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71.
根据Hg1-xCdxTe本征吸收系数的经验公式及Hougen模型,建立了一种用室温红外透射谱研究Hg1-xCdxTe外延薄膜组份均匀性的方法,用这种方法检测了LPE、MBE、MOCVD薄膜的组份分布,并与二次离子质谱(SIMS)测量结果进行了比较 相似文献
72.
在200~300K范围内测量了n-HgCdTe的电学参数,并推导了载流子浓度、迁移率、电阻和组分的关系表达式,所得结果与红外光谱测量数据符合.利用HgCdTe光导器件的电阻-温度特性确定组分,不需要电阻的精确值,是一种判断器件均匀性和性能的有效方法 相似文献
73.
制成一批本征α-Si:H的金属-绝缘体-半导体(MIS)结构;用高精密差分电容谱仪测量了这种结构在50℃时的电容、电导谱;通过修正获得了由隙态决定的电导并求得了隙态俘获电子的时间常数及截面。 相似文献
74.
利用本征α-Si:H薄膜材料制成了Al-Si1-xNx-α-Si:H金属-绝缘体-半导体结构,用高精度差分电容谱仪在50℃和暗背景条件下测量了这种结构的变频电容谱及变电导谱。讨论了该MIS结构可能存的电导机制,计算了禁带态能谱并根据修正后的实验结果得到了其浮获电子的时间常数及截面。 相似文献
75.
在100K条件下测量了p型InSb MOS器件的变频电容-电压(C-V)谱,在反型区观察到第二子带填充电子的台阶效应,还发现一个位于导带中的共振缺陷态.采用非量子限多带C-V拟合模型获得了子能带结构. 相似文献
76.
<正> 本文在4.2K下测定了p-HgCdTe MIS结构样品的量子电容谱,表面磁阻振荡,表面回旋共振以及表面电子自旋共振,确定了HgCdTe反型层电子子能带结构,包括能级位置、费米能级、有效质量、反型层耗尽层厚度等,并推导了由于自旋轨道相互作用而引起的电致自旋分裂子能带的色散关系和朗道能级扇形图,还研究了朗道能级以及自旋能级间的光跃迁问题。 相似文献
77.
LaNiO3缓冲层对Pb(Zr,Ti)O3铁电薄膜的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3(PZT/LNO)多层薄膜。X射线衍射测量表明LNO缓冲层的引入使PZT薄膜(111)择优取向度减小,(100)取向增加。原子力显微镜测量表明引入LNO缓冲层使得PZT薄膜表面更加平整、致密。在LNO缓冲层上制备的PZT薄膜具有优良的铁电特性和介电特性:LNO缓冲层厚度为40nm时,500kV/cm的外加电.场下。剩余极化(Pr)为37.6μC/cm^2,矫顽电场(Ec)为65kV/cm;100kHz时,介电常数达到822,并且发现LNO缓冲层的厚度为40nm,PZT的铁电、介电特性改进最为显著。 相似文献
78.
79.
近年来超快过程研究进展迅速,现分辨率已达到1fs,激发态的寿命是纳秒,因此有可能用超快过程方法研究激发态的响应过程和动力学演化激发态具有基态所不具有的新的物理性质,因此近年来光激发引起的新现象研究已成为物理、化学和材料等交叉学科领域中的一个新的生长点. 本工作用含时薛定谔方程和分子动力学方法研究了在外加电场作用下,具有一个额外电子和空穴的聚合物链(即自陷束缚单激子态)在吸收一个光子,变成具有两个额外电子和空穴的聚合物链(即自陷束缚双激子态)时,聚合物链中键结构和电荷密度分布的动力学演化过程.发现… 相似文献
80.
褚君浩 《红外与毫米波学报》1985,4(1)
本文讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe窄禁带半导体在费密能级筒并情况下,本征载流子浓度计算公式的应用,并计及导带电子浓度的非抛物带修正因子,计算了简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级。本文还在77~300K温度范围内测量了组份为x=0.165、0.170、0.194的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品的本征吸收光谱,观察到明显的Burstein-Moss移动。实验所得光学禁带宽度与费密能级计算结果一致。 相似文献