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我一直在想,如果我不是来到杭州,日子会是怎样?每当想到这个问题,十年前的往事历历在目.2002年的春天,我背着包来到了杭州.老婆抱着刚刚两岁的女儿送我,伊呀学语的女儿拉着我的衣服不让我走.我是真不愿意走,但看着家里那三间在春雨里斑驳着、漏着雨的泥房,看着可爱的妻女,终于,我还是狠狠心,踏上了一列开往"春天"的列车. 相似文献
72.
近极太阳同步轨道抛物面型辐射制冷器的理论研究 总被引:7,自引:3,他引:4
介绍了应用于太阳同步轨道卫星的抛物面型辐射制冷器的主要结构,对其优化设计和热平衡进行了理论分析,并给出了计算方法。 相似文献
73.
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近期,我国遭遇的贸易壁垒层出不穷,非关税措施有了新的变化,技术性壁垒的比重增加,各国的新型贸易限制措施日渐涌现,非发达国家与劳动密集型的低附加值产品成为最受“关注”的对象……[编者按] 相似文献
76.
结合该航站楼空调冷水系统案例,对空港建筑空调冷水系统在系统形式、初投资、节能性和运行调试等方面进行了分析与研究,并说明了水力模拟的重要性。 相似文献
77.
伴随着信息技术和计算机技术的快速发展,如今数字信号处理技术已经成为现代科学发展的核心技术。再加上不断成熟的单片机技术,使得单片机在数字信号处理中有了更为广阔的应用前景。本文主要研究的是以MSP430单片机为主的空间定向测试技术。在设计中实现了基于MSP430单片机的空间定向测试,并且能够很好地应用于实际测量当中。 相似文献
78.
79.
孙新利黄笑容徐一俊郭兵健何国君陆燕祖国 《半导体技术》2014,(11):855-860
小角晶界是重掺硼直拉〈111〉单晶硅生产制造过程中出现的严重缺陷,生产中需要避免。主要研究掺杂浓度对小角晶界的影响,通过实验发现当前工艺下小角晶界产生的临界掺杂浓度为9.05×10^19 cm-3。分析研究小角晶界的宏观分布及形态特征,其宏观分布与晶体各项异性具有一致性,并随掺杂浓度变化而规律性变化。利用位错模型计算小角晶界两侧晶向差为0.6”~12.76”,其晶向差随掺杂浓度增加而逐步变大。根据位错模型计算并分析自由能与掺杂浓度的关系,得到样品中宏观长度下小角晶界自由能为5.037×10^-10~7200.421×10^-10 J,并随着掺杂浓度增加而逐步变大。此外结合生长工艺和晶格补偿原理,提出高掺杂浓度下避免小角晶界的方法,并得到无小角晶界的重掺硼单晶硅,对实际生产有重要意义。 相似文献
80.
低渗透气藏层内次生可动水流动临界条件研究 总被引:2,自引:0,他引:2
低渗透气藏具有较高的束缚水饱和度,主要以水膜水形式吸附在孔喉表面。在对水膜水转换为层内次生可动水的机理分析基础上,结合水膜理论,建立储层中束缚水水膜厚度与地层压力的变化关系,提出层内次生可动水流动的临界条件及其计算方法,实例计算分析认为:低渗透油气藏开发中后期,水膜水膨胀而形成的层内次生可动水会造成储层的水锁损害,对气井产量有一定的影响。 相似文献