本征α－Si∶H MIS结构电导机制

利用本征α－Ｓｉ：Ｈ薄膜材料制成了Ａｌ－Ｓｉ（１－ｘ）Ｎｘ－ａ－Ｓｉ：Ｈ金属－绝缘体－半导体结构，用高精度差分电容谱仪在５０℃和暗背景条件下测量了这种结构的变频电容谱及变频电导谱。讨论了该ＭＩＳ结构中可能存在的电导机制，计算了禁带态能谱并根据修正后的实验结果得到了其俘获电子的时间常数及截面。     

改进溶胶-凝胶法制备PZT5O/5O铁电薄膜

采用改进的溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PZT50/50铁电薄膜，用X射线衍射表征了薄膜的物相，用原子力显微镜（AFM）表征薄膜的微观形貌，用RT-66A测量了薄膜的铁电特性，获得了具有优良的铁电性能的晶粒尺寸为100nm的PZT50/50铁电薄膜，在20V电压下，Pr=31.83uC/cm^2。     

用K-K关系求Hg_(1-x)Cd_xTe的长波折射率

根据Hg_(1-x)Cd_xTe的本征吸收光谱,利用K-K关系式,计算了Hg_(1-x)Cd_xTe不同组份样品的长波折射率N_0,发现该材料符合Moss关系式n_0~4E_g=55.5x+7.8。把E_g(x,T)的经验公式代入,得到n-0的经验公式,可以计算不同组份样品在不同温度下的n_0值,结果与实验基本相符。     

HgGdTe子能带电子的磁光共振

报道P-Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.234、N_A=4×10~(17)cm~(-3))MIS结构样品在电量子限条件下电子子能带朗道能级间磁光共振光跃迁实验结果。测量了不同光子能量和样品在不同表面电子浓度时子能带朗道能级间和自旋能级间的回旋共振和自旋共振。定量地证明了窄禁带半导体量子阱子能带朗道能级的移动和交叉效应,这一效应起源于表面势的反演不对称所导致的较强的表面电子自旋轨道相互作用。     

化学溶液分解法制备的Bi2Ti2O7薄膜的红外光学性质研究

采用化学溶液分解法在n-GaAs(100)衬底上制备了Bi2 Ti2 O7薄膜．利用红外椭圆偏振光谱仪测量了波长为：2.8-12.5μm范围内Bi2 Ti2 O7薄膜的椭偏光谱,采用Lorentz-Drude色散模型拟合获得Bi2 Ti2 O7薄膜的红外介电常数,并进一步计算得到折射率n、消光系数κ和吸收系数α,拟合计算得到Bi2 Ti2 O7薄膜的厚度为139．2nm.     

窄禁带半导体的光电跃迁效应

光电跃迁效应是窄禁带半导体红外探测器的基本物理过程。本文主要论述窄禁带半导体碲镉汞的带间光吸收跃迁的理论和实验。文中阐述了带间光吸收效应的基本规律的发现及其科学意义,介绍了这些规律在碲镉汞红外探测器材料器件设计中的应用,以及它在解释近年来发现的HgCdTe光电二极管电致负荧光现象方面的应用。     

学报任重而道远——《红外与毫米波学报》创刊30周年暨第7届编委会会议

<正>《红外与毫米波学报》(以下简称学报)创刊于1982年,原为《红外研究》,经历了整整30年的发展,在中科院上海技术物理研究所的大力支持下,在原主编汤定元院士的指导和历届编委会的努力下,伴随着红外与毫米波科学技术的发展,已经成为一     

非致冷钛酸锶钡铁电薄膜红外探测器

采用半导体微机械(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)技术制备了具有热隔离微桥的8×8元非致冷Ba0.8Sr02TiO3薄膜红外探测器列阵原型器件.热释电性能优良的Ba0.8Sr0.2TiO3薄膜是使用浓度为0.05M的前躯体溶液、采用Sol-Gel制备的.在5～30℃的温度范围内,Ba0.8Sro2TiO3薄膜的热释电系数大于20nC/cm2K,在16.8℃处达到最大值41.3 nC/cm2K.在19℃的环境温度下,使用500 K黑体作为红外辐射源,测得10 Hz调制频率下,探测单元的探测率D*为5.9 × 107cmHz1/2W-1.对器件结构的进一步改进和测试条件的进一步改善可望获得更高的探测率.     

多功能半导体光电性质测试电路的设计

设计了一个多功能半导体光电性质测试电路。配合红外光谱仪,该电路能完成相应波段的光电流谱测试。设计还加入了交流信号发生器功能,可用于半导体弱电场调制反射光谱测试,具有很高的应用价值。该电路在为半导体样品提供低噪声、高稳定性的电学测试环境的同时,也具备友好的人机交互接口,可实时地对测试条件进行控制和监视。文章分析介绍了电路系统中各个模块的硬件结构,并对设计中应用的两个主要芯片及其与单片机的接口电路进行了详细描述.     

生长于Pt/Ti/SiO2/Si衬底的ZnxNi(1-x)Mn2O4薄膜的结构与光学性质

采用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上生长了ZnxNi1-xMn2O4（ZNMO, x=0, 0.05, 0.1, 0.15, 0.2, 0.25）尖晶石氧化物薄膜。X射线衍射(XRD) 与场发射扫描电子显微镜(FESEM) 分析结果表明,Zn的掺杂浓度对ZNMO薄膜的结晶性和微结构有明显影响。用椭圆偏振光谱仪测量分析了ZNMO薄膜在300-1100nm波段的光学常数,并讨论了Zn掺杂对折射率n和消光系数k的影响。在薄膜的拉曼光谱中观测到两个峰A1g与F2g,A1g模式的相对峰位随着Zn的掺杂浓度x的增大而减小。由于晶格应变与晶格失配,拉曼峰峰位随Zn掺杂浓度的变化而轻微移动。