RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料

用射频等离子体辅助分子束外延技术( RF- MBE)在c面蓝宝石衬底上外延了高质量的Ga N膜以及Al N/Ga N超晶格结构极化感应二维电子气材料.所获得的掺Si的Ga N膜室温电子浓度为2 .2e1 8cm- 3,相应的电子迁移率为2 2 1cm2 /( V·s) ;1μm厚的Ga N外延膜的( 0 0 0 2 ) X射线衍射摇摆曲线半高宽( FWHM)为7′;极化感应产生的二维电子气室温电子迁移率达到10 86cm2 /( V·s) ,相应的二维电子气面密度为7.5e1 2 cm- 2 .     

MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结构

用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时二维电子气迁移率分别为1944和11588cm2/(V·s),相应二维电子气浓度为1.03×1013cm-2;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有良好的晶体质量和表面形貌,10μm×10μm样品的表面粗糙度为0.27nm.用此材料研制出了栅长为0.8μm,栅宽为1.2mm的HEMT器件,最大漏极饱和电流密度和非本征跨导分别为957mA/mm和267mS/mm.     

插入δAl/AlN缓冲层在Si(111)上生长GaN

采用MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)生长方法,对比在AlN层上加入δAl/AlN缓冲层和不加入δAl/AlN缓冲层两种生长结构,在Si(111)衬底上生长GaN.实验结果表明,在加入δAl/AlN缓冲层后,GaN外延层的裂纹密度得到了有效的降低,晶体质量也得到了明显的提高.通过MOCVD生长方法,利用光学显微镜、XRD和Raman等分析测试手段,研究了δAl/AlN缓冲层对GaN外延层的影响,获得了裂纹密度小、晶体质量高的GaN材料.     

MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结构

用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时二维电子气迁移率分别为1944和11588cm2/(V·s),相应二维电子气浓度为1.03×1013cm-2;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有良好的晶体质量和表面形貌,10μm×10μm样品的表面粗糙度为0.27nm.用此材料研制出了栅长为0.8μm,栅宽为1.2mm的HEMT器件,最大漏极饱和电流密度和非本征跨导分别为957mA/mm和267mS/mm.     

输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件

MOCVD技术在蓝宝石衬底上制备出具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/GaN HEMT材料.高迁移率GaN外延层的室温迁移率达741cm2/(V·s),相应背景电子浓度为1.52×1016cm-3;非有意掺杂高阻GaN缓冲层的室温电阻率超过108Ω·cm,相应的方块电阻超过1012Ω/□.50mm HEMT外延片平均方块电阻为440.9Ω/□,方块电阻均匀性优于96％.用此材料研制出了0.2μm栅长的X波段HEMT功率器件,40μm栅宽的器件跨导达到250mS/mm,特征频率fT为77GHz;0.8mm栅宽的器件电流密度达到1.07A/mm,8GHz时连续波输出功率为1.78W,相应功率密度为2.23W/mm,线性功率增益为13.3dB.     

旋转锥式热解炉内煤颗粒混合热解的实验研究

设计出一种旋转锥式煤热解炉,对炉内煤颗粒热解过程进行实验研究,测定了煤颗粒平均粒径、热解温度、旋转锥旋转速率及煤热解失重的关系.实验结果表明,随着煤颗粒平均粒径的增加、热解温度的降低和旋转锥旋转速率的减小,热解失重呈现出明显的下降趋势;此外,在煤颗粒中加入载热体,可促进煤颗粒热交换过程的传热效果,而且随着载热体混合量的增加使煤热解失重呈现增加趋势.研究结果有助于深入理解煤热解机理,为新型旋转锥式热解炉的深入研究和推广应用提供参考.     

侧链带氨基107硅橡胶的合成及其应用

以八甲基环四硅氧烷、N-β-氨乙基-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷为原料,合成了侧链带氨基的107硅橡胶,并以此为基胶,制备了快速表干脱醇型单组分室温硫化(RTV-1)硅橡胶。当侧链带氨基107硅橡胶黏度为10 000 m Pa·s,氨值为0.251 mmol/g时制得的脱醇型RTV-1硅橡胶邵尔A硬度为37度,挤出率为15 g/s,表干时间为8 min,硫化4 h的剪切强度为0.1 MPa,24 h硫化深度为3.1 mm,剪切强度为2.1 MPa。     

离心渗铸中铝熔液在多孔介质内的流动

依靠离心力使金属熔液渗入到短纤维预制件中，凝固后得到金属基复合材料。在不考虑传热影响的基础上，通过分析离心力场中铝熔液在Al2O3短纤维方形预制件中的渗流情况，研究了铝熔液质量、预制件孔隙率和模具转速对渗透压力的影响，推导出了临界渗透参数关系式，分析了各种条件下满足临界渗透的晟小转速、最小渗铸质量以及最小孔隙率及其相互之间的影响规律。结果表明，针对本研究所用模型，温度确定，铝熔液质量、模具转速以及预制件孔隙率决定着渗透能否发生；随着渗透前沿界面的不断推进，渗铸总压力也在逐渐增大，若起始时刻初始界面能满足临界渗透条件，渗铸过程将维持下去，直至渗透过程结束。     

圆形自由射流冲击曲面的换热特性

采用直接表面温度测量的方法对水喷射高温曲面的传热过程进行实验研究.通过实验得到了驻点区及附壁射流区的对流传热系数的分布情况,并且系统地研究了射流出口速度、喷嘴至加热面的间距等参数对对流传热系数的影响.结果表明,圆形射流冲击曲面的局部传热系数沿传热面随X/D的增大而逐渐减小,驻点处的传热系数最大并且随射流速度的增大而增大,但是当射流速度增大到一定值时,驻点的对流传热系数的增大比较缓慢.在射流速度较低的情况下,喷距对局部传热系数的影响较为显著.     

国产双氯芬酸钠缓释栓的人体药代动力学研究

目的:研究国产双氯芬酸钠缓释栓人体内的药代动力学特征。方法:20 名健康志愿者单剂量给予100 mg 双氯芬酸钠缓释栓, 采用反相高效液相色谱法测定血浆中双氯芬酸钠的浓度。用3p87 程序计算其药代动力学参数。结果:主要药代动力学参数C_max 为1.1 ±0.3 mg·L^-1;T_max 为1.7 ±0.7 h;T_1/2(ke) 为2.4 ±0.6 h;CL 为27 ±6 L·h^-1;V_d 为74 ±25 L;AUC_0-∞为4.0 ±1.2 mg·h^-1·L^-1 。结论:双氯芬酸钠缓释栓在健康人体内的药代动力学符合单室模型特征。