品质保证 引领高效时代——惠普耗材MVC计划助力中国教学仪器设备总公司

自中国加入WTO以来,国内产业结构不断调整和优化,经济体制改革不断深化,全球化无疑是未来经济发展的必然趋势。为顺应这一趋势,中国教学仪器设备总公司将重点转向开发国际市场,加强和国际厂商     

无线传感器网络中基于树的动态多路径容错路由协议

多路径路由对无线传感器网络的负载均衡和容错能力等方面都有一定改善作用。在研究一些多路径路由算法的基础上,对分层的无线传感器网络路由进行探索,提出了一种基于树的动态多路径路由的生成方法,快速获得当前节点的主路径与备用路径。仿真结果表明,该方法可有效地均衡网络负载、减少时延、提高网络的可靠性。     

半年报窗口临近 市场机会仍看业绩

前言:二季度接近尾声,国内上市公司上半年业绩变动逐渐成为资本市场关注焦点,截至15日,沪深两市共有856家上市公司发布了中报预告,其中,除去ST公司,预增公司仅有325家,占公布业绩预     

基于着色Petri网的反导预警信息流转仿真与效能评估

为有效评估反导作战预警信息流转效能,分析了反导预警的作战过程,建立了基于着色Petri网(colored Petri nets,CPN)的反导预警信息流转模型,并用仿真软件对所建立的模型进行了仿真．通过优选效能评估指标,对反导预警信息流转CPN模型进行效能评估和优化．结果分析表明,适当减少用户的数量和传递层级,可以增加信息在用户之间的流转速率,以满足反导预警作战的时效性要求．     

国推污染控制认证启动促进产业环保健康发展——国推污染控制认证实施意见宣贯会议报道

近年来,工业和信息化部稳步推进电子信息产品污染控制。2009年11月,第一批电子信息产品污染控制重点管理目录公示,开始征求社会和业界意见。由于进入该重点管理目录的产品需要进行CCC强制认证,重点产品目录引发了一系列的思考：整机产品的有害物质超标,是整机厂的责任还是零部件或者材料厂的责任？作为一种化学物质管控要求,若零部件和材料企业不作为,整机企业如何提高？     

精密两维转镜的动力学仿真与控制误差分析

精密两维转镜作为激光角度欺骗干扰半实物仿真试验系统中模拟弹目、弹干扰视线运动的重要设备,其控制误差是影响视线运动模拟精度的重要因素,进而影响半实物仿真试验精度。以多体系统动力学方法推导了精密两维转镜的机电分析动力学模型,采用计算力矩法设计了两维转镜的轨迹跟踪控制器,并在Matlab/Simulink环境中对建立的反映转镜动态特性的数学模型进行了仿真,转镜方位、俯仰轴对等效正弦输入信号的角位置跟踪误差分别为2.2 mrad与3.5 mrad,结果表明:模型可实现对引导输入的角位置信号的高精度跟踪控制。     

第三届中国电子信息行业社会责任年会发布电子信息行业社会责任评价指标体系

正本刊讯由工信部指导、中国业作为市场经济主体要加深对社电子信息行业联合会和中国电子会责任的认识,在做大做强的基工业标准化技术协会主办的第三础上积极履行社会责任。届中国电子信息行业社会责任年工信部政法司2011年启动电会近日在北京召开。工信部总经子信息行业社会责任试点工作,本济师周子学出席会议,他指出社次年会为电子信息行业首批社会会责任是时代变迁、产业转型升责任实践基地企业中国电子科技级、企业可持续发展的需要,推集团公司和三星(中国)投资有动电子信息行业社会责任要继续限公司进行了启动仪式,发布了坚持"政府指导、行业推动、企中国电子信息行业社会责任发展业实践、社会参与"的方针,企指数,为深入研究电子信息企业     

广电IDC业务状况与未来发展的宏观构想

随着宽带提速进程的逐步加快,信息化的大力推广以及云计算等新技术的应用,IDC产业保持着迅猛的增长势头,对于广电网络来讲,如何融入IDC发展的大潮中,如何在竞争中占得一席之地,都是广电IDC业务亟待解决的重要课题。本文简要介绍了当前广电IDC业务的现状,并结合自身工作实践,对广电IDC业务的未来发展的宏观构想提出了粗浅的见解。     

探索中国产品认证新模式——国家认监委认证监管部沈军处长专访

记者：业界普遍了解国推自愿性认证是指由国家认证认可行业管理部门制定相应的认证制度、经批准并具有资质的认证机构按照“统一的认证标准、实施规则和认证程序”开展实施的认证项目。那么,相比较于国家推行的强制性认证制度和机构推行的自愿性认证制度,这种国推自愿性认证制度存在哪些优势？国推污染控制自愿认证对我国产品认证制度的意义如何？     

dU/dt引发的MOSFET误导通分析

分析了MOSFET误导通产生的原因,分别从原理和理论推导两个方面作了分析,主要考虑了开关管中寄生参数对开关特性的影响。通过求解误导通发生的条件,得到哪些参数会导致误触发,最后给出了仿真。文中还提出如何避免MOSFET误导通产生,以及改进方法,对减少实际应用中MOSFET破坏性损坏有一定意义。