二元合金在管形多孔预制件内的离心渗流过程

Al-4.5 wt.%Cu合金在多孔预制件内的渗流过程,在入口处发生的重熔和渗透前端凝固的现象,致使整个已渗透区域的温度、固相体积分数和溶质浓度的分布不一致.通过推导渗透动力学模型,建立渗流过程的热、质传递方程,并利用相似变换简化模型,迭代确定参数求解数值.计算结果表明,进口合金过热加剧、增大预制件的预热温度和孔隙率使重熔区长度增加,渗透前沿溶质铜浓度相应减小.增大离心转速,重熔区长度、渗透前沿溶质浓度也减小.过高的转速使整个渗透区域的压力明显增大,从而增加了对预制件的强度要求.数值计算出已渗透区域的热、质分布情况,对离心渗流实验研究有一定的指导意义.     

高温金属熔液在旋转多孔介质内的渗流传热过程

针对转动坐标系中铝熔液在SiC多孔介质内的流动传热现象 ,考虑离心力对渗流传热过程的影响 ,采用局部非热平衡假设建立多孔介质渗流传热数理模型 ,研究不同工况下流体的流速、压力损失及铝熔液和多孔介质的温度变化 .计算结果表明 :在渗透区域 ,液固两相存在温差 ,且液固温差随渗透界面的移动而减小 ;在非渗透区域 ,固体的温度曲线基本不变 .离心转速或孔隙率的增加都使渗透前沿区域液固两相温差增大 .孔隙率对流场和压力损失有较大影响.     

微型变压器用耐高温浅层灌封胶的研制

以甲基苯基硅树脂为基础聚合物,甲基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷为交联剂,钛酸酯为催化剂,添加增粘剂,稀释剂等制得耐高温灌封胶,研究了甲基苯基硅树脂中苯基含量对灌封胶耐温性、硬度及热膨胀系数的影响,并验证了不同耐温性、硬度及热膨胀系数的灌封胶对微型变压器灌封的影响。结果表明,当甲基苯基硅树脂中苯基摩尔分数为15%时,制得的灌封胶耐温高,硬度合适,热膨胀系数小,极适用于微型变压器的回流焊工艺。     

醒脑静注射液对乙醇所致记忆功能障碍的影响

目的: 观察醒脑静注射液(Xnji) 对乙醇所致记忆障碍的改善作用。方法: 乙醇一次给大鼠和小鼠灌服和连续灌服造成学习记忆功能障碍, 学习记忆的测试采用Morris 水迷宫法, 电迷宫法和避暗法。结果: Xnji 1.4, 0.7 ml·kg^-1可预防一次性灌服乙醇所致的大鼠空间辨别障碍;Xnji 1, 2 ml·kg^-1 可治疗连续灌服乙醇所致的小鼠空间辨别障碍和记忆获得障碍。结论: Xnji 可防治急、慢性乙醇中毒所致的学习记忆功能减退。     

一种旋转锥体床的颗粒混合与输运规律

采用带竖立环壁的旋转锥体床,并在环壁上设置溢流口,在锥体内设置固定搅拌器.研究颗粒在这种新型的旋转锥体内的混合和输运规律,探讨锥体旋转速率、颗粒给料速率、溢流口面积等参数对锥体内的颗粒混合、动态存料量以及停留时间的影响.结果表明,通过增设竖立环壁将大大延长颗粒在锥体的停留时间,而搅拌器的设置对于保证颗粒在锥体内的充分混合起着关键作用.在设置搅拌器的情况下,锥体内的动态存料量与给料速率成正比,而与锥体旋转速率成反比;停留时间与锥体旋转速率和给料速率成反比.增加溢流口面积,将缩短颗粒停留时间和降低锥体内的存料量.研究结果对于设计耦合旋转锥体床的煤热解气化炉具有一定的参考价值.     

基于分形概念的煤焦颗粒气化模型

应用分形概念描述煤焦颗粒内部微观孔洞形态,用Bethe网络模化颗粒孔隙空间拓扑结构,这种方法提供了一种真实自然的框架来描述颗粒的孔洞结构及其伴随着气化过程进行的孔隙开通、增大、汇聚现象.模型还描述了气化过程的逾渗破碎现象,因而可以用来模化各种工况下的实验数据.     

惰性多孔介质内天然气预混燃烧的数学模拟评述

天然气在惰性多孔介质内的预混燃烧是一个包含燃烧、辐射、对流及导热的复杂过程，从数学模拟的角度，比较了几种不同的甲烷-空气化学反应模型，研究了多孔介质内辐射传递方程的不同求解方法，并且分析了多孔介质的导热系数、对流换热系数等对燃烧器性能的影响。     

使用自制MOCVD系统外延高质量GaN基LED材料

A homemade 7×2 inch MOCVD system is presented.With this system,high quality GaN epitaxial layers,InGaN/GaN multi-quantum wells and blue LED structural epitaxial layers have been successfully grown. The non-uniformity of undoped GaN epitaxial layers is as low as 2.86%.Using the LED structural epitaxial layers, blue LED chips with area of 350×350μm~2 were fabricated.Under 20 mA injection current,the optical output power of the blue LED is 8.62 mW.     

双能态Cr+注入法制备GaCrN铁磁性薄膜

采用双能态Cr+注入法结合样品的快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型、非掺杂和p型GaN薄膜样品表面注入相同剂量的Cr+,得到了厚度约200nm的铁磁性GaCrN薄膜,并用XRD,SQUID和Hall法对3种样品的微结构和磁性能进行了测试分析.实验发现:GaCrN薄膜样品的饱和磁化强度与其初始载流子浓度的大小有关,n型和p型GaN样品注入Cr+后形成GaGrN薄膜的饱和磁化强度均显著大于非有意掺杂的样品.     

MOCVD外延生长高阻GaN薄膜材料

采用MOCVD技术在非有意掺杂的条件下,在C面蓝宝石衬底上制备出了高阻的GaN单晶薄膜样品.用扫描电子显微镜和原子力显微镜分析样品显示GaN外延膜的表面十分平整,表面粗糙度仅有～0.3nm.样品的X射线双晶衍射摇摆曲线(0002)峰的半峰宽为5.22',证实所生长的GaN外延层具有较好的结晶质量.变温Hall测量发现样品的室温电阻率高达6.6×108Ω·cm,250℃下的电阻率约为106Ω·cm.