珠江水资源综合规划工作大纲和技术细则通过审查

20 0 2年 10月 19～ 2 1日 ,珠江水资源综合规划工作大纲和技术细则在北京通过了由水利部水利水电规划设计总院组织的审查。按会上的审查意见 ,珠江委对该大纲及细则作了修改完善 ,并正式上报水利部审批。目前 ,珠江水资源综合规划工作正以此大纲和技术细则作为指导依据珠江水资源综合规划工作大纲和技术细则通过审查@赵颖     

微机CMC—80为基的超薄板焊接过程控制系统的研究

本文叙述了以微机CMC—80为基的超薄板焊接过程控制系统,它在原有SBZ—30—1型系统的基础上,扩展了点位控制、熔透适应控制、电流波形调制与恒值控制,显示班产量与废品率等功能;增强了灵活性与精度。文章还就控制系统软件设计和调试的问题作了扼要叙述。     

促进包装容器的分类收集和循环利用法

(接上期) 8.2.在城市的分类收集计划里,应该明确下列关于辖区内容器和包装废物的分类收集的事情应该明确: (1)计划每年容器和包装废物的产生量。 (2)限制容器和包装废物产生的措施。 (3)将要执行分类收集的容器和包装废物的类型,容器和包装废物收集的分类类别。 (4)对每年收集的达到分类标准的废物,计划每一个分类标准的数量并且计划第2条第6款所说的相关部门的指令说明的废物的数量。     

微晶硅薄膜太阳电池中孵化层研究

对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究.喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜太阳电池在p/i界面存在着一定的非晶孵化层.孵化层的厚度随硅烷浓度的增加或辉光功率的降低而增大.可以通过适当的硅烷浓度或适当的辉光功率来降低孵化层的厚度.     

地层伤害对水平井产能影响的评估

地层伤害是用于描述钻井，完井和采油作业导致井眼附件渗透率降低的一个术语。地层伤害导致渗透率降低会增加近井带的压降，从而降低油井产能。水平井对地层伤害的敏感性远不如直井，这就使钻井和完井作业人员能够更加灵活地制定经济有效的油井方案。     

Al:Ti合金栅a-Si TFT研究

本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a－SiTFT中的应用．所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6．6μΩ·cm，与纯铝的相近．Ti的加入使Al∶Ti合金惰性增强，有效地抑制了小丘（Hillock）的产生和阳极氧化时的被腐蚀现象．采用Al∶Ti合金栅和Al2O3／SiNx双层绝缘层的a-SiTFT有着与采用Ta栅和单层SiNx绝缘层的a－SiTFT相近的I－V参数，但前者稳定性明显提高．经+10V栅偏压处理1小时，未见VT漂移．这种双层冗余技术还能有效提高成品率．     

高桩码头整体模型试验研究

一、前言目前在我国港工建筑中,高桩梁板式码头是比较重要的码头结构型式。为适应港口建设现代化的需要,交通部第四航务工程局在湛江一区南新建港区兴建若干座万吨级码头,采用了上述这种型式。为了做到精心设计、精心施工,受该局委托,我所进行了高桩码头五跨排架整体模型试验。模型试验取一整段高桩码头,共五跨(六榀)排架,作为连续空间结构,对四种排架桩基布置方案在门机荷载、火车荷载及水平荷载下的结构内力进行了试验和分析比较。此外并进     

N-I-P 单结微晶硅太阳电池中N/I 与 I/P界面缓冲层的研究与优化

采用高压RF-PECVD技术制备了本征微晶硅薄膜和n-i-p结构微晶硅太阳电池。详细研究了n-i-p微晶硅太阳电池中n/i 和 i/p 缓冲层对太阳电池性能的影响。实验结果表明,提高n/i 界面晶化率以及在i/p 界面加入非晶缓冲层均有利于太阳电池性能的提高。通过优化界面缓冲层,微晶硅单结电池和非晶硅/微晶硅叠层电池的性能得到大幅度提高。     

过渡区p层在高速沉积非晶硅薄膜电池中的应用

研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积从微晶相向非晶相相变的过渡区p层,并将其作为电池的窗口层应用到高速沉积的非晶硅薄膜电池中。通过调整p层的沉积参数,获得不同p层的暗电导率从1.0E-8S/cm变化到1.0E-1S/cm,并获得了从微晶相向非晶相转变的过渡区p层。实验发现,电池的开路电压Voc随p层SiH4浓度的增加先增加后降低,当p层处在过渡区时达到最大;p层处在过渡区时电池的短路电流Isc和填充因子FF都得到了不同程度的提高。在p/i界面引入buffer层后,能进一步显著提高电池的FF和Voc。在过渡区p层作为电池窗口层,没有背反射电极,本征层沉积速率为1.5nm/s情况下获得效率达8.65%(Voc=0.89V,Jsc=12.90mA/cm2,FF=0.753)的高速非晶硅薄膜电池。比较了过渡区P层与P-a-SiC:H分别作为电池窗口层对于电池性能特别是FF的影响,由于存在结构演变的原因,FF对于过渡区P层厚度的依赖大于后者。     

衬底温度对ZnO纳米结构的影响

利用超声喷雾热解(USP)技术,以普通玻璃为衬底,制备了不同衬底温度下的系列ZnO薄膜.用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)研究了衬底温度对ZnO结构的影响.结果表明,薄膜的微观结构随衬底温度变化显著.在410℃获得了ZnO纳米棒,纳米棒直径在50 nm左右,沿c轴择优生长,结晶质量较好.