AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能

利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2,器件的I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向,I-V特性计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV和4.83.将器件在300℃中温退火,器件的电学性能有所改善.     

补偿电容器串联电抗对无源LC滤波器性能的影响

并联电容器组是目前电网中普遍用来补偿无功的装置,而无源滤波器通常用来吸收谐波源产生的谐波电流,并兼顾无功补偿。文中以工程实例为依据,用电力系统谐波计算程序CHP对补偿电容器组串联电抗对无源滤波器性能的影响进行了分析计算。结果表明,无源滤波器与补偿电容器组并联运行情况下,补偿电容器组串联电抗率变化时会对供电系统的阻抗频率特性和滤波器性能造成的影响也不同。     

基于分形概念的煤焦颗粒气化模型

应用分形概念描述煤焦颗粒内部微观孔洞形态,用Bethe网络模化颗粒孔隙空间拓扑结构,这种方法提供了一种真实自然的框架来描述颗粒的孔洞结构及其伴随着气化过程进行的孔隙开通、增大、汇聚现象.模型还描述了气化过程的逾渗破碎现象,因而可以用来模化各种工况下的实验数据.     

惰性多孔介质内天然气预混燃烧的数学模拟评述

天然气在惰性多孔介质内的预混燃烧是一个包含燃烧、辐射、对流及导热的复杂过程，从数学模拟的角度，比较了几种不同的甲烷-空气化学反应模型，研究了多孔介质内辐射传递方程的不同求解方法，并且分析了多孔介质的导热系数、对流换热系数等对燃烧器性能的影响。     

石墨烯改性船用橡胶隔振器的研制及应用试验

针对船用橡胶隔振器对高强度、高导热、低蠕变及低生热的综合要求,通过采用超临界二氧化碳流体技术,并使用不同前驱体和载体及偶联剂表面改性等方法分别制备了氧化石墨烯(GO)和天然鳞片石墨烯(NG)母粒,通过混炼和硫化工艺研究及优化GO和NG的添加量,分别制得了 2种改性的天然橡胶(NR)和丁腈橡胶复合材料,并测试了改性NR复...     

氧化石墨烯对本征石墨烯在天然橡胶基体中的分散促进作用研究

本征石墨烯分散在高分子材料中能够能够明显提高分子的导热性能,但因为本征石墨烯表面缺乏活性基团,片与片之间强大的范德华作用力使其在高分子材料中的解聚和均匀分散尤为困难。氧化石墨烯被证明具有两亲性,从片层边缘至片层中间呈现亲水至疏水的分布,使其能发挥类似表面活性剂的功用。研究证明,氧化石墨烯能够显著促进石墨烯在水性橡胶乳液中的分散,使石墨烯能够均匀的分散在制备得到的石墨烯/氧化石墨烯/天然橡胶复合材料中,进而使得天然橡胶的导热性能得到大幅度的提升。     

垃圾焚烧灰渣颗粒移动床干法除尘脱硫技术

针对垃圾焚烧灰渣的特点和国内外的资源化利用现状,开发了一种灰渣颗粒床干法除尘脱硫工艺方法,为垃圾焚烧灰渣资源化利用提供了一条新的途径,采用灰渣颗粒床干法除尘脱硫工艺方法,将垃圾焚烧灰渣添加不同配料混合后制成颗粒,送入颗粒移动床反应器内,用来脱除燃煤烟气中的SOX有害气体,做到以废治废,并将大大降低燃煤烟气净化成本。该技术工艺简单、设备投资和运行管理费用低廉,很有推广前途的新技术。     

移动颗粒床中高温气体渗流传热数值计算

针对移动颗粒床中物料层内的高温气体渗流传热现象 ,考虑渗流与传热的相互作用 ,采用局部非热平衡假设建立了多孔介质渗流传热物理数学模型并进行了数值计算 .研究了不同情况下床内填充多孔介质中的流速、气固温度和床层压力损失 .计算结果表明 ,高温热气对移动床颗粒料层的热渗透主要发生在渗流入口端区域 ,增大入口渗流速度以及减小床层物料下移速度将导致物料温度沿床高慢速下降 ,热渗透深度扩大 ,热渗透作用区域内的物料温度水平提高 .在热渗透作用区域 ,孔隙率对流场和压力损失有很大的影响 .研究结果对于移动颗粒床反应器的设计与运行具有一定的参考作用     

MBE生长的跨导为186mS/mm的AlGaN/GaN HEMT

用分子束外延 ( MBE)技术研制出了 Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管 ( HEMT)材料 ,其室温迁移率为 10 35cm2 /V· s、二维电子气浓度为 1.0× 10 13 cm - 2 ;77K迁移率为 2 6 53cm2 /V· s、二维电子气浓度为 9.6× 10 12 cm- 2 。用此材料研制了栅长为 1μm、栅宽为 80μm、源 -漏间距为 4μm的 Al Ga N/Ga N HEMT,其室温最大非本征跨导为 186 m S/mm、最大漏极饱和电流密度为 92 5m A/mm、特征频率为 18.8GH z。另外 ,还研制了具有 2 0个栅指 (总栅宽为 2 0× 80μm =1.6 mm )的大尺寸器件 ,该器件的最大漏极饱和电流为 1.33A。     

输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件

MOCVD技术在蓝宝石衬底上制备出具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/GaN HEMT材料.高迁移率GaN外延层的室温迁移率达741cm2/(V·s),相应背景电子浓度为1.52×1016cm-3;非有意掺杂高阻GaN缓冲层的室温电阻率超过108Ω·cm,相应的方块电阻超过1012Ω/□.50mm HEMT外延片平均方块电阻为440.9Ω/□,方块电阻均匀性优于96％.用此材料研制出了0.2μm栅长的X波段HEMT功率器件,40μm栅宽的器件跨导达到250mS/mm,特征频率fT为77GHz;0.8mm栅宽的器件电流密度达到1.07A/mm,8GHz时连续波输出功率为1.78W,相应功率密度为2.23W/mm,线性功率增益为13.3dB.