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31.
氮化镓缓冲层的物理性质   总被引:4,自引:0,他引:4  
用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在蓝宝石衬底上生长了不同厚度和不同退火过程的氮化镓(GaN)缓冲层,以及在缓冲层上继续生长了GaN外延层.研究了这些缓冲层的结晶学、表面形貌和光学性质以及这些性质对GaN外延层的影响.提出了一个模型以解释用MOVPE方法在蓝宝石衬底上生长GaN外延层时存在一个最佳缓冲层厚度这一实验结果  相似文献   
32.
氮化镓缓冲层生长过程分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了用金属有机物化学气相外延(MOVPE)在蓝宝石上生长氮化镓(GaN)缓冲层的生长速率随生长温度(500~600℃)的变化关系.用原位激光反射厚度测量方法,发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响.提出了生长过程的微观模型,解释了MOVPE生长GaN缓冲层过程中观察到的现象.  相似文献   
33.
MOVPE生长GaN的准热力学模型及其相图   总被引:1,自引:1,他引:1  
本基于准热力学平衡模型对以TMGa和NH3为源的MOVPE生长GaN的过程进行了分析,并在此基础上计算了MOVPE生长GaN的相图,GaN的MOVPE相图由GaN(s)单聚集相区,GaN(s)+Ga(l)双凝聚相区,表面会形成Ga滴的两个腐蚀区构成,本着重讨论了生长温度,反应室压力,载气组分,NH3分解率和V/Ⅲ比对GaN单凝聚相区边界的影响。  相似文献   
34.
介绍了设备螺旋排料机的设计结构,根据排料机的工作特点,重点讨论了排料机水冷结构的设计特点并确定了螺旋轴的基本参数。  相似文献   
35.
陆大成 《稀有金属》1993,17(4):301-308
综述了Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 MOCVD 技术中新前体的发展近况,讨论了发展新前体的动力及当前达到的水平和问题,分析了分子结构与前体热稳定性、化学稳定性、熔点及蒸汽压之间的关系。  相似文献   
36.
钟小平  唐彬  陆大成 《冶金设备》2010,(4):28-30,33
基于某厂新建蓄热式加热炉的改造项目,采用了短流程设计方案和合理的干除渣方式,解决了上料台架的集中上料、对中上料以及出钢机长行程出料问题,优化设计了高架式出钢机的控制时序,为现场设备调试提供了设计依据。  相似文献   
37.
针对热轧厂层流冷却在带钢热轧生产线上的重要作用,根据层流冷却的工作原理,对热轧生产线层流冷却装置的结构、集管布置技术要求进行了深入的论述和探讨。并结合某热轧厂的设备设计工作对层流冷却系统的层流模型进行了理论计算,同时通过对原有层流冷却系统的改造,取得了满意的效果。这对以后热轧层流冷却系统的设计及改造具有很好的指导意义。  相似文献   
38.
用MOVPE方法在蓝宝半底上生长了高纯氮化镓外延材料。  相似文献   
39.
小方坯连铸机结晶器单板簧振动装置机构优化设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
陆大成  万清生 《钢铁技术》2003,(6):13-16,51
从机构学角度出发,导出了单板簧振动装置机构运动轨迹偏差的计算公式.建立起该机构参数优化设计的数学模型,编制成相应的计算程序:实例证明,本方法正确,对内、外弧振动装置的结晶器单板簧振动机构、双板簧振动机构、四连杆振动机构均适用.  相似文献   
40.
为了对特种气体进行净化,我们于1984年开展了GI型净化剂的研制。经过几年的努力,已研制成一种能用于永久性气体和特种气体的以镓为主要原料的净化剂,其脱氧深度对于8ppm的氢气可脱到0.03ppm,其脱水可由375ppm(露点-30℃)脱到0.54ppm(露点-80℃)。一、仪器与实验装置采用SIGMA型气相色谱仪、玻璃露点仪与二次仪表(数字式毫伏计)、ZAV-2型黄磷发光微氧仪。实验流程如图1所示。  相似文献   
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