蜂窝结构的红外热波无损检测

蜂窝结构是常规无损检测方法难以检测的对象。红外热波无损检测技术利用脉冲主动加热．采用红外热像仪实时监视表面温场,通过计算机完成图像采集,针对不同试件材料特点采用不同的图像处理方法进行处理。红外热波无损检测方法对蜂窝结构实现了快速、灵敏检测及动态演示,为进一步分析判断提供了依据。     

势垒层对黑硅光电探测器性能影响的研究

讨论势垒层Si3N4的引入对黑硅光电探测器光电性能的影响。探测器采用金属一半导体一金属（MSM）器件结构在黑硅层和电极间增加一层势垒层以提高肖特基势垒,从而减低器件的暗电流。实验表明,在相同的光照情况下,有势垒层的探测器暗电流比无势垒层的探测器暗电流至少低1个数量级,且势垒层厚度增加30nm其暗电流降低约1个数量级,而...     

一种新颖的X波段频率合成器的设计方法

通过比较几种频率合成器的制作方法，提出了采用直接频率合成与锁相器频率合成相结合的方法研制出的x波段频率合成器，它具有杂散抑制高达-75dB、输出频带宽至600MHz的特点。相位噪声为-95dBc／Hz @1 kHz，且具有电功耗更低，体积更小，质量更轻等优点。     

厅堂中声场强度的计算

经典混响场公式在计算实际厅堂的稳态声压分布时存在明显的缺点，即不能反映混响声能随接收点到声源距离的衰减这一特性。本文比Ｍ；Ｂａｒｒｏｎ的室内声场模型推导出压级分布的修正公式，其计算结果与计算机模拟值符合较好。     

彩色显像管的旋转涂复法

自从上个世纪发明阴极射线管以来,至今已发展了十多种涂复方法。在Werner Espe的《高真空技术材料》第三卷中,列举了喷涂、旋涂、沉淀、浸涂、刷涂、洒粉(干法)、蒸发、静电沉积、印贴法等,还有新发展的涂复技术如气相沉积、溅射、等离子喷涂、化学镀     

纳米Al2O3粉体材料激光烧结成型基础试验研究

基于激光烧结快速成型技术 ,利用CO2 激光对纳米Al2 O3 粉体材料进行激光烧结成型的试验并用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪等对烧结样品进行分析。结果表明 ,在适当的工艺参数下 ,对Al2 O3 粉体的激光烧结可获得一定形状的、致密的陶瓷块体 ,块体内部晶粒保持在纳米尺度     

溅射工艺条件对氧化钒欧姆接触特性的影响

采用反应磁控溅射并在氧氛围下进行后退火处理的方式,制备了氧化钒薄膜.尝试了在氧化钒上以不同衬底温度和溅射功率等工艺条件溅射金属薄膜电极.通过对氧化钒-金属接触的电流-电压(I-V)测试的数据进行分析拟合,研究了氧化钒薄膜表面性质和测试偏压的变化对I-V特性曲线欧姆系数的影响.结果表明在化学计量比约为VO2.15的非晶氧化钒薄膜上,溅射的金属电极随着溅射功率和测试偏压的提高,I-V特性曲线的线性度得到了逐步的改善.通过比较Ni/Cr,Ti及Al不同金属电极的接触性能,提出了合理的欧姆接触工艺条件以及电极工作电压范围.     

荧光灯电子镇流器的EMI滤波器设计

本文主要以基于恩智浦半桥驱动ICUBA2211设计的荧光灯电子镇流器为例,针对电路中存在的传导干扰,探讨了不同的滤波方法。通过在电路的电源入口处采取滤波技术对电路的EMI进行抑制,使电路的传导干扰的测试结果达到了国际的EMI标准限值。     

SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展

回顾了SiC单晶的发展历史，总结了目前的发展状况，同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺，最后介绍了SiC单晶的加工技术. 通过模拟计算与具体实验相结合的方法，调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚设计可以得到理想温场. 近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展，进而有利于减少缺陷提高晶体的质量. 由于SiC硬度非常高，对单晶后续的加工造成很多困难，包括切割和磨抛. 研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸SiC晶体，可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片；采用化学机械抛光法，可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加工变质层，加工后的SiC晶片粗糙度可小于1nm.     

基于PZT陶瓷谐振技术的光纤相位调制器研究

分析影响了基于压电陶瓷谐振换能器的光纤相位调节的主要参数,并根据参数研制出一种满足性能要求的压电陶瓷光纤相位调制器.结果表明,光纤伸长位移量与光纤直径、压电常数、工作电压及陶瓷直径有关,与压电陶瓷的厚度无关;压电陶瓷光纤相位调制器的具有工作频率高(100 kHz以上),驱动电压低(2～3 V),电容小,介电损耗小,自滤波谐振等特点.