非对称In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱的零场自旋分裂能与高场g因子

我们研究了非对称In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As量子阱中二维电子气的磁输运性质,所测量的样品的径向磁阻Rxx的Shubinikov-de Haas振荡没有呈现出拍频的特征。通过测量样品的弱局域效应提取了其零场自旋分裂能并通过对自旋分裂的Rxx双峰间距随倾斜角度theta的依赖关系的拟合提取了高场下的有效g因子。样品的Dingle plot图呈现非线性和特征,这可以归因于来自样品衬底附近的掺杂Be原子的长程势散射效应。     

Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3单晶紫外可见近红外光学性质

通过温度依赖的透射和反射光谱研究了在准同型相界附近的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3(PMN-0.3PT)单晶光学性质.这种禁带宽度随温度范围不同变化规律不同现象,揭示了PMN-PT单晶温度依赖的复杂相结构.禁带宽度Eg在303 K是3.25 e V,临界点Ea是3.93 e V,临界点Eb是4.65 e V,它们随着温度的上升而下降,在453 K禁带宽度Eg是3.05 eV,临界点Ea是3.57 eV,临界点Eb是4.56 eV.这三个跃迁能量Eg、Ea、Eb分别对应从O 2p到Ti d、Ni d、Pb 6p轨道跃迁.它们随温度上升而下降的变化规律可以用晶格热膨胀和电子声子相互作用理论来解释.通过Tauc-Lorentz色散模型拟合得到了303 K到453 K温度范围的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O3-0.3PbTiO_3单晶光学常数及其随温度的变化规律,发现折射率n随着温度的升高而升高.     

镧掺杂BiGaO3多晶薄膜光学性质

采用溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了不同镧掺杂浓度BiGaO_3(Lx BGO,0≤x≤0.1)薄膜.X-射线衍射(XRD)表明该属于正交晶系的多晶薄膜,原子力显微镜(AFM)图像显示样品表面具有很好的平整性.采用椭圆偏振技术对其光学性质进行了详细的研究,发现其光学常数符合Adachi色散模型.进一步发现其禁带宽度随着镧掺杂浓度的增加而增加,该规律与理论预言相吻合.有关LxBGO材料的研究为铋基光电器件如紫外探测器的实现提供物理基础支持.     

Hg_（1－x）Cd_xTe的扫描光致发光研究

用傅里叶变换红外扫描光致发光方法研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ体单晶样品，该方法可直接得到ＨｇＣｄＴｅ晶片组分的二维平面分布，并可得到辐射复合在复合机制中所占比重的平面分布，以及晶体中非平衡载流子寿命的分布     

用红外光吸收法测定Hg_(1-x)Cd_xTe组分

在室温下测量了组分x=0.170～0.443的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品的本征吸收光谱,并采用参考文献[4][5]中的方法确定其禁带宽度,发现与禁带宽度相当的能量处的吸收系数为α(E_g,300K)=500 5600x。把该式作为用红外光吸收法测定Hg_(1-x)Cd_xTe组分的工作曲线,先测出未知组分的Hg_(1-x)Cd_xTe厚样品的吸收边,并延长到α(E_g,300K)处,得到E_g(300K)后,即可求得待测组分:     

空芯光纤硅太阳能电池制备及光捕获研究

本文提出一种空芯光纤结构硅基太阳能电池,并探讨其制备方法和光捕获性能.依据平面电池受光原理和空芯波导的限光机制提出了空芯光纤硅基太阳能电池结构,采用卷曲柔性平面非晶硅薄膜电池制备出圆筒形空芯光纤硅电池.通过对比研究入射光量一定的条件下平面电池和空芯光纤电池的光生电流和电压值,评估空芯光纤电池的光捕获效果.通过测量不同光入射角度和光照强度下空芯光纤电池的光生电流和电压值,揭示光入射角度和光照强度对空芯光纤电池光捕获性能的影响关系.研究表明,空芯光纤硅基电池能将入射光线限制在波导结构内反复吸收和反射,从而在光捕获性能方面较平面电池有所提升(~19.8%).光线入射角度对空芯光纤电池的光捕获性能有较大影响,在30°~50°入射时可以获得较大的光生电压和电流值.在0~100 000 lux的光照强度范围内,光生电压先随光照度增加而增大,而后逐渐趋于恒定值.通过卷曲柔性平面硅电池获得光捕获效率较高的空芯光纤硅电池是可行的,采用结构简单、光线单次入射吸收较低的单节薄膜电池制备空芯光纤电池有望获得更好的光捕获效率提升效果.     

LaNiO3溅射薄膜的光学和电学特性的研究

采用LaNiO3陶瓷靶和射频磁控溅射技术在350℃的K9玻璃衬底上制备出了具有较好（100）择优取向的LaNiO3薄膜。通过对不同厚度薄膜的光学、电学以及薄膜结构等物理特性的测试分析，发现薄膜厚度小于100nm时为非晶结构，厚度大于150nm后出现了具有（100）择优取向的LaNiO3相。非晶结构的LaNiO3具有较高的面电阻和高的光学透射率，而晶化的LaNiO3薄膜具有类似于金属的导电能力和光学特性。薄膜的生长动力学和导电分析结果认为薄膜生长的初期会形成一个非晶过渡层。     

采用新颖自对准法制备高精度硅衍射微透镜阵列及其与红外焦平面阵列集成

硅衍射微透镜阵列通常被用来与红外焦平面集成而提高器件性能。在常规套刻法用于制备硅衍射微透镜阵列时光刻误差是很难避免的。这对器件性能及后续应用产生严重的影响。针对此问题,本文提出一种高精度硅衍射微透镜阵列制备的新颖自对准方法。该方法中硅衍射微透镜阵列的制备精度只由第一次掩膜光刻的精度决定。在后续的刻蚀中,采用掩膜层和牺牲层或保护层将已刻蚀区域进行保护,对未保护区域进行刻蚀,有效地阻挡非刻蚀区域,精确刻蚀所需刻蚀区域。采用新颖自对准法可以制备出高精度硅衍射微透镜阵列,其衍射效率可达到92.6%。与红外焦平面探测器集成后,平均黑体响应率提高了8.3%,平均黑体探测率提高了10.3%。这表明硅微透镜阵列可以通过会聚作用提高焦平面阵列占空因子,同时降低串扰,进而提高焦平面阵列性能。该研究结果对通过优化微纳器件制作水平提升其性能具有重要参考意义。     

AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性

通过低温强磁场下的磁输运实验，研究了AlxGa1-xN／GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质。1．4K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于5．4T时观察到的明显对应于第一子带的自旋分裂现象。用Dingle作图法得到本样品rq的大小为0．17ps。结果表明，本实验所用的调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构具有较大的有效g因子g‘‘。用高2DEG浓度导致的交换相互作用加强解释了g‘‘增强效应。在磁阻测量中改变磁场方向，自旋分裂现象表现出各向异性。用异质结构界面处强的极化电场解释了自旋分裂的各向异性。     

掺杂比对脉冲激光沉积的ZnO:Al膜性能的影响

用脉冲激光法制备了ZnO :Al透明导电膜。通过对膜的霍尔系数测量及SEM、XRD分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :掺杂比影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。掺杂比从 0 .75 %增至 1 .5 % ,膜的载流子浓度、透光率 (波长大于 5 0 0nm)和光隙能相应增大。在掺杂比为 1 .5 %左右时沉积的膜的电阻率达到最小 ,其值为7.1× 1 0 -4 Ωcm ,且在可见光区其透光率超过了 90 %。