MBE在非平面衬底上生长的掩埋脊形多量子线列阵

文在国际上首次报道,在用常规光刻技术和化学腐蚀技术制备的非平面GaAs衬底上,利用一次分子束外延技术研制成功掩埋脊形GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子线列阵结构。电镜及常规光致发光和微区光致发光测量给出了二维量子限制的证据,理论分析和数值计算也表明了横向载流子限制的有效尺寸是在量子尺寸范围之内。     

准连续在功率二维层叠量子阱激光器列阵

研究了大功率列阵器件的量子阱结构，材料生长，列阵结构，了技术与封装技术，研制了６条层叠ＧａＡｓ／ＡｌＣａＡｓ量子阱激光器列阵，其峰值功率为４０４Ｗ，电－光转换效率高达４３．３％。     

AlGaAs/GaAs-MQW激光器光增益谱理论和实验

本文简明地描述了由载流子带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论.根据该理论计算了AlGaAs/GaAs多量子阱激光器的线性偏振光增益及量子阱宽L_x、Al_xGa_(1-x)As势垒层x值和带内弛豫时间τ_(in)对TE增益的影响.实验测量了多量子阱激光器的偏振光增益谱.理论与实验进行了比较.