非接触电能传输系统参数非线性规划

针对非接触电能传输系统的频率分叉问题,提出一种改进的参数设计方法.将频率分叉参数模型等效为约束条件,以传输效率最高为目标,同时考虑输出稳压、参数额定值等条件,建立系统的非线性规划模型,采用遗传算法来优化模型参数.为了增强算法处理约束的能力,去掉对约束的整体归一化以增大约束的整体权重|对没有可行个体的种群,将核心约束的满足比例作为新的自适应罚参数,以降低违反核心约束个体的适应度.仿真与实验结果表明：该算法处理约束能力增强|所得参数能使系统稳定运行于零相角频率处,无分叉现象|发现系统在频率分叉区外仍可能存在频率稳定的区域,降低系统参数优化的约束强度.     

有机纤维对“客运专线”用C40高性能混凝土性能的影响

目的为增强混凝土早期抗塑性开裂性能及耐久性,研究了有机纤维种类、长度及掺量对混凝土工作性能、力学性能及抗碳化性能的影响．方法采用坍落度试验、抗压与抗折强度试验、混凝土碳化试验及平板约束法测试进行研究．结果聚丙烯腈（PAN）纤维对混凝土工作性能影响最大,坍落度降幅达86％;掺入19mm聚丙烯（PP）单丝纤维,坍落度下降25％;加入0．15％PP纤维,坍落度降幅达28．7％,含气量增加25．9％;掺入聚乙烯醇（PVA）纤维后,混凝土7d、28d抗压强度降幅最大,分别达30．4％、23．5％;12mmPP单丝纤维体积掺量为0．15％时混凝土的抗裂效果明显好于0．05％掺量,而碳化深度较基准低30％．结论混凝土中掺入有机纤维后,早期抗塑性开裂性能明显增强;混凝土的抗裂效果随纤维长度和掺量增加,效果越来越明显;有机纤维的加入明显提高混凝土的抗碳化力,力学性能有所降低,但降幅不大．     

关于纺织印染行业清洁生产审核的探讨

推行清洁生产是促使纺织印染企业向绿色环保转型,走可持续发展之路的重要途径。结合纺织印染行业国家政策和审核实践,从节水减污、节能、挥发性有机物(VOCs)减排方面进行清洁生产潜力分析,介绍了纺织印染企业典型清洁生产方案,为该行业清洁生产的开展提供一定的参考和借鉴。     

阻抗分析仪测量功率MOSFET器件栅极分离电容C-V特性的误差分析及调控方法

功率MOSFET器件栅极分离电容C-V特性(C_GS-V_G、C_GD-V_G)的准确测量对于器件的建模及栅氧可靠性的评估十分重要。阻抗分析仪是测量C_GS-V_G、C_GD-V_G的关键设备。在利用阻抗分析仪测量三端器件的某个参数时，需对非测量的第三端进行屏蔽以消除其引入的并联阻抗误差。而功率MOSFET器件在栅压超过阈值电压时呈导通态，影响测量电路拓扑，进而引入其他测量误差。该文针对阻抗分析仪测量功率MOSFET器件的C_GS-V_G、C_GD-V_G进行详细的误差分析，揭示测量误差产生的原因；建立测量的等效电路，给出测量误差的解析表达式；结合实验和数值分析量化误差分析，验证了等效电路模型的有效性；最后，提出三种可实现C-V特性准确测量的调控方法并予以实验验证。结果表明，测量误差发生在器件导通后，此时器件漏源极间由电容态转变为低阻态，屏蔽端的寄生...     

复合绝缘结构中瞬态电场计算的复频域有限元法

随着电力电子器件和装备在电力系统中的广泛使用，器件和装备自身由多种绝缘材料构成的复合绝缘结构往往承受着正极性周期方波电压。在这种非正弦周期电压激励下，复合绝缘结构中的瞬态电场分布满足电准静态场条件。由于界面电荷的弛豫现象，复合绝缘结构中的瞬态电场在经过一段过渡过程后，最终达到非正弦周期稳态。现有基于傅里叶(Fourier)变换的频域有限元法只能得到非正弦周期激励下的周期稳态解，无法获得其瞬态响应。为此，文中综合考虑复合绝缘结构中的电荷弛豫，在电准静态场条件下，基于数值拉普拉斯(Laplace)变换的直接算法，提出复频域有限元法，推导复频域边界电场约束方程。此外，还提出数值Laplace变换直接算法中衰减系数的选取公式，实现了高精度的数值Laplace变换及其反变换。数值计算结果表明，所提的复频域有限元法能有效计算非正弦周期激励下的过渡过程，同时还可以计算由初始状态引起的零输入响应。所提方法为周期激励下复合绝缘结构的瞬态电场计算提供一种新方法。     

温度与湿度对氨为添加剂脉冲放电烟气脱硫影响的研究

对脉冲放电烟气脱硫进行了实验研究与理论分析,结果表明SO2的脱除主要取决于NH3与SO2发生热化学反应。单位体积烟气注入能量0－5Wh/m^3,脉冲放电使SO2脱除率提高0－25％,脱硫产物的主要组分是（NH4）2SO4,其含量随着单位体积注入能量的增加而增大,在单位体积烟气注入能量为3Wh/m^2,停留时间小于10s工业应用许可的范围内,烟气脱硫最佳温度为60－65℃,最佳含水体积分数为9％－11％。     

换流回路的寄生参数对碳化硅MOSFET开关特性的影响

为有效评估换流回路的寄生参数对碳化硅MOSFET开关特性的影响,首先建立了考虑换流回路寄生参数的完整的碳化硅MOSFET开关暂态电路模型,该模型考虑了换流回路负载电感的寄生电容,并将换流回路的寄生电感分为二极管支路电感和其他串联电感两部分,基于所建立的模型分析了器件的开关特性.然后搭建了碳化硅MOSFET动态特性测试平...