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MOVPE生长GaN的准热力学模型及其相图 总被引:1,自引:1,他引:1
本基于准热力学平衡模型对以TMGa和NH3为源的MOVPE生长GaN的过程进行了分析,并在此基础上计算了MOVPE生长GaN的相图,GaN的MOVPE相图由GaN(s)单聚集相区,GaN(s)+Ga(l)双凝聚相区,表面会形成Ga滴的两个腐蚀区构成,本着重讨论了生长温度,反应室压力,载气组分,NH3分解率和V/Ⅲ比对GaN单凝聚相区边界的影响。 相似文献
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综述了Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 MOCVD 技术中新前体的发展近况,讨论了发展新前体的动力及当前达到的水平和问题,分析了分子结构与前体热稳定性、化学稳定性、熔点及蒸汽压之间的关系。 相似文献
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针对热轧厂层流冷却在带钢热轧生产线上的重要作用,根据层流冷却的工作原理,对热轧生产线层流冷却装置的结构、集管布置技术要求进行了深入的论述和探讨。并结合某热轧厂的设备设计工作对层流冷却系统的层流模型进行了理论计算,同时通过对原有层流冷却系统的改造,取得了满意的效果。这对以后热轧层流冷却系统的设计及改造具有很好的指导意义。 相似文献
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小方坯连铸机结晶器单板簧振动装置机构优化设计 总被引:1,自引:0,他引:1
从机构学角度出发,导出了单板簧振动装置机构运动轨迹偏差的计算公式.建立起该机构参数优化设计的数学模型,编制成相应的计算程序:实例证明,本方法正确,对内、外弧振动装置的结晶器单板簧振动机构、双板簧振动机构、四连杆振动机构均适用. 相似文献
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为了对特种气体进行净化,我们于1984年开展了GI型净化剂的研制。经过几年的努力,已研制成一种能用于永久性气体和特种气体的以镓为主要原料的净化剂,其脱氧深度对于8ppm的氢气可脱到0.03ppm,其脱水可由375ppm(露点-30℃)脱到0.54ppm(露点-80℃)。一、仪器与实验装置采用SIGMA型气相色谱仪、玻璃露点仪与二次仪表(数字式毫伏计)、ZAV-2型黄磷发光微氧仪。实验流程如图1所示。 相似文献